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公开(公告)号：CN119277872A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411353891.9
申请日：2024-09-26
IPC: H10H29/03 , H10H29/02 , H01L21/66 , G06T7/00 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及发光二极管芯片转移技术领域，公开了一种发光二极管芯片的转移方法、装置、设备、介质及产品，发光二极管芯片的转移方法包括：获取目标组中的多个区块数据，区块数据包括对应的区块上的多个发光二极管芯片的参数信息，参数信息包括波长和/或亮度；将多个区块数据转化为多个第一图像信息，其中，多个第一图像信息和多个区块数据一一对应；根据第一学习模型，确定多个第一图像信息对应的区块数据的类型；将多个目标区块数据对应的区块上的发光二极管芯片转移到目标驱动基板的目标区域，其中，多个目标区块数据为多个区块数据中类型互补的区块数据。本发明在较短的时间内完成发光二极管芯片的转移的同时，减少显示屏色度差异。
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公开(公告)号：CN117934985A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311706708.4
申请日：2023-12-12
IPC: G06V10/774 , G06V10/764 , G06T7/73 , G06T7/00 , G06V10/44 , G06V10/26 , G06V10/52 , G06V10/80 , G06V10/75 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法，包括：获取半导体样本的外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像；将外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像融合，生成半导体样品的组合图像；对组合图像进行定位分割，识别得到组合图像中的缺陷区域及类别；基于半导体样本对应的缺陷区域及类别标签和识别得到组合图像中的缺陷区域及类别，进行模型训练，得到半导体缺陷检测模型，本发明通过外场调制发光强度信息、光谱信息与荧光寿命信息结合进行缺陷检测，提高了检测效率和准确性，实现了对缺陷种类的可靠识别，为制备高效稳定的半导体光电器件提供高效的检测方案。
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公开(公告)号：CN117747727A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311768650.6
申请日：2023-12-19
Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层，还包括：发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；第一电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；第二电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；所述第一电极和所述第二电极间隔设置；第三电极，位于所述半导体衬底层远离所述N型半导体层的一侧表面。本发明提供的Micro‑LED发光器件一方面生产成本低，且为后续工艺提供较大窗口；另一方面Micro‑LED发光器件的发光效率高，且功率损耗低。
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公开(公告)号：CN116314478A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310082734.8
申请日：2023-02-06
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片的制备方法，包括：提供衬底层；在所述衬底层的一侧依次形成层叠的N型半导体层、初始有源层和初始P型半导体层；刻蚀部分所述初始P型半导体层和部分所述初始有源层直至暴露出所述N型半导体层，且使所述初始P型半导体层形成P型半导体层，使初始有源层形成有源层，在刻蚀部分所述初始P型半导体层和部分所述初始有源层的过程中形成损伤层，所述损伤层位于所述有源层和所述P型半导体层的侧壁；对所述损伤层进行退火处理以形成修复层；对所述修复层进行超临界流体处理，以补偿所述修复层中的空位缺陷。本发明提供的Micro‑LED芯片的制备方法能够提高Micro‑LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115863507A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211524225.8
申请日：2022-11-30
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制备方法，LED器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的反射结构，所述反射结构包括自下至上依次层叠的第一组反射单元至第N组反射单元，N为大于或等于2的整数；任意的第n组反射单元包括至少一个第n反射单元，第n反射单元包括第n下反射层和第n上反射层；第n下反射层的折射率小于第n上反射层的折射率；第一组反射单元中的第一下反射层至第N组反射单元中第N下反射层的掺杂浓度递增，第一下反射层至第N下反射层中均具有孔洞，第一下反射层至第N下反射层的孔洞率递增；位于所述反射结构背离所述半导体衬底层一侧的发光层。所述LED器件的发光效率和发光均匀性均提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011288517.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种全色Micro/Nano LED阵列直接外延方法和结构，包括：1)在衬底外延生长缓冲层、非故意掺杂层以及n型层；2)在n型层上沉积第一介质层，在第一介质层上制作第一组微米或纳米孔阵列，在制成的第一组微米或纳米孔阵列内外延生长第一发光单元；3)制作第二介质层，并在该第二介质层上制作第二组微米或纳米孔阵列，在制成的第二组微米或纳米孔阵列内外延生长第二发光单元；4)制作第三介质层，并在该第三介质层上制作第三组微米或纳米孔阵列，在制成的第三组微米或纳米孔阵列内外延生长第三发光单元；5)使用化学溶液，将介质层腐蚀清除，露出发光单元。本发明避免了巨量转移的难题，可直接外延生长全色Micro/Nano LED阵列，具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN110880522A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910972267.X
申请日：2019-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法，其器件结构包括：衬底，图形化的n型氮化镓层，多量子阱有源层，p型氮化镓层，绝缘层，n型电极和p型电极，红光波长转换材料。在图形化的n型氮化镓层的极性面和非极性面上同时外延多量子阱有源层，分别获得绿光和蓝光微型LED发光单元。每个像素单元包含一个绿光微型LED发光单元和两个蓝光微型LED发光单元，通过使用红光波长转换材料将其中一个蓝光微型LED发光单元转换为红光微型LED发光单元，从而在同一晶圆上得到红绿蓝RGB模块，集成RGB像素单元，并将该结构倒装结合至集成电路控制板，实现全色显示。
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公开(公告)号：CN101289173B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810071176.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。
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公开(公告)号：CN119789640A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411975840.X
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/84 , H10H20/81 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域。具体涉及一种微型发光二极管器件及其制造方法。微型发光二极管器件包括：衬底基板；位于衬底基板上的N型GaN层；N型GaN层表面划分有P型电极区和N型电极区；位于N型GaN层上的发光层；位于发光层上的P型GaN层；绝缘隔离槽，位于P型电极区和N型电极区之间，将发光层和P型GaN层位于P型电极区的部分和位于N型电极区的部分隔离；绝缘间隔层；绝缘间隔层包覆发光层和P型GaN层；其中，绝缘间隔层位于P型电极区的部分与位于N型电极区的部分高度相等。本发明的微型发光二极管器件可有效解决从制造基板转移至驱动基板的过程中，转移后的器件容易发生破裂损坏，良率不理想的问题。
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公开(公告)号：CN117790486A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824530.3
申请日：2023-12-27
IPC: H01L25/075 , H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/48 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。
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