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公开(公告)号：CN112599494A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010777383.9
申请日：2020-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525 , H01L23/00
Abstract: 本案提供一种半导体元件，其包括具有功能性的部件。半导体元件进一步包括电连接至此部件的互连结构。互连结构用以将此部件电连接至信号。互连结构包括第一行导电元件及第二行导电元件。互连结构进一步包括与离此部件相距第一距离的第一导电位准上的第一熔丝，其中第一熔丝将第一行导电元件电连接至第二行导电元件。互连结构进一步包括与此部件相距第二距离的第二导电位准上的第二熔丝，其中第二熔丝将第一行导电元件电连接至第二行导电元件，并且第二距离不同于第一距离。
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公开(公告)号：CN112216314A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010342168.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/02 , G11C17/16 , G06F30/392
Abstract: 本发明实施例涉及存储器阵列的布局结构。本发明实施例涉及一种布局方法，其包含：形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；在所述第一行与所述第二行之间安置字线；跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。
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公开(公告)号：CN110875321A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910808763.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/112 , G11C17/16 , G11C17/18
Abstract: IC器件包括：反熔丝器件，包括位于第一栅极结构和有源区之间的介电层；第一晶体管，包括位于有源区上面的第二栅极结构；以及第二晶体管，包括位于有源区上面的第三栅极结构。第一栅极结构位于第二栅极结构和第三栅极结构之间。本发明的实施例还涉及电路和操作电路的方法。
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公开(公告)号：CN110277390A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810981272.2
申请日：2018-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L23/525
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路结构及其形成方法。集成电路结构包括：形成在第一金属层中的第一熔丝线；形成在第一金属层中的第二熔丝线；形成在第一金属层中且位于第一熔丝线的第一端的相对两侧上的第一对熔丝翼；形成在第一金属层中且位于第二熔丝线的第一端的相对两侧上的第二对熔丝翼；形成在第一金属层中且位于第一熔丝线的第二端的相对两侧上的第三对熔丝翼；以及形成在第一金属层中且位于第二熔丝线的第二端的相对两侧上的第四对熔丝翼。第一对熔丝翼和第二对熔丝翼共用第一共用熔丝翼并且第三对熔丝翼和第四对熔丝翼共用第二共用熔丝翼。
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公开(公告)号：CN108615542A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710845487.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C17/18 , G11C7/24 , G11C17/16 , H01L27/0251
Abstract: 本发明实施例提供一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。所述存储电路包括存储单元及编程线。所述存储单元包括熔丝。所述编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。所述熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122571A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710910211.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种字线驱动器包括选择字线电平位移器及控制字线电平位移器。选择字线电平位移器被配置成产生处于第一电压域或第二电压域中的至少一个输出信号，所述控制字线电平位移器耦合至所述选择字线电平位移器并被配置成至少部分地基于由所述选择字线电平位移器产生的所述至少一个输出信号来产生处于所述第二电压域或第三电压域中的至少一个输出信号。
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公开(公告)号：CN107437546A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710398433.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/112 , G11C17/16
CPC classification number: H01L27/11206 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L21/823475
Abstract: 本揭露提供一种集成电路。具体的，本揭露提供一种非易失性存储器，其包含：第一熔丝，其制作于集成电路的第一导电层上；第二熔丝，其制作于所述集成电路的第二导电层上；和晶体管，其制作于所述集成电路的前段工艺FEOL结构上。所述非易失性存储器的第一存储器单元是由包括所述第一熔丝和所述晶体管的第一存储器电路提供，且所述非易失性存储器的第二存储器单元是由包括所述第二熔丝和所述晶体管的第二存储器电路提供。
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公开(公告)号：CN103795049B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210421461.7
申请日：2012-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 一些涉及ESD保护电路的集成电路(IC)实施例。IC包括许多电连接至ESD敏感电路上的IC焊盘。这些IC焊盘将外部电路与IC相连接，由一个或多个电源地焊盘和一个或多个输入输出(I/O)焊盘组成。IC还包括许多分别连接至多个IC焊盘的ESD保护器件。一个触发电路(集成在IC里面)被用于检测在电源焊盘上的ESD事件，并且响应于检测，将ESD能量同时分流到所述电源焊盘的ESD保护器件和所述I/O焊盘的ESD保护器件。本发明还公开了其他实施例。本发明还提供了使用输入输出(I/O)焊盘的ESD保护方案。
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公开(公告)号：CN102376703A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010585297.4
申请日：2010-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/28123 , H01L21/823425 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L29/66628 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供一种字符线(WL)驱动器、集成电路及形成集成电路边缘组件的方法。字符线驱动器包含位于半导体基材之上的主动区，其中主动区具有沿着第一方向延伸的长度。多个指形成于主动区的上表面之上。每个指具有沿着第二方向延伸的长度，并与主动区的一部分形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管。第一虚设结构设置在上述多个指之中外边的一者与半导体基材的一边缘之间。第一虚设结构包含至少部分地设置在上述主动区的一部分之上的一部分。
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公开(公告)号：CN102262902A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010578477.X
申请日：2010-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种字符线驱动器电路，用以驱动在一内存阵列中的一字符线。此字符线驱动器电路包含一NAND电路具有一对地址输入与一输出；一输出反向器具有一反向器电源供应节点、一输入耦合至NAND电路的输出、以及用以提供一字符线信号的一输出；一电源栅极耦合在一第一电源供应节点与反向器电源供应节点之间；以及一控制电路耦合至电源栅极。控制电路控制电源栅极，以使字符线驱动器电路响应于NAND电路的输出，而处于工作模式或待机模式。
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