公开(公告)号：CN102452636A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110283910.1

申请日：2011-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑创仁 ,  张仪贤 ,  张华伦 ,  陈庆叡 ,  朱立晟 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  赵兰璘

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038

Abstract: 提供一种包括透明衬底的器件。不透明层被设置在透明衬底上。导电层被设置在不透明层上。不透明层和导电层形成处理层，该处理层可用于在制造工艺中检测和/或校准透明晶圆。在实施例中，导电层含有高掺杂硅层。在实施例中，不透明层含有金属。在实施例中，该器件可包括MEM器件。本发明还提供一种用于透明衬底的处理层。

公开(公告)号：CN110216578B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910553474.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN110216578A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910553474.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN103707177B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201310020037.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/11

Abstract: 本发明提供了一种用于晶圆边缘修整的研磨轮，包括：具有开口侧的头部以及环绕所述头部的开口侧的边缘接合的研磨端。所述研磨端被布置成在所述晶圆边缘修整期间具有环绕晶圆边缘的多个同步触点。

公开(公告)号：CN104867895B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410344902.7

申请日：2014-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  匡训冲 ,  萧清泰 ,  黄信华 ,  赵兰璘

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

Abstract: 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。

公开(公告)号：CN107452595A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710293157.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹钧涵 ,  陈志明 ,  陈汉誉 ,  王嗣裕 ,  赵兰璘 ,  蔡正原

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属-半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属-半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属-半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。

公开(公告)号：CN103915422B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310105508.3

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立晟 ,  刘丙寅 ,  黄信华 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  郑钧文

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2207/017 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。

公开(公告)号：CN103579042B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210465015.6

申请日：2012-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67092 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1972

Abstract: 本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。

公开(公告)号：CN103474420B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210359518.5

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN103378108A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210269091.X

申请日：2012-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  刘丙寅 ,  赵亦平 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L25/16 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于封装背照式(BSI)图像传感器或者具有专用集成电路(ASIC)的传感器器件的方法和装置。根据实施例，传感器器件可不使用载具晶圆而与ASIC面对面接合在一起，其中传感器的接合焊盘相对应地以一对一的方式与ASIC的接合焊盘对准。传感器的一列像素可共用通过共用的内金属线连接的接合焊盘。接合焊盘可以具有不同的尺寸并且配置在以相互分离的不同行中。可增加附加的伪焊盘以增强传感器和ASIC之间的接合。本发明还公开了用于图像传感器封装的方法和装置。