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公开(公告)号：CN103765306B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280037025.8
申请日：2012-08-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1333 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，为了抑制像素电极与源极线间的串扰从而减少闪烁，包括：设置成格子状的栅极线(102)和源极线(105)；像素电极(111)，其与栅极线(102)和源极线(105)的交叉位置对应地设置成矩阵状；透明辅助电容电极(109)；开关元件(121)，其根据从栅极线(102)赋予的扫描信号，将从源极线(105)供给的图像信号电压施加至像素电极(111)，所述开关元件(121)使用氧化物半导体层(104)构成，透明辅助电容电极(109)设置于源极线(105)与像素电极(111)之间。
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公开(公告)号：CN104285286A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380025030.1
申请日：2013-04-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , H01L21/441 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的目的是提供能够抑制成品率的降低并且通过简便的工艺制造的半导体装置和半导体装置的制造方法。本发明具有：TFT基板(100A)；氧化物层(15)，该氧化物层(15)包括半导体区域(5)和导体区域(7)，半导体区域的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与栅极电极(3a)重叠；覆盖半导体区域的沟道区域的保护层(8)；和透明电极(9)，该透明电极(9)以在从基板(2)的法线方向看时，与导体区域的至少一部分重叠的方式形成。氧化物层的端部的至少一部分被保护层覆盖。
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公开(公告)号：CN104205341A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380018474.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/32051 , H01L21/76823 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/1225 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。
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公开(公告)号：CN103250202B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280004022.4
申请日：2012-07-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/36 , G09G3/3614 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2310/0213 , G09G2310/0218 , G09G2310/0297 , G09G2320/0219 , G09G2330/023
Abstract: 提供降低功耗的SSD方式的显示装置。选择电路（400）包括k个选择块（410（1）～410（k））。各选择块包括3个薄膜晶体管。对这3个薄膜晶体管的栅极端子分别提供3相的选择控制信号（CT）。在扫描期间（T1）之后设置停止期间（T2）。在停止期间（T2），根据停止期间频率（fck2）的选择控制信号（CT），各选择块中的3个薄膜晶体管成为导通状态。停止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。
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公开(公告)号：CN108701720B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201780012574.2
申请日：2017-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 阵列基板(11b)具备：栅极配线(19)；TFT(17)，其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c)，栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分，沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24)，源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧，漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧，且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24)；像素电极(18)，其连接到漏极部(17c)；像素PX，其具有TFT(17)和像素电极(18)；以及第2层间绝缘膜(27)，其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。
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公开(公告)号：CN110300917A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880011976.5
申请日：2018-02-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13 , G02B27/02 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/1368
Abstract: 一种头戴式显示器用的液晶显示装置，具备第1基板、第2基板、液晶层以及多个柱状间隔物。第1基板具有设置于各像素的TFT、多个栅极总线以及多个源极总线。TFT包含氧化物半导体层。各柱状间隔物是与第1基板和第2基板这两方接触的。第2基板具有遮光层，上述遮光层包含与栅极总线或源极总线重叠的第1遮光部、以及与各柱状间隔物重叠的第2遮光部。各柱状间隔物配置于多个蓝色像素中的任意一个蓝色像素。遮光层的第2遮光部配置为使得存在第2遮光部的蓝色像素中的、由第2遮光部导致的开口率的下降为30％以下。
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公开(公告)号：CN107111179A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069666.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/30
Abstract: 本发明目的在于提高包括氧化物半导体TFT的显示装置的开口率。本发明的显示装置(100A)的第一基板(10)具有TFT(2)，该TFT(2)设于各像素中，且具有氧化物半导体层。第二基板(20)具有彩色滤光片层(22)及遮光层(21)。彩色滤光片层(22)中所含的第一彩色滤光片、第二彩色滤光片及第三彩色滤光片中的至少一个为，对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2％以下。遮光层在设置有对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2％以下的彩色滤光片的像素中，(a)具有薄膜晶体管遮光部(21t)，其沿着沟道长度方向(DL)延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道宽度方向(DW)的长度以下的宽度；或者(b)具有薄膜晶体管遮光部，其沿着沟道宽度方向延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道长度方向的长度以下的宽度；或者(c)不具有薄膜晶体管遮光部。
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公开(公告)号：CN104205341B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380018474.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/32051 , H01L21/76823 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/1225 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。
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公开(公告)号：CN105814481A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066869.4
申请日：2014-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 内田诚一
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(101)包括排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域(Pix)，多个像素区域(Pix)各自包括：薄膜晶体管(10)，其具有栅极电极(2)、覆盖栅极电极的栅极绝缘层(5)、在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(7A)、以及与氧化物半导体层电连接的源极电极(9s)和漏极电极(9d)；与氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层(7B)；覆盖薄膜晶体管和金属氧化物层的层间绝缘层(13)；和设置在层间绝缘层上，并且与漏极电极电连接的像素电极(15)，金属氧化物层(7B)包括导电体区域(70c)，像素电极(15)隔着层间绝缘层(13)与导电体区域(70c)的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN104396019A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032605.2
申请日：2013-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/443 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969
Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。
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