公开(公告)号：CN107004603B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN112054031A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010494210.6

申请日：2020-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  原健吾 ,  山中昌光 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。

公开(公告)号：CN110494798A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880022067.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  伊藤俊克 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  西宫节治 ,  大东彻

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。

公开(公告)号：CN109891483A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780064648.7

申请日：2017-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  菊池哲郎 ,  伊藤俊克 ,  原健吾

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

Abstract: 有源矩阵基板(100A)具有：栅极金属层(15)，其具有Cu层(15b)/Ti层(15a)的2层结构；栅极金属层(15)上的第1绝缘层(16)；第1绝缘层(16)上的具有Cu层(18b)/Ti层(18a)的2层结构的源极金属层(18)；源极金属层(18)上的第2绝缘层(19)；导电层(25)，其形成在第2绝缘层(19)上，在第1绝缘层(16)的第1开口部(16a1)内与栅极金属层(15)接触，并且在第2绝缘层(19)的第2开口部(19a2)内与源极金属层(18)接触；以及第1透明导电层(21)，其形成在导电层(25)上，包含像素电极、共用电极以及辅助电容电极之中的任意一者，导电层(25)不包含像素电极、共用电极、辅助电容电极之中的任何一者，且不具有与栅极金属层(15)的Cu层(15b)接触的Ti层。

公开(公告)号：CN109791949A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059506.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  北川英树 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  大东彻 ,  伊藤俊克

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101)，半导体层(7)具有层叠结构，该层叠结构包含：第1氧化物半导体层(71)，其包含In和Zn，第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比；第2氧化物半导体层(72)，其包含In和Zn，第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比；以及中间氧化物半导体层(70)，其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层，中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层，第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。

公开(公告)号：CN109791892A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059470.7

申请日：2017-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  伊藤俊克 ,  上田辉幸 ,  西宫节治 ,  原健吾

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06

Abstract: 有源矩阵基板(100)的像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(7)；无机绝缘层(11)及有机绝缘层(12)，其覆盖薄膜晶体管；共用电极(15)；电介质层(17)，其主要包含氮化硅；以及像素电极(19)，无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，像素电极(10)在像素接触孔内与漏极电极(9)接触，像素接触孔包括分别形成于无机绝缘层(11)、有机绝缘层(12)以及电介质层(17)的第1开口部、第2开口部以及第3开口部，第1开口部的侧面与第2开口部的侧面对齐，第2开口部的侧面包含：第1部分(121)，其相对于基板按第1角度(θ1)倾斜；第2部分(122)，其位于第1部分的上方，按比第1角度大的第2角度(θ2)倾斜；以及交界(120)，其位于第1部分与第2部分之间，相对于基板的倾斜角度不连续地变化。

公开(公告)号：CN107004720A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064371.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置(200A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(201)；以覆盖薄膜晶体管(201)且与薄膜晶体管(201)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极及漏极电极(7)各自含有铜，所述源极及漏极电极(7)与层间绝缘层(11)之间配置有含有铜与铜以外的至少一种金属元素的铜合金氧化膜(10)，层间绝缘层(11)隔着铜合金氧化膜(10)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜合金氧化膜(10)而与漏极电极(7D)直接相接。

公开(公告)号：CN107004718A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN102893315A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180022972.5

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  近间义雅 ,  水野裕二(死亡) ,  太田纯史 ,  吉田德生 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信 ,  山下彻也

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

Abstract: 一种有源矩阵基板(20a)，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极(18a)；和多个TFT(5)，该多个TFT(5)与各像素电极(18a)分别连接且包括设置于绝缘基板(10a)的栅极电极(11a)、以覆盖栅极电极(11a)的方式设置的栅极绝缘膜(12a)、在栅极绝缘膜(12a)上以与栅极电极(11a)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(16a)、和在栅极绝缘膜(12a)上以隔着半导体层(16a)的沟道区域(C)彼此分离的方式利用铜或铜合金设置的源极电极(15aa)和漏极电极(15b)，半导体层(16a)利用氧化物半导体以覆盖源极电极(15aa)和漏极电极(15b)的方式设置。

公开(公告)号：CN113540122B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202110397004.8

申请日：2021-04-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 有源矩阵基板具备多条源极总线以及多条栅极总线；多个氧化物半导体TFT，分别包括多个像素TFT以及多个电路TFT，各氧化物半导体TFT有氧化物半导体层和栅极，多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT和多个第二TFT和/或多个第三TFT，各第一TFT具有第一遮光结构，其以从基板的法线方向观察时与沟道区域的整体重叠的方式在氧化物半导体层和基板之间配置有第一遮光层，各第二TFT具有在氧化物半导体层和基板之间未配置遮光层的第二遮光结构，各第三TFT具有第三遮光结构，其以从基板的法线方向观察时仅与沟道区域的一部分重叠的方式在各氧化物半导体层和基板之间配置有第二遮光层，多个第一TFT包含多个像素TFT，多个第二TFT和/或多个第三TFT包含多个电路TFT的至少一部分。