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公开(公告)号：CN104303230B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201380024906.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B11/10589 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024
Abstract: 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有：在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
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公开(公告)号：CN104347086A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410351809.9
申请日：2014-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
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公开(公告)号：CN104303230A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380024906.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B11/10589 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024
Abstract: 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有：在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
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公开(公告)号：CN111916114B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010376998.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/667
Abstract: 提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114863952A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210092809.6
申请日：2022-01-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供耐腐蚀性高的磁记录介质。本发明涉及的磁记录介质在非磁性基板上依次具备基底层、垂直磁性层、扩散防止层和保护层，上述垂直磁性层为多层结构，上述垂直磁性层的最上层在磁性粒子中包含Co或Fe，上述垂直磁性层的最上层以外的层的至少1层包含氧化物，上述扩散防止层设置于上述垂直磁性层与上述保护层之间，其包含选自由Si、Ti、Cr、B和Ru所组成的组中的1个以上的成分、或它们的碳化物和氧化物的至少一者。
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公开(公告)号：CN110517709B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
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公开(公告)号：CN110875063B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910681488.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。
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公开(公告)号：CN110634509B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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