公开(公告)号：CN104160520A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280049611.4

申请日：2012-09-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田稔之 ,  井上彰 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/34 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2933/0091

Abstract: 半导体发光元件（101）具备以非极性面或半极性面为主面的、由包含发出偏振光的活性层（22）的氮化物类半导体构成的半导体层叠结构（20）。半导体发光元件（101）具有设置在横切偏振光的出射路径的位置、包含多个凹部的条纹结构（50），凹部（50b）的延伸方向与偏振光的偏振方向所成角度为0°以上45°以下。多个凹部（50b），该多个凹部（50b）的表面的至少一部分具有比凹部50b的深度浅的微细的凹凸结构（纹理）（51）。

公开(公告)号：CN102334204B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080009597.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  岩永顺子 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。

公开(公告)号：CN103003963A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035160.4

申请日：2011-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矶崎瑛宏 ,  井上彰 ,  山田笃志 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型氮化物半导体层(21)；p型氮化物半导体层(23)；具有m面氮化物半导体层，且被夹在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层区域(22)；与n型氮化物半导体层电连接的n型电极(30)；与p型氮化物半导体层电连接的p型电极(40)；将在活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在射出面设置的条状结构(50)，该条状结构(50)具有向与m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上80°以下、或-80°以上-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。

公开(公告)号：CN102369590A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014405.0

申请日：2010-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤金正树 ,  井上彰 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16

Abstract: 实行如下工序：将至少在上表面具有-r面氮化物半导体结晶的基板配置在反应室内的工序(S1)；将反应室内的基板进行加热，而使基板的温度上升的升温工序(S2)；在基板上使氮化物半导体层生长的生长工序(S3)。在升温工序(S2)中，将氮气源和III族元素气源供给到反应室内。

公开(公告)号：CN102356477A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200980158076.4

申请日：2009-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  井上彰 ,  藤金正树 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  矢野正

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。

公开(公告)号：CN1255878C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02802677.2

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  井上彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78687

Abstract: Si层(15)中源极区域(19)与漏极区域(20)之间的区域构成为包含高浓度N型杂质的Si基体区域(21)。Si层(16)和SiGe层(17)任一在生长(as-grown)状态下都构成为不掺杂N型杂质的非掺杂层，Si层(16)和SiGe层(17)中源极区域(19)与漏极区域(20)之间的区域分别构成为包含低浓度N型杂质的Si缓冲区域(22)、和包含低浓度N型杂质的SiGe沟道区域(23)。Si膜(18)中位于栅极绝缘膜(12)正下方的区域构成为导入P型杂质(5×1017atoms·cm-3)的Si盖区域(24)。从而，可得到抑制阈值电压增大的半导体装置。

公开(公告)号：CN1466779A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02802677.2

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  井上彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78687

Abstract: Si层15中源极区域19与漏极区域20之间的区域构成为包含高浓度N型杂质的Si基体区域21。Si层16和SiGe层17任一在生长(as－grown)状态下都构成为不掺杂N型杂质的非掺杂层，Si层16和SiGe层17中源极区域19与漏极区域20之间的区域分别构成为包含低浓度N型杂质的Si缓冲区域22、和包含低浓度N型杂质的SiGe沟道区域23。Si膜18中位于栅极绝缘膜12正下方的区域构成为导入P型杂质(5×1017atoms·cm－3)的Si间隙区域24。从而，可得到抑制阈值电压增大的半导体装置。

公开(公告)号：CN103180974A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201280003453.9

申请日：2012-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田笃志 ,  井上彰 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件（220），其具有：生长面为m面且由GaN类半导体形成的活性层（202）；和辐射来自活性层（202）的光的至少一个辐射面，其中，辐射面是在m面上设置有多个凸部（303）的面，在辐射面中，多个凸部（303）的各自的底面为封闭曲线内的区域，底面B的形状具有：将封闭曲线上位于最远的位置的两个点连结的线段即长轴（Ax）；和通过长轴（Ax）的中心且与长轴垂直的线段即短轴，长轴（Ax）和晶体的a轴延伸的方向所成的角度在45度以内。

公开(公告)号：CN103081138A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201280002630.1

申请日：2012-05-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  岩永顺子 ,  井上彰

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 实施方式的氮化物类半导体发光元件具有生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构。半导体层叠结构具有：n型半导体层；p型半导体层；设置于所述p型半导体层上的p侧电极；和位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层。活性层的厚度与n型半导体层的厚度比D为1.8×10-4≤D≤14.1×10-4，p侧电极的面积S为1×102μm2≤S≤9×104μm2，外部量子效率成为最大时的88%时的最大电流密度为2A/mm2以上。

公开(公告)号：CN103003962A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201280002076.7

申请日：2012-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  藤金正树

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

Abstract: 氮化物半导体发光元件（300）是具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构（310）的氮化物半导体发光元件，层叠结构（310）具有与氮化物半导体活性层（306）的m面平行的取光面（311a）和与氮化物半导体活性层（306）的c面平行的取光面（311b），取光面（311b）的面积相对于取光面（311a）的面积的比例为46％以下。