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公开(公告)号：CN1241325C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN01145221.8
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/15
Abstract: 一种高频开关，它包含：第1收发开关电路，有选择地切换天线端子与第1发送电路端子之间传送的信号和天线端子与第1接收电路端子之间传送的信号；第2收发开关电路，有选择地切换天线端子与第2发送电路端子之间传送的信号和天线端子与第2接收电路端子之间传送的信号；第1双工器，分别配置在天线端子与第1收发开关电路之间和天线端子与第2收发开关电路之间；第2双工器，连接第2接收电路端子，通过利用相移电路和声表面波滤波器，有选择地切换第2接收电路端子与第3接收电路端子之间传送的信号和第2接收电路端子与第4接收电路端子之间传送的信号。
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公开(公告)号：CN1476101A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03178785.1
申请日：2003-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山田彻
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L29/66946 , H01L27/14812
Abstract: 提供可以充分减少从垂直电荷传送部向水平电荷传送部的信号电荷的传送剩余的固体摄像装置及其制造方法。在具备有多个垂直电荷传送部以及与上述垂直电荷传送部的至少一端所连接的水平电荷传送部的固体摄像装置中，使构成上述垂直电荷传送部的第1导电型垂直传送沟道区域、第2导电型器件隔离区域以及第2导电型垂直势阱区域延伸到上述垂直电荷传送部和水平电荷传送部之间的连接部，该延伸出的区域的水平电荷传送部一侧的端部与最终垂直传送电极的水平电荷传送部一侧的端部相比更加位于水平电荷传送部一侧，并且进行调整使之从第2导电型器件隔离区域的水平电荷传送部一侧的端部位于1.5μm之内。
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公开(公告)号：CN1362786A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01145221.8
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/15
Abstract: 一种高频开关,它包含:第1收发开关电路,有选择地切换天线端子与第1发送电路端子之间传送的信号和天线端子与第1接收电路端子之间传送的信号;第2收发开关电路,有选择地切换天线端子与第2发送电路端子之间传送的信号和天线端子与第2接收电路端子之间传送的信号;第1双工器,分别配置在天线端子与第1收发开关电路之间和天线端子与第2收发开关电路之间;第2双工器,连接第2接收电路端子,通过利用相移电路和声表面波滤波器,有选择地切换第2接收电路端子与第3接收电路端子之间传送的信号和第2接收电路端子与第4接收电路端子之间传送的信号。
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公开(公告)号：CN1336787A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01129567.8
申请日：2001-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/4688 , H01L23/5385 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/4061 , H05K3/4614 , H05K3/4629 , H05K3/4697 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明的陶瓷体叠层器件包括具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第1陶瓷体,具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第2陶瓷体,以及在所述第1和第2陶瓷体之间夹持的热硬化性树脂片17,所述热硬化性树脂片上具有填入了导电性树脂的穿通孔以使所述第1陶瓷体的某个所述多层配线图形与所述第2陶瓷体的某个所述多层配线实现电气连接。实现了高性能化、小型化、低矮化、易制造、可靠性高的陶瓷叠层器件。
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公开(公告)号：CN101889341B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200980101282.1
申请日：2009-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/48 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0248 , H05K1/162 , H05K3/242 , H05K2201/09309 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种中介层基板以及半导体装置。在中介层基板(104)中，电镀短线导体(145A)和接地导体(162)形成电容器(160A)；电镀短线导体(145B)和接地导体(162)形成电容器(160B)。电容器(160A)以及(160B)的各电容值被调整为：利用包括连接布线导体(142A)的信号线以及包括连接布线导体(142B)的信号线进行差动传输的各信号的相位差成为180度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101160584B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200680012593.7
申请日：2006-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036 , H05K1/0216 , H05K3/0005
Abstract: 分析干扰的干扰分析设备包括：输入部(2)，输入设计数据；选择部(3)，选择分析区域；分割部(5)，将布线分割为段；计算部(6)，对耦合线路计算电路矩阵；以及分析部(7)，求电磁场干扰的程度；计算部(6)用耦合线路的传输线的RLGC参数加上非对称程度参数所得的参数组，来计算上述耦合线路的电路矩阵。由此，能够提供一种电路布线的干扰分析方法，可在维持高精度的同时，大幅度缩短处理时间。
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公开(公告)号：CN1819453A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510131684.X
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/15
Abstract: 一种高频开关，它包含：第1收发开关电路，有选择地切换天线端子与第1发送电路端子之间传送的信号和天线端子与第1接收电路端子之间传送的信号；第2收发开关电路，有选择地切换天线端子与第2发送电路端子之间传送的信号和天线端子与第2接收电路端子之间传送的信号；第1双工器，分别配置在天线端子与第1收发开关电路之间和天线端子与第2收发开关电路之间；第2双工器，连接第2接收电路端子，通过利用相移电路和声表面波滤波器，有选择地切换第2接收电路端子与第3接收电路端子之间传送的信号和第2接收电路端子与第4接收电路端子之间传送的信号。
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公开(公告)号：CN1700452A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072838.2
申请日：2005-05-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3677 , H01L23/5389 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 所提供的一种半导体器件装配构件(1)包括：含有多层电绝缘基片(11a至11c)的电绝缘层(11)、第一半导体器件(1 2)、第二半导体器件(13)、设置在电绝缘层(11)的主表面(111)上的散热部分(14)、连接至散热部分(14)和第一半导体器件(12)的第一导热路径(15)，和连接至散热部分(14)和第二半导体器件(13)的第二导热路径(16)，其中第一半导体器件(12)设置在散热部分(14)的至少一部分和第二半导体器件(13)之间。这样提供了一种半导体器件装配构件，除了能高密度地装配多个半导体器件之外，该半导体器件装配构件还能高效地散掉由多个半导体器件产生的热量。
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公开(公告)号：CN1226803C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02132206.6
申请日：2002-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P1/15 , H01P1/213
Abstract: 一种射频(RF)器件，它包括第一基板，由相对低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成高频电路；以及第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，其中至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，且连接着所述高频电路，以及所述高频电路由除了所述部分滤波器之外的元件组成。
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公开(公告)号：CN1190113C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01129567.8
申请日：2001-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/4688 , H01L23/5385 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/4061 , H05K3/4614 , H05K3/4629 , H05K3/4697 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明的陶瓷体叠层器件包括具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第1陶瓷体，具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第2陶瓷体，以及在所述第1和第2陶瓷体之间夹持的热硬化性树脂片17，所述热硬化性树脂片上具有填入了导电性树脂的穿通孔以使所述第1陶瓷体的某个所述多层配线图形与所述第2陶瓷体的某个所述多层配线实现电气连接。实现了高性能化、小型化、低矮化、易制造、可靠性高的陶瓷叠层器件。
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