公开(公告)号：CN102646681B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210109887.9

申请日：2007-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/12 ,  H01L23/525 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 目的是提供一种安装有存储器的半导体器件，该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器，可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中，该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。

公开(公告)号：CN103855224A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310631139.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/22 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜，可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外，通过作为与氧化物半导体膜接触的氧化物膜使用电子亲和能比氧化物半导体膜的电子亲和能小的材料，流过沟道的电子几乎不会迁移至与氧化物半导体膜接触的氧化物膜中，而主要迁移至氧化物半导体膜中。因此，即使形成于氧化物膜的外侧的绝缘膜与氧化物膜的界面存在能级，该能级也几乎不会对电子的移动造成影响。

公开(公告)号：CN101523611B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780037484.5

申请日：2007-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 目的是提供一种安装有存储器的半导体器件，该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器，可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中，该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。

公开(公告)号：CN101529591B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780039505.7

申请日：2007-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  斋藤利彦

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种对于写入和读出可利用相同的电压值对存储元件进行操作的存储器件的结构。本发明涉及一种存储器件，其包括存储元件和将施加到存储元件的用于写入(或读出)的电压的极性改变成与用于读出(或写入)的电压的极性不同极性的电路。存储元件包括第一导电层、形成于第一导电层之上的硅膜、以及形成于硅膜之上的第二导电层。存储元件的第一导电层与第二导电层是使用不同的材料形成的。

公开(公告)号：CN101013722B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200610064386.8

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  德永肇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/84 ,  H01L24/73 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚度更均匀的第二区。第一和第二区被垂直于水平线的线分开，该线经过穿过硅化物层的边缘且与水平线形成角度θ(0°

公开(公告)号：CN101458966A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810190316.6

申请日：2008-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C17/16 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明“存储器及半导体装置”提供一种存储器，它包括具有第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的硅层的存储元件。所述存储元件可以处于“第一状态”、“第二状态”及“第三状态”。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第一数据，结果使第一电极的电位比所述第二电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第二状态。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第二数据，结果使第二电极的电位比所述第一电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第三状态。

公开(公告)号：CN101013722A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610064386.8

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  德永肇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/84 ,  H01L24/73 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚度更均匀的第二区。第一和第二区被垂直于水平线的线分开，该线经过穿过硅化物层的边缘且与水平线形成角度θ(0°＜θ＜45°)的线与硅化物层和杂质区之间的界面交叉处的点，并且第二区的厚度与硅膜的厚度之比为0.6或更大。