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公开(公告)号：CN1550573A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag－Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子％－1或以下，其是根据下式，基于X－射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN101691656A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
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公开(公告)号：CN100334239C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at%的Nd、和/或0.01～1.5at%的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at%的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
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公开(公告)号：CN1331138C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200510066665.3
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40%(原子%，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5%的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1303437C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410063217.3
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/541 , G02B5/08 , Y10T428/12472 , Y10T428/12993
Abstract: 一种反射器用银合金反射膜及反射器，(1)是以表面粗糙度Ra在2.0nm以下为特征的反射器用银合金反射膜，(2)在上述银合金反射膜中含有合计0.1%～3.0原子%的稀土类元素(Nd等)，或者是进一步含有合计0.5%～5.0原子%的Au、Pd、Cu、Pt中的一种以上的反射器用银合金反射膜，(3)在基体上形成上述银合金反射膜的反射器等。该反射器用银合金反射膜和反射器，即使在加热环境下表面平滑性也优良、显示高反射率。
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公开(公告)号：CN1877428A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610091236.6
申请日：2006-06-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G09F9/00
Abstract: 一种显示装置，其中互连—包含Cu合金膜和透明导电膜的电极不经由难熔金属薄膜而直接连接，其中所述Cu合金膜含有总量为0.1原子％～3.0原子％的Zn和/或Mg或总量为0.1原子％～0.5原子％的Ni和/或Mn，从而不使用势垒金属，能够在Cu合金膜与透明电极之间低电阻率地直接连接，并且在例如应用到液晶显示器的情况中给出高的显示质量。
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公开(公告)号：CN1823179A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax－Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave－Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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公开(公告)号：CN1734606A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510083393.8
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种用于光学信息记录介质的Ag合金反射膜，其含有Ag作为主要组分，还含有总量大于3.0atom％且小于或等于10atom％的选自Nd、Sn、Gd和In的至少一种元素。该反射膜还可以含有0.01－3atom％的Bi和Sb中的至少一种，和/或还可以含有20atom％或更少的选自Mn、Cu、La和Zn的至少一种元素。一种光学信息记录介质，其包括该Ag合金反射膜，可以进行激光标示。一种Ag合金溅射目标，具有与Ag合金反射膜类似的组成。
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公开(公告)号：CN1576892A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063217.3
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/541 , G02B5/08 , Y10T428/12472 , Y10T428/12993
Abstract: 一种反射器用银合金反射膜及反射器，(1)是以表面粗糙度Ra在2.0nm以下为特征的反射器用银合金反射膜，(2)在上述银合金反射膜中含有合计0.1％～3.0原子％的稀土类元素(Nd等)，或者是进一步含有合计0.5％～5.0原子％的Au、Pd、Cu、Pt中的一种以上的反射器用银合金反射膜，(3)在基体上形成上述银合金反射膜的反射器等。该反射器用银合金反射膜和反射器，即使在加热环境下表面平滑性也优良、显示高反射率。
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公开(公告)号：CN1361525A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01136657.5
申请日：2001-10-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/259 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/2595 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 一种能够抑制Ag晶粒成长的光信息记录介质用反射层或半透明反射层,其特征在于,用含有Nd 0.1～3.0原子%的Ag基合金构成。从而提供了一种当然具有高反射率,而且能够抑制Ag晶粒成长的结构稳定性优良的新型光信息记录介质用反射层·半透明反射层、光信息记录介质以及光信息记录介质用溅射靶。
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