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公开(公告)号：CN112440204A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010869743.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/27
Abstract: 本发明提供弹性膜及基板保持装置，弹性膜能够抑制弹性膜在周向上的变形情况的偏差并能够容易地安装于基板保持装置的头主体。本发明涉及的弹性膜(10)用于基板保持装置(1)。此弹性膜(10)具备与基板(W)抵接而将该基板(W)向研磨垫(19)按压的抵接部(11)，和从该抵接部(11)的周端部延伸的边缘周壁(33)。边缘周壁(33)具有边缘周壁唇部(33b)，该边缘周壁唇部夹在基板保持装置(1)的头主体(2)与用来将该边缘周壁(33)固定于头主体(2)的边缘安装部件(47)之间。此边缘周壁唇部(33b)的表面的至少一部分被粗糙化。
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公开(公告)号：CN112440202A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010869771.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种辊的异常检测方法及研磨装置，对向保持环传递局部载荷的辊的异常进行检测。其中，使具备头主体(11)和保持环(20)的研磨头(10)旋转，该头主体具有按压基板(W)的按压面(45a)，该保持环被配置为包围按压面(45a)，使固定于保持环(20)且具有多个辊(52)的旋转环(51)与研磨头(10)一同旋转，且一边对配置在旋转环(51)上的静止环施加局部载荷，一边测定用于使研磨头(10)旋转的转矩，生成表示用于使研磨头(10)旋转的转矩的测定值与转矩的测定时间的关系的转矩波形，对转矩波形进行傅立叶变换处理而决定转矩波形的频率成分的强度，在决定的频率成分的强度比规定的阈值大时，判断为多个辊(52)中的至少一个存在异常。
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公开(公告)号：CN104625948B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410640498.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32 , B24B37/10 , B24B37/34 , H01L21/687
Abstract: 一种基板保持装置(1)，具有：对基板(W)进行保持的顶环主体(10)；以及保持环(40)，该保持环(40)配置成包围保持在顶环主体(10)上的基板(W)，保持环(40)具有与研磨垫(2)接触的环状的垫按压部(122)，垫按压部(122)具有3mm以上、7.5mm以下的宽度。采用本发明，即使是连续对多个基板进行研磨的情况下，也可防止基板的边缘部处的研磨速率上升。
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公开(公告)号：CN103447939B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201310216923.6
申请日：2013-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/005 , B24B7/228 , B24B37/042 , B24B37/07 , B24B37/32 , B24B49/16
Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置（1），具有将基板W相对研磨面（2a）按压的基板保持面（45a）以及配置为包围基板W且与研磨面（2a）接触的保持环（40）；旋转机构（13），使基板保持装置（1）以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构（110），向保持环（40）的一部分施加局部负荷。保持环（40）能够和基板保持面（45a）独立地倾斜运动，局部负荷施加机构（110）不和基板保持装置（1）一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。
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公开(公告)号：CN107186617A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710150426.9
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够恰当地处理基板的基板研磨方法、基板研磨装置以及用于那样的基板研磨装置的顶环。本发明提供一种基板研磨方法，具备如下工序：输送工序(S2)，在该输送工序(S2)中，利用弹性膜的第一区域吸附基板而将该基板向研磨垫上输送；研磨工序(S4)，在该研磨工序(S4)中，使所述基板与所述研磨垫接触而对所述基板进行研磨；以及提离工序(S6)，在该提离工序(S6)中，利用所述弹性膜的比所述第一区域宽的第二区域吸附所述基板而将所述基板从所述研磨垫提离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104942704A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510136596.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/687
CPC classification number: B24B37/30 , B24B7/228 , B24B37/10 , H01L21/68714 , H01L21/68721
Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备：抵接于基板的抵接部(11)；从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h)；及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g)，第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b)，上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸，下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。
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公开(公告)号：CN103659579A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310383365.2
申请日：2013-08-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供一种能减小沿着基板的半径方向同心状扩展的加压区域内的研磨速度分布的范围，提高基板的研磨面的面内均匀性，提高成品率的弹性膜以及基板保持装置。弹性膜（10）具有区隔形成对基板（W）加压的多个加压区域（CA、EA、MA1～MA6）的、同心圆状配置的多个周壁（10a～10h），形成在位于中央的圆板状的中央加压区域（CA）与位于最外周的圆环状的边缘加压区域（EA）之间的多个中间加压区域（MA1～MA6）内的至少一个中间加压区域、例如中间加压区域（MA5、MA6）的半径方向区域宽度被设定为：即使改变区域宽度研磨速度响应宽度也不改变的范围内的区域宽度。
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公开(公告)号：CN303635158S
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201530335207.X
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1.本外观设计产品的名称为基板保持环。2.本外观设计产品用于在制造半导体等的基板研磨工序中将晶片等基板保持在环内以便进行对基板单面的研磨。3.本外观设计为针对同一产品的2项相似外观设计，其中指定设计1为基本设计。4.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。5.指定设计1立体图1为最能表明设计要点的视图。6.设计1及设计2各自的后视图、左视图及右视图因与各自的主视图相同，所以被省略。
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公开(公告)号：CN306687532S
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202130139762.0
申请日：2021-03-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体晶片研磨用弹性膜。
2.本外观设计产品的用途：在半导体等的制造中的晶片研磨工序中安装于研磨装置的基板保持环内侧来保持晶片。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图2。
5.仰视图与俯视图对称，省略仰视图;左视图与右视图对称，省略左视图。-
公开(公告)号：CN304345271S
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201730234093.9
申请日：2017-06-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体晶片研磨用弹性膜。
2．本外观设计产品的用途：用于在半导体等的制造中的晶片研磨工序中安装于研磨装置的基板保持环内侧来保持晶片。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图2。
5．省略视图：由于仰视图与俯视图对称，左视图与右视图对称，因此省略仰视图和左视图。
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