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公开(公告)号:CN110678956B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201880035027.0
申请日:2018-04-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J43/24
Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中,被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层,该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态,在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层,并且该金属层的厚度被设定为5~40埃。
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公开(公告)号:CN107924807A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680050641.5
申请日:2016-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种微通道板(10),其具备:基体(11),其具有输入面(11a)及输出面(11b);多个通道(12),其从基体的输入面贯通至输出面;电子发射膜(14),其设置于通道的内壁面(12a);保护膜(15),其设置于电子发射膜上;输入电极(16)及输出电极(17),其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。
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公开(公告)号:CN105788997A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610216950.7
申请日:2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中,在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi,具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能,光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此,能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号:CN102067264A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200880129779.X
申请日:2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中,在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi,具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能,光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此,能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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