电子倍增体
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110678956B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201880035027.0

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中,被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层,该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态,在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层,并且该金属层的厚度被设定为5~40埃。

    电子倍增体
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110678955B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201880035018.1

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中,由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层,由此该电阻层实现以下范围内的温度特性:相对于温度20℃的电阻值,‑60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。

    微通道板及电子倍增体
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107924807A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680050641.5

    申请日:2016-08-09

    Abstract: 一种微通道板(10),其具备:基体(11),其具有输入面(11a)及输出面(11b);多个通道(12),其从基体的输入面贯通至输出面;电子发射膜(14),其设置于通道的内壁面(12a);保护膜(15),其设置于电子发射膜上;输入电极(16)及输出电极(17),其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。

    电子管
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104603909A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201380046330.8

    申请日:2013-07-31

    CPC classification number: H01J43/18 H01J43/28

    Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中,相对于绝缘性基板(12)的基体(14)的保持面(12a)形成具有电绝缘层以及导电层的层叠结构的电阻膜(15)。该电阻膜(15)通过使用原子层沉积法从而成为具有所希望的电阻值的牢固而且致密的膜,并且能够抑制由绝缘性材料构成的基板(14)的带电。由此,就能够稳定地确保耐电压特性。

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