公开(公告)号：CN102318093B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201080007859.5

申请日：2010-02-10

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  塚本秀雄 ,  石原庸介

IPC: H01L33/64 ,  B22D18/02 ,  B32B15/04 ,  C04B41/88 ,  C23C30/00

CPC classification number: B22D18/02 ,  B22F3/26 ,  B22F2998/10 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C22C26/00 ,  C22C29/06 ,  C22C29/12 ,  C22C29/16 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12007 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/4541 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/51 ,  C04B41/522 ,  C04B35/04 ,  C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/581 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/505 ,  C04B41/00 ,  C23C30/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。

公开(公告)号：CN105453707A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044897.6

申请日：2014-08-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  五十岚厚树 ,  宫田浩司 ,  西太树 ,  井之上纱绪梨 ,  小林文弥

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/583 ,  C04B41/83 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0271 ,  C08K7/00 ,  C08K2003/385 ,  C08K2201/004 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/066

Abstract: 本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼-树脂复合体电路基板。一种氮化硼-树脂复合体电路基板，其特征在于，其是在板厚为0.2～1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的，所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5～50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30～85体积％和树脂70～15体积％，树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5～2.0。