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公开(公告)号：CN102610510A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210023094.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/28
Abstract: 本发明涉及适合于接收一个或多个半导体晶片以在磨削装置、研磨装置或抛光装置的两个工作盘之间对其进行双面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料组成的芯部，其中第一表面和第二表面各自带有完全或部分地覆盖第一表面和第二表面的由第二材料组成的涂层，以及至少一个用于接收半导体晶片的开口，其中涂层的背离芯部的表面具有由凸起和凹坑构成的结构，其特征在于，所述结构的凸起和凹坑的相关长度在0.5mm至25mm的范围内，并且所述结构的纵横比在0.0004至0.4的范围内。本发明还涉及用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的方法，其中使用所述嵌件托架。
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公开(公告)号：CN102441826A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110291517.7
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
IPC: B24B7/17 , B24B7/22 , H01L21/304
Abstract: 公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法，其中，每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中，所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动，从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动，同时半导体晶片被处理以在两个转动的环形工作盘之间去除材料，所述环形工作盘包括工作层，且承载盘和/或半导体晶片在处理过程中以它们的表面的一部分暂时离开由工作盘限制的工作间隙，其中，承载盘在与所述工作间隙的中心平面大致共面延伸的运动平面上通过相应地包括环形区域的两个工作盘引导，所述环形区域不包含工作层，且确保在承载盘和/或半导体晶片从所述工作间隙偏移的过程中引导承载盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101412201B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810211134.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
CPC classification number: B24B37/28 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/32 , Y10T29/49
Abstract: 本发明涉及一种载体，其适于容纳一个或多个半导体晶圆以在精研、研磨或者抛光机中对该半导体晶圆进行加工，所述载体包括由具有高硬度的第一材料组成的核心，该核心完全或者部分由第二材料涂敷，该载体还包括至少一切口以用于容纳所述半导体晶圆，其中所述第二材料为具有20°-90°邵氏A硬度的热固性聚亚安酯弹性体。本发明另外还涉及一种用于涂敷载体的方法以及使用所述载体对多个半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法。
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公开(公告)号：CN102189471A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110060042.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02
CPC classification number: H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面，其中所用的抛光垫在与半导体晶片待抛光的表面接触的面上具有包含凸起的表面结构，且抛光垫不含发挥磨料作用的物质。
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公开(公告)号：CN101870085A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910204417.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
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公开(公告)号：CN101722447A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910174645.6
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
Abstract: 用于扁平工件的双面处理的装置包括上、下工作盘，至少一个工作盘可由驱动部件转动，工作盘之间形成工作间隙，至少一个承载盘设在工作间隙中，且具有用于至少一个待处理的工件的至少一个缺口，且该至少一个承载盘在其圆周上具有齿，若齿轮或销环中的至少一个转动，该承载盘通过齿在分别有多个轮齿结构或销结构的内、外齿轮或销环上滚动，承载盘的齿在滚动时与轮齿结构或销结构啮合，至少一个销结构有至少一个引导部，该引导部限制至少一个承载盘的边沿在至少一个轴向上的运动，一个引导部由在销结构的第一较大直径与第二较小直径之间绕着销结构的圆周延伸的至少一个肩部形成，另外的引导部由绕着销结构的圆周延伸的至少一个凹槽的侧表面形成。
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公开(公告)号：CN101269476A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810086098.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
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