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公开(公告)号：CN105203250B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510685795.9
申请日：2015-10-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种热式压力传感器，其包括：一基片，其形成有凹槽，所述凹槽的开口部设置有薄膜，所述薄膜将所述凹槽封闭为腔体，所述腔体中设置有热电偶和加热器所述热电偶分别位于所述加热器的内侧和外侧。与现有技术相比，本发明制作成本低、具有高集成度、体积小，节约空间，具有高灵敏度，测量压力的精度高。
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公开(公告)号：CN118921556A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411197041.4
申请日：2024-08-28
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司 , 美新半导体(绍兴)有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁位置传感器和防抖相机，所述磁位置传感器包括衬底；基于所述衬底形成的信号处理电路、驱动控制电路和TMR磁传感器；封装。所述TMR磁传感器能够感应垂直于所述衬底的表面的磁场，并将得到的磁场传感信号传输给所述信号处理电路，所述信号处理电路用于对所述磁场传感信号进行处理得到处理后的磁场传感信号，所述驱动控制电路根据来自所述信号处理电路的处理后的磁场传感信号输出驱动电流，所述驱动电流使得音圈马达带动镜头模组移动，从而实现对所述镜头模组抖动的补偿，同时又能降低防抖的实现成本。
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公开(公告)号：CN118914939A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411197305.6
申请日：2024-08-28
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司 , 美新半导体(绍兴)有限公司
Abstract: 本发明提供一种三轴霍尔磁传感器，其包括：衬底；形成于衬底上的掺杂阱，其中所述掺杂阱包括沿第一方向延伸的第一掺杂条以及沿与第一方向垂直的第二方向延伸且与第一掺杂条垂直相交的第二掺杂条；形成于第一掺杂条和第二掺杂条交接处的第一电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极一侧的第二电极和第三电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极另一侧的第四电极和第五电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极一侧的第六电极和第七电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极另一侧的第八电极和第九电极。这样，可以通过单个霍尔器件实现三轴磁场的探测。
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公开(公告)号：CN113816331B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111177122.4
申请日：2021-10-09
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被完全密封；第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；若干通孔，其贯穿所述盖板至第二腔体；密封薄膜，其贴附在所述盖板远离所述半导体部件的一侧表面上，以密封所述若干通孔，使所述第二腔体完全密封。与现有技术相比，本发明不仅可以实现双腔体不同气压的封装，而且还可以大大降低封装成本。
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公开(公告)号：CN117268254A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311399408.6
申请日：2023-10-25
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明公开了一种磁角度传感器，其包括：至少一个磁阻传感器，每个磁阻传感器被配置的生成反应磁场的角度的第一传感信号，第一传感信号的周期为180度；一对霍尔传感器，每个霍尔传感器被配置的生成反应磁场的角度的第二传感信号，第二传感信号周期为360度。根据第一传感信号得到所述磁场在180度范围内的高精度的角度值，根据两个第二传感信号和所述磁场在180度范围内的高精度的角度值得到所述磁场在360度范围内的高精度的角度值。这样，可以将所述磁阻传感器的测量范围从180度扩展到360度，并保持所述磁阻传感器的高精度角度探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117192446A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311040585.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种三轴磁传感器，其包括：各向异性磁电阻传感器，其用于感测相互正交的X轴方向和Y轴方向的外磁场以产生X轴感测电压和Y轴感测电压；水平霍尔传感器，其用于感测Z轴方向的外磁场以产生Z轴感测电压，Z轴感测电压表示感测到的外磁场Z轴方向的磁场分量，Z轴与X轴和Y轴相互正交；信号处理电路，其与各向异性磁电阻传感器和水平霍尔传感器电性连接，信号处理电路用于将X轴感测电压转换为X轴方向的磁场分量，将Y轴感测电压转换为Y轴方向的磁场分量，将Z轴感测电压转换Z轴方向的磁场分量。与现有技术相比，本发明将磁阻技术与霍尔技术相结合，采用完全的平面工艺制造三轴磁传感器，从而降低了工艺制造的难度。
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公开(公告)号：CN113310583A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110705145.1
申请日：2021-06-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种红外热电堆传感装置，其包括基于衬底形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括：悬空薄膜，其悬置于所述衬底的空腔之上；多个热电偶，其设置于所述悬空薄膜中，所述热电偶的热端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的热端位于所述悬空薄膜的内侧；所述热电偶的冷端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的冷端位于所述悬空薄膜的外边缘；高热导率填充区，其设置于所述悬空薄膜的外侧，其紧邻所述热电偶的冷端，且跨过所述衬底的空腔的边界，并且延伸至所述衬底上。与现有技术相比，本发明不仅可以与标准CMOS工艺兼容，而且还可以使红外热电堆的热学参数不敏感工艺偏差，提高器件性能一致性。
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公开(公告)号：CN111795750A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010706869.3
申请日：2020-07-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种红外热电堆传感装置，其包括基于基底层形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括吸收区，所述基底层上形成有空腔，所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上，所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，所述第一金属层相较于第二金属层更靠近所述基底层的空腔，所述吸收区的介质层位于第一金属层和第二金属层之间，所述吸收区的第二金属层被图形化以形成预定图形。这样，通过将金属层制作成预定图形来增强红外吸收率，调整特定波长吸收率，从而提高红外热电堆传感装置的性能。
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公开(公告)号：CN105552054B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201610078264.8
申请日：2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶圆级封装结构及其制造方法，晶圆级封装结构包括：堆叠圆片，其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并位于第二半导体圆片的第二表面；与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面；重分布层，其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方，其包括多个连接部和/或多个焊垫部，且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比，本发明可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
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公开(公告)号：CN216595182U
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202121928408.7
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种Z轴加速度计，其包括：衬底；质量块，其悬置于所述衬底上方，且所述质量块被分界线划分为第一区域和第二区域，其中，所述质量块的第一区域和第二区域关于所述分界线对称分布，所述质量块的第一区域和第二区域的厚度不一致，以使所述质量块的第一区域和第二区域的质量不同，从而使所述质量块以所述分界线为轴发生类似跷跷板式运动。与现有技术相比，本实用新型不仅有效的节省了芯片面积，降低了成本，而且还大大提升了抗外界干扰能力，进而提高Z轴检测精度。
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