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公开(公告)号：CN119153324A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411333629.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/266 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路，涉及半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上表面形成具有刻蚀窗口的硬掩膜层；利用刻蚀窗口对衬底进行至少一次衬底刻蚀，形成目标深沟槽；衬底刻蚀的步骤包括：通过刻蚀窗口对衬底进行多次离子注入，形成改性区；改性区设计尺寸与子目标沟槽设计尺寸相同；离子注入角度逐渐增大；刻蚀改性区，形成子目标沟槽；若子目标沟槽的深度小于目标深沟槽的深度，进行下一次衬底刻蚀；衬底刻蚀强度逐渐增大；若子目标沟槽的深度等于目标深沟槽的深度，将该子目标沟槽作为目标深沟槽。通过本发明，能够减少深沟槽的槽壁倾斜，提高深沟槽的刻蚀均匀性，改善深沟槽的形貌，提升器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119132946A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411222832.8
申请日：2024-09-02
Applicant: 四川禾丰光芯科技有限公司
IPC: H01L21/3065 , C25D1/00 , H01L21/308 , H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种具有加固结构的薄硅微模具及其制造方法。该微模具由一层厚度小于300微米的薄硅模具层构成，并通过一个机械刚性强且结构稳固的加固件支撑；所述薄硅模具层具有高深宽比的预结构化沟槽、空腔、开口、管道或通孔，被封装并悬置在刚性的加固结构内；所述加固结构选择性地支撑部分或全部薄硅微模具。该薄硅微模具可以方便地使用和堆叠，通过连接、电镀和移除微模具在单独的接收基板上模制单层或多层微结构。本发明通过将薄硅微模具封装并悬置在刚性框架中，显著提高了薄硅微模具的机械强度和平整性，有效防止其由热循环和内部应力引起的尺寸变形，提升了微结构成型的精度和产率，拓宽了其在多层微结构模具中的应用。
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公开(公告)号：CN117672841B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202311653726.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、刻蚀晶向寻找：通过硅晶圆中心初步预刻蚀来观察目标刻蚀晶向；S3、掩膜制备：通过热氧化在所述硅片晶圆的表面制备出SiO2掩膜，再用光刻机制备定向刻蚀胶层图案；S4、碱性湿法刻蚀：将所述目标硅片晶圆浸泡在KOH和TMAH混合液中刻蚀；S5、制备玻璃保护层：去除刻蚀后的表面杂质并依次进行离心洗涤与真空干燥，随后在其表面浇筑熔融玻璃以保护所述硅片晶圆。本发明的硅柱阵列的器件连接结构的制造方法制造效率高，质量好，可靠性高，生产成本低。
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公开(公告)号：CN118974895A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031866.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/308 , C23F1/30 , H01L21/306
Abstract: 提供一种表面张力为60mN/m以上且75mN/m以下、包含鎓离子的过滤用润滑剂等。此外，提供一种包含鎓离子和次卤酸离子的研磨用组合物、包含与金属氧化物离子或金属氢氧化物离子配位的鎓离子的金属回收剂等。
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公开(公告)号：CN118782507B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411267836.8
申请日：2024-09-11
Applicant: 苏州矩阵光电有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种用于晶圆分区腐蚀的隔离网筒及腐蚀方法，隔离网筒包括：筒壁，用于套设于晶圆外围，并与晶圆共同被真空吸附台吸附固定；隔离网壁，固定于筒壁内，用于将晶圆表面分隔成多个相互独立的腐蚀区域，当筒壁被真空吸附台固定时，隔离网壁延伸至晶圆表面上方，并与晶圆表面具有间距以形成非接触气隙，非接触气隙被配置为当腐蚀液进入某一个腐蚀区域时，基于液体表面张力使得腐蚀液不会进入到相邻的腐蚀区域。本发明可以有效实现晶圆表面腐蚀的分区精密控制，满足更精密的控制更严格的晶圆均匀性要求，且不会造成晶圆表面划伤和相邻区域腐蚀液混合而无法区分的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118915386A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410529694.1
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 崔世一
IPC: G03F7/004 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物，包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层，以及使用包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层形成图案的方法，硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物和溶剂，[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118888439A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202310454221.5
申请日：2023-04-24
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: H01L21/308
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法。该方法包括：提供衬底，衬底包括芯片区域和切割道区域；在衬底上形成第一掩膜图案层，其包括多个目标环状图案，每个目标环状图案包括位于芯片区域中且沿第一方向延伸的两个目标长条状图案，目标长条状图案在芯片区域中间隔排布；在第一掩膜图案层上形成第二掩膜图案层，第二掩膜图案层包括阵列排布的多个目标孔状图案；在第二掩膜图案层上形成第三掩膜图案层，其包括用于在芯片区域中限定出阵列区域的开口图案；以第三掩膜图案层、第二掩膜图案层和第一掩膜图案层为掩膜，逐层刻蚀，在衬底的阵列区域中形成阵列排布的多个第一有源区。本公开的方法能够确保位于阵列区域的边缘部分的图案的一致性。
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公开(公告)号：CN118830065A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025248.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 上林哲
IPC: H01L21/312 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 一种前处理用组合物，是在使用保护膜形成用组合物在半导体基板上形成保护膜前，涂布在上述半导体基板上的前处理用组合物，其含有选自具有芳香族环和芳香族性羟基的化合物、有机还原剂、和螯合剂中的至少1种化合物(A)、以及溶剂(B)。
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公开(公告)号：CN114093763B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111397145.6
申请日：2021-11-23
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/762 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，第三介质层具有初始开口；形成第一沉积层，第一沉积层至少覆盖初始开口的侧壁表面；刻蚀第一开口正下方的第二介质层，至暴露出第二介质层的侧壁；形成第二沉积层，第二沉积层至少覆盖第一开口的侧壁和暴露出的第二介质层的侧壁；刻蚀第二开口正下方的第一介质层至暴露出衬底；刻蚀衬底，形成沟槽。本发明将沉积与刻蚀工艺分离，形成第一沉积层，以缩小待刻蚀的第二介质层的宽度；形成第二沉积层，以缩小待刻蚀的第一介质层的宽度，逐层传递以缩小最终形成的沟槽的关键尺寸；以较低成本形成小尺寸的深沟槽隔离(DTI)，提升了成像质量。
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公开(公告)号：CN118676036A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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