公开(公告)号：CN113237032B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202110581585.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  春日井秀纪

IPC: F21S41/16 ,  F21S41/176 ,  F21S41/19 ,  F21S41/20 ,  F21S41/25 ,  F21S41/32 ,  F21S41/365 ,  F21S41/39 ,  F21S45/70 ,  F21V7/24 ,  F21V9/32 ,  F21V9/38 ,  F21V9/45 ,  F21V13/14 ,  G02B5/02 ,  G02B27/10 ,  H01L33/50 ,  H01S5/00 ,  F21Y115/30

Abstract: 射光(93)的强度比，第二波长转换部(36)比第一光源装置(100)，具备射出相干的激励光 波长转换部(35)低。导体发光装置(10)分离，对从半导体发光装置(10)射出的激励光(81)进行波长转换来产生荧光(94)，并且，使激励光(81)散射来产生散射光(93)的波长转换元件(30)，波长转换元件(30)具备支撑部件(32)、以及配置在支撑部件(32)的波长转换部(38)，波长转换部(38)具有，第一波长转换部(35)，以及被配置在第一波长转换部(35)的周边，在对配置有波长转换部(38)的支撑部件(81)的半导体发光装置(10)，以及被配置为与半

公开(公告)号：CN117280477A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202380011171.1

申请日：2023-01-18

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 大辻通也 ,  中村浩尚 ,  大河亮介 ,  安田英司

IPC: H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有低浓度杂质层(33)、体区域(18)、在与低浓度杂质层(33)的上表面平行的第1方向上延伸的栅极沟槽(17)、形成在栅极沟槽(17)的内部的栅极绝缘膜(16)和形成在栅极绝缘膜(16)上的栅极导体(15)，体区域(18)包括将有源区域包含在内且深度为一定的第1体部分(181)、以及与第1体部分(181)邻接、以在低浓度杂质层(33)的上表面中与第1方向正交的第2方向上为有限的长度而具有在比第1体部分(181)的深度浅的位置为一定的区间的第2体部分(182)，第2体部分(182)在与第2方向垂直的平面的剖视中具有沿着第1方向交替且周期性地出现杂质相对为高浓度的区域和相对为低浓度的区域的部分。

公开(公告)号：CN114883323B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202210553406.7

申请日：2019-01-25

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 吉田一磨 ,  大河亮介 ,  井上翼

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L23/31 ,  H10N97/00

Abstract: 本公开涉及的一种半导体装置是面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置，在电池的充放电电路中，被用于1A以上的瞬时充放电的电流控制，且该半导体装置在硅基板上形成有多个元件，所述半导体装置具有串联连接电路，该串联连接电路由相互并联连接的多个电阻元件、与在所述瞬时充放电时瞬时成为导通状态的晶体管元件不经由其他元件地串联连接而成，所述半导体装置的厚度是250μm以上，构成所述串联连接电路的全部元件被形成在所述硅基板上。

公开(公告)号：CN116250076A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202280006532.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 山本兴辉 ,  高田晴久

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备半导体层(40)和形成在半导体层(40)内的N(N是3以上的整数)个纵型MOS晶体管；N个纵型MOS晶体管分别在半导体层(40)的上表面具备与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；半导体层(40)具有半导体衬底(32)；半导体衬底(32)作为N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；半导体层(40)的平面图中的N个纵型MOS晶体管各自的面积与N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应，最大规格电流越大则越大。

公开(公告)号：CN115956297A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202180050391.6

申请日：2021-10-21

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 太田朋成 ,  田口晶英 ,  中山佑介 ,  中村浩尚

IPC: H01L29/78

Abstract: 在第1沟槽(17)延伸的第1方向(Y方向)上交替地且周期性地设置有第1源极区域(14)、和第1体区域(18)与第1源极电极(11)连接的第1连接部(18A)的第1纵型场效应晶体管(10)中，设第1方向上的第1源极区域(14)的长度为LS[μm]，设第1方向上的第1连接部(18A)的长度为LB[μm]，则LS相对于LB的比是1/7以上且1/3以下，对于以第1源极电极(11)的电位为基准向第1栅极导体(15)施加的半导体装置(1)的规格值的电压VGS[V]，LB≤－0.024×(VGS)2+0.633×VGS－0.721成立。

公开(公告)号：CN115917651A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180043696.4

申请日：2021-06-14

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 河合贤 ,  片山幸治

IPC: G11C13/00

Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置具备：电阻变化元件(RSE)，能够可逆地变化为高电阻状态和低电阻状态；以及电流供给电路(24)，对电阻变化元件通电用于使电阻变化元件从高电阻状态变化为低电阻状态的低电阻化电流，低电阻化电流的电流波形在时间轴上具有第1期间和接着第1期间的第2期间，低电阻化电流在第1期间对电阻变化元件施加第1电流，在第2期间对电阻变化元件施加比第1电流小的第2电流，第1期间结束时的第1电流不为0，第2期间开始时的第2电流不为0。

公开(公告)号：CN113242957B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201980082769.3

申请日：2019-12-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 尾关俊明 ,  松川和生 ,  加藤匠 ,  大谷充彦

IPC: G01C3/06 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4865 ,  G01S7/4863 ,  H03L7/081

Abstract: 测距摄像装置(1)具备：定时控制部(100)，输出1个以上的定时信号；受光部(204)，接受从光源(203)发出的光由被摄体反射的反射光，输出在到被摄体的测距中使用的信号；以及相位调整电路(2)，基于1个以上的定时信号，输出为了从光源(203)向被摄体发出光而使用的发光控制信号、和为了使受光部(204)的曝光开始而使用的曝光控制信号中的至少一方的信号；相位调整电路(2)具有1个以上的DLL电路，该1个以上的DLL电路决定与1个以上的定时信号中的至少1个定时信号对应的上述至少一方的信号的上升边沿和下降边沿中的至少一方的相位。

公开(公告)号：CN111434107B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN201880073981.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 角谷范彦 ,  东阳介

IPC: H04N25/772 ,  H04N25/778 ,  H04N25/779 ,  H04N25/78 ,  H03M1/08 ,  H03M1/12

Abstract: 一种固体摄像装置，具备：锁存电路(213)，保持像素数据中的1比特的数字信号；驱动器电路(214)，将保持在锁存电路(213)中的所述数字信号输出到读取位线对(RBL、NRBL)；感测放大器(210)，与读取位线对(RBL、NRBL)连接；以及选择器电路(112)，选择将从感测放大器(210)输出的数字信号进行正转输出还是反转输出。

公开(公告)号：CN115552743A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180033867.5

申请日：2021-05-12

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  山中一彦 ,  富士原洁 ,  吉田真治

IPC: H01S5/02253 ,  G02B6/42 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/40

Abstract: 光源模块(1)具有被气密密封的第1半导体激光元件(11)、被气密密封的第2半导体激光元件(12)、以及第1～4光学元件(310、320、330和340)。到达第1光学元件(310)为止的第1激光束(L11)具有第2光轴(F1)的方向上的发散角θfd1、以及第3光轴(S1)的方向上的发散角θsd1，且满足90°＞θfd1＞θsd1＞0。从第1光学元件(310)射出的第1激光束(L12)的第2光轴(F1)的方向上的发散角θfd12从发散角θfd1开始减小。从第2光学元件(320)射出的第1激光束(L14)的第2光轴(F1)的方向的成分被校准。关于第2半导体激光元件(12)也是同样。

公开(公告)号：CN115332064A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210985262.2

申请日：2021-02-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  太田博昭 ,  松岛芳宏

IPC: H01L21/304

Abstract: 单片化方法包括：第1工序，在晶片上表面形成表面保持膜；第2工序，将晶片下表面减薄加工；第3工序，除去表面保持膜；第4工序，在减薄加工后的晶片下表面形成第1金属层和第2金属层；第5工序，向第2金属层下表面粘贴切割带；第6工序，对晶片上表面实施亲水性提高处理；第7工序，在晶片表面形成水溶性保护层；第8工序，向晶片上表面的规定区域照射激光，切断第1金属层和第2金属层；第9工序，除去水溶性保护层；第1金属层厚度为30μm以上60μm以下，第2金属层厚度为10μm以上40μm以下，第1金属层的杨氏模量为80GPa以上130GPa以下，第2金属层的杨氏模量为190GPa以上220GPa以下；第8工序中照射第1激光而切断第1金属层，之后照射第2激光而切断第2金属层。