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公开(公告)号：CN102544032B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
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公开(公告)号：CN102104072B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010227417.3
申请日：2010-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
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公开(公告)号：CN101681925A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880021283.0
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。
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公开(公告)号：CN101335301A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165676A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410581593.9
申请日：2024-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种相位调制器件，包括：上反射层，入射光入射到该上反射层上；下反射层，设置在上反射层的下部上；有源层，设置在上反射层和下反射层之间；第一电极，连接到有源层的上表面；以及第二电极，连接到有源层的下表面，其中下反射层可以包括第一分布式布拉格反射器(DBR)层，该第一DBR层包括交替堆叠的至少一个第一低折射材料层和至少一个第一高折射材料层，至少一个第一低折射材料层具有第一折射率，并且至少一个第一高折射材料层具有大于第一折射率的第二折射率，有源层可以包括具有第三折射率的材料，第三折射率大于至少一个第一低折射材料层的第一折射率。
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公开(公告)号：CN111158170A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910564468.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种光学调制设备、光学调制设备的操作方法和包括光学调制设备的装置。光学调制设备可以包括：反射镜区域；纳米天线区域；以及位于反射镜区域和纳米天线区域之间的有源区域，用于改变有源区域的物理性质的多个第一电极和多个第二电极可以彼此交叉以形成交叉点阵列结构。多个第一电极可以包括在反射镜区域中，或者可以与反射镜区域分开设置。多个第二电极可以包括在纳米天线区域中，以及可以与纳米天线区域分开设置。
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公开(公告)号：CN106918927A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611165925.7
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02B5/008 , G02F1/19 , G02F1/292 , G02F1/2955 , G02F2202/30 , G02F2203/12 , G02F1/0102 , G02F1/0121
Abstract: 本公开提供包括介质天线的光调制器件以及光学装置。一种光调制器件包括介质天线和折射率可变层，该折射率可变层面对介质天线并包括具有根据信号而变化的折射率的材料。由于介质天线的共振特性根据折射率可变层的折射率变化来控制，所以光可以被调制。
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公开(公告)号：CN102130177B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
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