公开(公告)号：CN107623026B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201710551971.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 安田佳史 ,  永冈达司 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

公开(公告)号：CN109075196A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680082465.3

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。该元件的半导体衬底包括：第二导电类型的底部区，其在沟槽的底表面处与栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，其从与体区的下表面接触的位置延伸到与底部区的下表面接触的位置，并且在体区的下侧与栅极绝缘层接触。底部区包括：低浓度区，其在底表面之中的位于沟槽在纵向上的端部处的第一范围中与栅极绝缘层接触；以及高浓度区，其在底表面之中的与第一范围相邻的第二范围中与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN108364861A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。

公开(公告)号：CN107623026A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710551971.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 安田佳史 ,  永冈达司 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

公开(公告)号：CN103635615B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280023709.2

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  浦上泰 ,  安达步

IPC: C30B29/36 ,  H01L29/161

CPC classification number: H01L29/30 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明为具有基底面位错的直线性高并且基底面位错向结晶学上等价的三个 方向取向的一个或两个以上的取向区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生长来制造。