公开(公告)号：CN106796888A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201680002307.2

申请日：2016-02-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  粟田英章

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种半导体器件，包括：栅电极(2)；设置在栅电极(2)的正下方或正上方的区域中的沟道层(7)；设置为与沟道层(7)接触的源电极(5)和漏电极(6)；以及设置在栅电极(2)和沟道层(7)之间的第一绝缘层(3)，沟道层(7)包括第一氧化物半导体，源电极和漏电极中至少一个包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含铟、钨和锌。还提供一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106164016A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580019472.4

申请日：2015-10-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  绵谷研一

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN103875077B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280049140.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  栗巢贤一 ,  安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN105745183A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201580002686.0

申请日：2015-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN103608310A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029318.1

申请日：2012-06-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C01G9/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN101078613B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710103255.0

申请日：2007-05-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 粟田英章 ,  江村胜治 ,  吉田健太郎

IPC: G01B7/06 ,  C23C14/00 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/562

Abstract: 在用于连续测量涂层的厚度的测量机构中，该测量机构设置在用于在导电细长基底材料(1)被供给的同时在该基底材料(1)上形成涂层的设备中，用于测量涂层的电容的探测部分(4、8)布置在基底工作站之前和之后，在探测部分(4、8)施加到基底材料(1)的张力被设定成大于在基底工作站施加到基底材料(1)上的张力。从而，在基底材料(1)被连续供给的同时在细长基底材料(1)上形成涂层的过程中，供给速度的变动被抑制，在供给过程中在厚度探测部分(4、8)处沿厚度方向的测量表面的摆动被最小化，且可以高精度测量涂层的厚度。