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公开(公告)号：CN1132233C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98108961.5
申请日：1998-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种等离子体处理方法，包括步骤：通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的第二高频电源的功率要低的第二高频电源，然后再向该处理室馈送功率比处理过程中的第一高频电源高的第一高频电源，以生成等离子体；减小所述第一高频电源的强度，使之降到处理过程中第一高频电源的功率值的100-200%，提高所述第二高频电源的强度，使之升到处理过程中第二高频电源的功率值的70-100%，然后再调节所述第一高频电源的强度，以获得预定值的等离子体强度；使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作，同时调节所述第一高频电源的值，以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。
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公开(公告)号：CN1124365C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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公开(公告)号：CN1316547A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01111389.8
申请日：2001-01-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32532
Abstract: 双层结构的电功率供给电极306包括用单个平板构成的没分隔开的电极102和设在没分隔开的电极102上的6个分隔开的电极101，与设在真空室302中的放电室305的上边上的没分隔开的电极电接触，使电功率供给电极平行面对条形衬底301。按形成平面的方式设置分隔开的电极101，面对条形衬底301的分隔开的电极101的表面与条形衬底301之间的距离均匀。面对条形衬底301的分隔开的电极101的表面总面积与其上安装分隔开的电极101的没分隔开的电极102的面积相同。于是提高了形成淀积膜的设备中产生的等离子体的均匀性，降低了形成淀积膜所需的成本。
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公开(公告)号：CN1315587A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN01111320.0
申请日：2001-01-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32532
Abstract: 一种成膜装置,包括：一个真空腔,一个能量施加电极,一个通过它可以把原材料气体引入所述真空腔的原材料气体引入部分,和一个通过它将所述的真空腔排空的排气部分,所述的能量施加电极被设置成与所述真空腔中的用于成膜的基底相对,其特征在于：至少所述的原材料气体引入部分或所述的排气部分设有一个厚度适宜的用于阻挡所述等离子体的开口调节元件,而且使所述的能量施加电极与所述的开口调节元件放置的位置满足a或c≥b的等式,其中,a是所述能量施加电极与在所述原材料气体引入部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,c是所述能量施加电极与在所述排气部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,b是所述基底和与所述基底表面相对的所述能量施加电极的水平面之间的平均距离。一种采用所述成膜装置的成膜方法。
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公开(公告)号：CN1260599A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99127779.1
申请日：1999-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67236 , H01L21/67253 , H01L21/6776
Abstract: 一种衬底处理方法,包括输送衬底通过相互连通的多个处理空间,并在其中处理所述衬底的步骤,其中根据作为所述多个处理空间之一的处理空间(a)的内压来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压。以及一种衬底处理设备,包括多个处理空间、衬底输送装置和压力计,其中,所述衬底处理设备具有用于根据从所述压力计获得的信息,来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压的控制单元。
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公开(公告)号：CN1255554A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99125440.6
申请日：1999-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/513 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32532
Abstract: 淀积膜形成系统具有:至少一个真空容器;向真空容器输送膜形成用原料气体的装置;使原料气体成为等离子体的放电电极;以及供电导体,将高频功率施加至放电电极,该系统包括:接地屏蔽,在真空容器内围绕供电导体设置;和多个电介质材料部件,它们的至少部分设置在供电导体和接地屏蔽之间。还公开了采用这种淀积膜形成系统的方法。可以长时间地维持大面积均匀放电,并且可以在连续移动的带状基片上形成非常均匀的高质量淀积膜。
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公开(公告)号：CN1212456A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98108961.5
申请日：1998-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种等离子体处理方法,包括步骤:通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的功率要低的第二高频电源,然后再向该处理室馈送功率比处理过程中高的第一高频电源,以生成等离子体;减小所述第一高频电源的强度,使之接近处理过程中的值,提高所述第二高频电源的强度,也使之接近处理过程中的值,然后再调节所述第一高频电源的强度,以获得预定值的等离子体强度;使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作,同时调节所述第一高频电源的值,以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。
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公开(公告)号：CN1186347A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1163944A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97104502.X
申请日：1997-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/481 , C23C16/545
Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是，大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1158912A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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