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公开(公告)号：CN106019810A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610195663.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明提供半色调相移掩模坯，包括透明基板和半色调相移膜，该半色调相移膜由具有至少90at％的Si+N+O含量、30-70at％的Si含量、30-60at％的N+O含量和30at％以下的O含量的硅基材料组成，并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄，在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。
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公开(公告)号：CN103424980B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310182376.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN105425534A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510575349.2
申请日：2015-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯包括含有选自由氮、氧、碳和氢组成的组中的至少一种的铬系材料膜作为硬掩模膜，其中每单位膜厚度的蚀刻速率之比(A/B)在0.7-0.9的范围内，并且该铬系材料膜具有对应于70nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有耐蚀刻性提高并且膜应力降低的铬系材料的薄膜的光掩模坯。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
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公开(公告)号：CN103424986A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182369.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B29C33/3842 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C15/00 , C03C17/00 , C03C17/23 , C03C17/3665 , C04B35/047 , C04B35/105 , C04B35/12 , C04B35/56 , C04B35/58 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及模具制作用坯料及模具的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的硬掩模膜的硬掩模功能的同时通过提高该硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新技术。设置在衬底(1)上的硬掩模膜(2)由含有锡的铬系材料形成。对于构成硬掩模膜(2)的含有锡的铬系材料而言，对氟类干蚀刻条件的蚀刻耐性与不含锡的铬系材料膜的蚀刻耐性同等或者在其以上，而且在氯类干蚀刻条件下显示出与不含锡的铬系材料膜相比显著高的蚀刻速度。结果，氟类干蚀刻的时间缩短而减轻对抗蚀剂图案的损伤，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN109782527B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811342214.1
申请日：2018-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108415218B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810125208.4
申请日：2018-02-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。
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公开(公告)号：CN107870507B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710900085.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30‑70at％的Si含量，30‑60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。
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公开(公告)号：CN106502043B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201610791249.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN113874784A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080039879.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯，其中，抗蚀剂膜相对于含有铬的膜的密合性高，在辅助光掩模的主要图案的分辨率的、线图案的辅助图案的形成中能够实现良好的分辨率极限、良好的CD线性度。光掩模坯(511)在基板上包括被加工膜(21)；从与基板分离的一侧起，包括第1层(311)、第2层(312)和第3层(313)，第1层(311)含有氧和氮，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为50原子％以上，氮含有率为10原子％以下，厚度为6nm以下，第2层(312)含有氧、氮和碳，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为17原子％以上，碳含有率为13原子％以下，厚度为46nm以上，第3层(313)含有氧和氮，铬含有率为50原子％以上，氧含有率为20原子％以下，氮含有率为30原子％以上。
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公开(公告)号：CN106324978B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610509880.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
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