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公开(公告)号：CN107341568B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710469384.5
申请日：2017-06-20
IPC: G06Q10/04
Abstract: 本发明涉及风暴增水预测领域，尤其涉及一种台风风暴增水预测方法及系统。本发明通过台风当前的经纬度坐标和当前台风信息，得到第一时间后台风中心所位于的圆区域，将圆区域细分为若干个网格子区域，并根据台风的经过衰减或增强后的预报台风信息，对所有网格子区域的顶点经纬度坐标，获取预设本地信息数据库中相应的风暴增水数据；本发明提高了各个网格子区域顶点经纬度坐标和预报台风信息对应的风暴增水数据的预测精度，并且能够满足风暴潮精细化预报和政府防灾决策的需求。
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公开(公告)号：CN107193060B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710469737.1
申请日：2017-06-20
IPC: G01W1/10
Abstract: 本发明涉及风暴潮预测领域，尤其涉及一种多路径台风风暴潮快速预测方法一种多路径台风风暴潮快速预测方法及系统。本发明通过当前台风的当前台风信息，能够得到第一时间后的台风影响的圆区域，通过将圆区域划分为若干个网格子区域，并根据所有所述网格子区域的顶点所在的经纬度坐标和当前台风信息，得到当前台风的多条预测移动路径，根据事先预设好的本地信息数据库，按照预设时间间隔获取所述第一时间内台风从当前台风中心所在位置沿着每一条预测移动路径移动过程中台风中心所在的经纬度坐标对应的风暴增水数据。本发明提高了每一条预测移动路径上台风风暴增水预测的精确度；同时能够满足风暴潮精细化预报和政府防灾决策的需求。
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公开(公告)号：CN107193060A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710469737.1
申请日：2017-06-20
IPC: G01W1/10
Abstract: 本发明涉及风暴潮预测领域，尤其涉及一种多路径台风风暴潮快速预测方法一种多路径台风风暴潮快速预测方法及系统。本发明通过当前台风的当前台风信息，能够得到第一时间后的台风影响的圆区域，通过将圆区域划分为若干个网格子区域，并根据所有所述网格子区域的顶点所在的经纬度坐标和当前台风信息，得到当前台风的多条预测移动路径，根据事先预设好的本地信息数据库，按照预设时间间隔获取所述第一时间内台风从当前台风中心所在位置沿着每一条预测移动路径移动过程中台风中心所在的经纬度坐标对应的风暴增水数据。本发明提高了每一条预测移动路径上台风风暴增水预测的精确度；同时能够满足风暴潮精细化预报和政府防灾决策的需求。
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公开(公告)号：CN100514680C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710008793.1
申请日：2007-04-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n+型4H-SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n+型缓冲层、超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层、低掺杂n-型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层和低掺杂n-型层共同构成有源层；设有3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。
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公开(公告)号：CN119743957A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411961485.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种碳化硅MOS存储器件及其制备方法，属于半导体存储器件领域。包括以下步骤:a.对碳化硅外延片进行有机和无机清洗；b.通过化学反应、化学气相沉积、物理气相沉积在SiC外延片上沉积SiO2薄膜；c.通过原子层沉积在SiO2薄膜上(或直接在SiC外延片上)沉积Al2O3/AlN/AlON薄膜；d.对通过上述步骤生成的栅介质进行氩气退火并且冷却或不退火；e.在栅介质层溅射或蒸镀金属栅电极和背面电极，形成MOS器件结构。通过向栅电极施加不同大小的正电压，向栅介质层中的随能级分布的陷阱填充电子，和向栅极施加负电压同时施加紫外光产生空穴复合栅介质中的电子实现可控数量电荷的存储和释放。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116154030A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310205107.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 厦门大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构，p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构，p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应，再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号，避免光生载流子复合问题，提高光生载流子收集效率，提高极紫外和深紫外波段信号探测效率，获得更高器件响应度。
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公开(公告)号：CN114927559A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210555055.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种新型碳化硅基超结沟槽型MOSFET及制备方法，涉及半导体SiC材料。MOSFETs在沟槽p型屏蔽层和p体区下方增加3个p+柱区和2个n+柱区，从而形成半超结结构。正向导通时，电流沿着n柱区自上而下流动，n柱区的存在增加电流路径中载流子的浓度，使器件具有更好的正向导通特性；反向阻断时，超结结构能够达到基本的电荷平衡形成耐压更高的类本征半导体，另外在局部区域，三角形电场转化为梯形电场。在相同的雪崩电场下相比于传统结构击穿电压更高。因此，这一结构缓解p型屏蔽层拐角处的电场拥挤效应，同时能增加通态电流和减小通态电阻。
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公开(公告)号：CN114242771A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111443699.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构，属于碳化硅功率半导体领域。提供结合碳化硅材料特性，通过顶部栅极挖孔，来实现透光，同时通过在JFET区域的底部进行高掺来实现同种掺杂的耗尽层，从而产生更多光生载流子的一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构。适用于双极型器件IGBT和单极型器件碳化硅MOSFET，由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区/N型掺杂衬底、N型掺杂场终止层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂JFET区、N型低掺杂JFET区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极/漏电极。可应用于600V以上高压领域，采用光增强结构，导通特性好。
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公开(公告)号：CN112117337A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011012078.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
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公开(公告)号：CN100447583C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710008768.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n+型4H-SiC衬底，在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层，SiO2层厚度为d1＝λ/2n1，Al2O3层厚度为d2＝λ/4n2，λ为光波长，n1、n2为SiO2、Al2O3的折射率。制备时，清洗衬底；将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体；封闭蒸发腔腔体，抽真空，真空度至少3.0×10-3Pa；预熔蒸发源，同时通氧气，用电子束轰击蒸发源进行镀膜；对蒸发腔放气降温至室温，取出样品。
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