公开(公告)号：CN102918626A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026306.9

申请日：2011-05-13

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  御子柴茂生

IPC: H01J61/06 ,  H01J61/067

CPC classification number: H01J1/13 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/81 ,  H01J1/142 ,  H01J1/16 ,  H01J61/06 ,  H01J61/0672 ,  H01J61/0675

Abstract: 本发明涉及一种电极，其为热阴极荧光灯用电极，其中，具有：发射热电子的主体部、支撑该主体部的导电性支撑体和与导电性支撑体电连接的引线，所述主体部不具有灯丝结构，并且由作为柱状或块状的块体材料的导电性钙铝石化合物构成。

公开(公告)号：CN100339338C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410069982.6

申请日：2004-07-16

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 宫川直通 ,  篠原伸广 ,  渡边俊成

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/584 ,  B01D39/20

CPC classification number: C04B33/14 ,  B01D67/0041 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/18 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/22 ,  B01D2325/30 ,  C04B35/573 ,  C04B35/591 ,  C04B38/0032 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B35/584 ,  C04B38/0025 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074 ,  C04B38/067 ,  C04B38/08

Abstract: 本发明提供一种以金属硅粒子作为起始原料，最适于高强度除尘和脱尘的氮化硅质过滤器的制造方法。它是通过在氮中对含有60-95质量%的金属硅粒子和5-40质量%的气孔形成材料的成形体进行热处理以制得实质上金属硅被氮化的氮化硅，原料的金属硅粒子是粒径为5-100μm的粒子占全部金属硅粒子中的70质量%以上并且平均粒径为10-75μm的粒子。更加适合的是，在上述成形体中包含含有选自Mg、Ca、Fe及Cu中的1种以上的金属元素的无机酸盐、有机酸盐以及氢氧化物中的1种或1种以上。

公开(公告)号：CN105283579A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033195.8

申请日：2014-06-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  渡边俊成 ,  光井彰

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/44

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm-3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。

公开(公告)号：CN104684868A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380050813.5

申请日：2013-09-25

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: C04B35/44 ,  C01F7/00 ,  C01F7/16

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01F7/002 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。

公开(公告)号：CN104684867A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380050772.X

申请日：2013-09-25

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: C04B35/44 ,  C01F7/00 ,  C01F7/16 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01F7/002 ,  C01F7/164 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664

Abstract: 本发明提供一种导电性钙铝石化合物的制造方法，包括(a)准备被处理体的工序，上述被处理体含有钙铝石化合物或钙铝石化合物前体，和(b)在含有铝化合物以及一氧化碳(CO)气体的还原性气氛中、在1080℃～1450℃的范围内对上述被处理体进行热处理的工序，上述铝化合物为在上述被处理体的热处理中放出氧化铝气体的化合物。

公开(公告)号：CN104395239A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032752.X

申请日：2013-06-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: C01F7/16 ,  C01F7/54 ,  C01F7/56 ,  C04B35/44 ,  C04B41/87 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/50 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08

Abstract: 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在前述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、1080℃～1450℃的范围的温度下保持前述被处理体。

公开(公告)号：CN1576262A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069982.6

申请日：2004-07-16

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 宫川直通 ,  篠原伸广 ,  渡边俊成

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/584 ,  B01D39/20

CPC classification number: C04B33/14 ,  B01D67/0041 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/18 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/22 ,  B01D2325/30 ,  C04B35/573 ,  C04B35/591 ,  C04B38/0032 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B35/584 ,  C04B38/0025 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074 ,  C04B38/067 ,  C04B38/08

Abstract: 本发明提供一种以金属硅粒子作为起始原料，最适于高强度除尘和脱尘的氮化硅质过滤器的制造方法。它是通过在氮中对含有60－95质量％的金属硅粒子和5－40质量％的气孔形成材料的成形体进行热处理以制得实质上金属硅被氮化的氮化硅，原料的金属硅粒子是粒径为5－100μm的粒子占全部金属硅粒子中的70质量％以上并且平均粒径为10－ 75μm的粒子。更加适合的是，在上述成形体中包含含有选自Mg、Ca、Fe及Cu中的1种以上的金属元素的无机酸盐、有机酸盐以及氢氧化物中的1种或1种以上。

公开(公告)号：CN1576261A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069964.8

申请日：2004-07-16

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 篠原伸广 ,  渡边俊成 ,  柳泽荣治 ,  宫川直通

IPC: C04B38/00 ,  B01D39/20 ,  C04B35/584

CPC classification number: C04B38/0006 ,  C04B38/0025 ,  C04B2111/00129 ,  C04B35/584 ,  C04B38/08 ,  C04B40/0268 ,  C04B14/24 ,  C04B38/061

Abstract: 本发明提供一种以金属硅粒子作为起始原料、具有最适于除尘和脱尘的细孔径和气孔率的氮化硅质蜂窝式过滤器的制造方法。通过将含有50－85质量％的平均粒径5－ 50μm的金属硅粒子、5－30质量％的平均粒径为20－60μm的软化温度为400－1000℃的玻璃质中空粒子和10－20质量％的有机粘合剂的成形体，在氮气氛中进行热处理使金属硅实际上形成氮化硅。