半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置

    公开(公告)号:CN101765908A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200880101115.2

    申请日:2008-07-14

    Abstract: 本发明提供设置有平坦化层、同时使半导体层上的加工容易的半导体装置的制造方法。通过该方法提供适当地制造的半导体装置以及适当地使用于该制造方法中的曝光装置。本发明的半导体装置的制造方法,其为在基板上具有半导体层、和平坦化层的半导体装置的制造方法,当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状,所述制造方法包括:在基板上形成半导体层的工序;在半导体层上形成感光性有机膜的工序,所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段;和将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光,并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。

    显示装置及其驱动方法
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114450742B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN201980100905.7

    申请日:2019-10-23

    Inventor: 内田诚一

    Abstract: 一种显示装置,具备多个扫描线、多个发光控制线、多个数据线、多个像素电路、以及对扫描线、发光控制线以及数据线进行驱动的驱动电路,像素电路包含发光元件和控制流过发光元件的电流的量的驱动晶体管。驱动电路具有监视模式,在监视模式的帧期间,对像素电路的行设定依次延迟的相同长度的非发光期间,从像素电路的行之中选择测定对象的行作为监视行,设定与监视行的非发光期间部分地重叠的监视期间,在监视期间测定监视行的像素电路内的发光元件或驱动晶体管的特性。

    显示装置
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107111179B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201580069666.5

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 本发明的显示装置(100A)的第一基板(10)具有TFT(2),该TFT(2)设于各像素中,且具有氧化物半导体层。第二基板(20)具有彩色滤光片层(22)及遮光层(21)。彩色滤光片层(22)中所含的第一彩色滤光片、第二彩色滤光片及第三彩色滤光片中的至少一个为,对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2%以下。遮光层在彩色滤光片的像素中,(a)具有薄膜晶体管遮光部(21t),其沿着沟道长度方向(DL)延伸,且具有氧化物半导体层的沿着沟道宽度方向(DW)的长度以下的宽度;或者(b)具有薄膜晶体管遮光部,其沿着沟道宽度方向延伸,且具有氧化物半导体层的沿着沟道长度方向的长度以下的宽度;或者(c)不具有薄膜晶体管遮光部。

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