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公开(公告)号：CN111433908A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201780096353.8
申请日：2017-10-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具有：在表面形成有槽(M)的金属部件(3)、设置在槽(M)的内部且表面的X轴方向的热传导率比在表面上与X轴方向正交的Y轴方向的热传导率高的热传导部件、以及设置在金属部件(3)的表面且至少一部分与热传导部件(2)相接的半导体元件(1)。使热传导部件(2)的Y轴方向的长度(L6)相对于半导体元件(1)的Y轴方向的长度(L5)的比率(L6/L5)为40％，优选为70％～95％。
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公开(公告)号：CN109314509B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201680086784.1
申请日：2016-06-17
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H03K17/04 , H02M1/08 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 在驱动装置中，将主开关元件与主电流路径连接，将高电位侧开关元件的输入端子和低电位侧开关元件的输出端子与主开关元件的控制端子电连接，在低电位侧开关元件的输入端子和主开关元件的控制端子之间连接第一电阻，与第一电阻并联连接第一电容器，在第一电阻与主开关元件的控制端子的连接点和主开关元件的高电位侧端子之间连接第二电容器。
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公开(公告)号：CN110291620A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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公开(公告)号：CN107710575B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201580080255.6
申请日：2015-05-22
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 电力变换装置具备对来自栅极驱动电路(11)的驱动信号作用，调整半导体元件的栅极电压的栅极电压调整机构(检测电路(12))，所述栅极驱动电路(11)向并联设置的多个半导体元件(Q1～Q2)的各栅极发送驱动信号。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与由流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上叠加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103493208B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280018880.4
申请日：2012-02-24
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7801 , H01L27/0629 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/41766 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体装置，构成为，在形成有栅电极108）的槽（105）的底部或槽（105）正下方的漂移区域（102）内形成阳极区域（106），以到达阳极区域（106）的深度在槽（105）内形成接触孔（110），经由内壁绝缘膜（111）在接触孔（110）埋设源电极（112），在通过内壁绝缘膜（111）与栅电极108）绝缘的状态下，将阳极区域（106）和源电极112）电连接。
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公开(公告)号：CN104718627A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380054059.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/26513 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L29/06 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置(100)，具备：半导体基体(1)；第一导电型的漂移区域(2)，其在上部的一部分具有槽，配置在半导体基体(100)的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域(4)，其仅配置在槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极(9)，其埋入槽中；阴极电极(10)，其配置在半导体基体(100)的与第一主面相对的第二主面上。
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公开(公告)号：CN101223629B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200680026370.6
申请日：2006-06-26
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/267
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 一种制造具有多晶硅层(5)的半导体装置的方法，该方法包括：在多晶硅层(5)上形成掩模层(7)的步骤；形成设置在掩模层(7)的侧面上并覆盖部分多晶硅层(6)的侧壁(8)的步骤；通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模向多晶硅层(5)中掺入杂质(52)的步骤；以及通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模蚀刻多晶硅层(5，6)的步骤。
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公开(公告)号：CN101320688B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810110641.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/513 , H01L29/7828
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件。这里教导了制造包括半导体衬底和异质半导体区的半导体器件的方法以及所生成的器件，其中该异质半导体区包括带隙不同于半导体衬底的带隙、并接触半导体衬底的第一表面的一部分的异质半导体材料。该方法包括在半导体衬底的第一表面的暴露部分上和异质半导体材料的暴露表面上沉积第一绝缘膜，以及通过在氧化气氛中进行热处理来在第一绝缘膜与半导体衬底和异质半导体区域的面向第一绝缘膜的表面之间形成第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101207123B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710160614.6
申请日：2007-12-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/32139 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明公开了一种具有优良长期可靠性的半导体器件，其缓和布置在最外部处的开关结构中的电流集中。该半导体器件包括最外部开关结构和重复部分开关结构，该最外部开关结构和重复部分开关结构具有：异质半导体区，由带隙宽度与漂移区的带隙宽度不同的多晶硅形成，并与漂移区邻接；栅极绝缘膜；栅电极，邻接到栅极绝缘膜；源电极，连接到异质半导体区的源极接触部分；以及连接到衬底区的漏电极。在导通状态下，最外部开关结构包括以下机制：在最外部开关结构处流动的电流变得小于在重复部分开关结构处流动的电流。
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