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公开(公告)号：CN102119424A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201080002012.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。
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公开(公告)号：CN102077296A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001897.X
申请日：2010-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供可以使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件最适合的成形方法。该成形方法用来使电阻变化元件(100)进行初始化，包含：判断步骤(S35)，判断电阻变化元件(100)的电阻值是否比高电阻状态时小；施加步骤(S36)，在判断为不小时(S35中的“否”)，施加不超过下述电压的电压脉冲(S36)，该电压是在成形电压中加上成形余量而得到的；判断步骤(S35)和施加步骤(S36)对于存储器阵列(202)中的全部存储器单元进行重复(S34～S37)。
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公开(公告)号：CN1975931A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610162911.X
申请日：2006-11-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C16/16 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，由多个在单一的电荷存储部位具有3个以上的阈值电压分布的状态的存储器单元构成存储器单元阵列。利用编程顺序控制电路，将由多个值的数据构成的数据集中所含有的各个数据与上述3个以上的阈值电压分布中的任一个阈值电压分布对应地存储在上述存储器单元，而在重写存储于上述存储器单元的数据时，将在数据的存储中使用的阈值电压分布向一个方向移动来进行数据的重写。
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公开(公告)号：CN103238214B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201280003871.8
申请日：2012-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线（53b）通过偶数层位线选择开关元件（1002）、共同连接的奇数层的位线（53a）通过奇数层位线选择开关元件（1001）来切换控制与全局位线（56）的连接/不连接。偶数层位线选择开关（1002）以及奇数层位线选择开关元件（1001）具有位线的选择功能和低电阻化写入时的电流限制功能。
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公开(公告)号：CN102884584B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280001056.8
申请日：2012-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/21 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/15 , G11C2213/71
Abstract: 一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的读取电路（106）、供给第1定电流的非选择字线用电流源（199）、以及对来自所选择的存储单元的数据的读取进行控制的控制电路（109），控制电路（109）在读取电路（106）进行数据读取时，以向非选择字线供给第1定电流的方式，对字线解码器电路（103）、读取电路（106）及非选择字线用电流源（199）进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102067234B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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公开(公告)号：CN103238214A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003871.8
申请日：2012-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线（53b）通过偶数层位线选择开关元件（1002）、共同连接的奇数层的位线（53a）通过奇数层位线选择开关元件（1001）来切换控制与全局位线（56）的连接/不连接。偶数层位线选择开关（1002）以及奇数层位线选择开关元件（1001）具有位线的选择功能和低电阻化写入时的电流限制功能。
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公开(公告)号：CN103222004A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201280003594.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088
Abstract: 本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的一部分）、和第二存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的其他的一部分、或补偿单元部（252））所构成的存储单元阵列中，在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下，字线用写入电路（1502）对选择字线供给第一电压或第一电流，并且第一位线用写入电路（1503）对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时，第二位线用写入电路（1504）对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。
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公开(公告)号：CN101542632B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880000558.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型存储装置，该电阻变化型存储装置(100)具有与各可变电阻层(114)串联连接并且阈值电压为VF的电流抑制元件(116)，在数据的写入或读出时，在与选择非易失性存储元件对应的第一配线(WL)上施加第一电压V1，在与选择非易失性存储元件对应的第二配线(BL)上施加第二电压V2，在与选择非易失性存储元件不对应的第一配线(WL)上施加第三电压V3，在与选择非易失性存储元件不对应的第二配线(BL)上施加第四电压V4，以V5＝(V1+V2)/2作为第五电压V5，满足V2≤V3＜V5和V5＜V4≤V1，并且满足(V1-V4)＜VF或(V3-V2)＜VF。
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公开(公告)号：CN101548336B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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