公开(公告)号：CN1244052C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200310124822.2

申请日：2003-10-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 品川雅俊 ,  川原昭文 ,  福岛哲之 ,  仓田胜一 ,  小宫学

IPC: G06F11/22

CPC classification number: G11C29/1201 ,  G11C16/04 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/0401 ,  G11C2029/2602

Abstract: 为了提供一种非易失性存储器微机，其中可以省略掉使用逻辑测试器对微机单元进行测试的步骤，因此降低了测试成本。存储器测试器向非易失性存储器微机提供测试数据和期望数据，并且非易失性存储器微机将它们存储到非易失性存储器中。接着，在收到地址信号时，非易失性存储器根据对应于地址信号的测试数据和期望数据输出测试信号和期望信号。测试信号被提供给微机单元中的电路块，用于驱动该电路块。电路块返回测试结果信号，该信号同期望信号一块被输出该存储器测试器。存储器测试器对测试结果信号和期望信号进行比较，以判断微机单元运行是否正常。

公开(公告)号：CN1988041A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610170025.1

申请日：2006-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 圆山敬史 ,  河野和幸 ,  川原昭文 ,  富田泰弘

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C16/0491 ,  G11C16/28

Abstract: 现有的虚地方式的存储装置中，在存储单元(参考单元)中获得差动式的读出判定操作中成为基准的特性时，由于通过与参考单元邻接的单元的漏泄电流在过程中产生偏差，所以难以实现稳定的读出。本发明公开了一种非挥发性半导体存储装置，对与参考单元邻接的存储单元，设置位线电位选择装置，用于对电荷累积侧的位线施加写入电位，对另一侧的位线施加接地电位。利用该结构对邻接单元进行写入操作，由于从参考单元到邻接单元的漏泄电流消失，因此能够将参考单元的原有特性作为基准侧特性，反映到读出操作中，能够实现稳定的读出。

公开(公告)号：CN103339682B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201280007370.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛川一彦 ,  川原昭文 ,  东亮太郎 ,  河合贤

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0038

Abstract: 读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。

公开(公告)号：CN1503133A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310124822.2

申请日：2003-10-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 品川雅俊 ,  川原昭文 ,  福岛哲之 ,  仓田胜一 ,  小宫学

IPC: G06F11/22

CPC classification number: G11C29/1201 ,  G11C16/04 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/0401 ,  G11C2029/2602

Abstract: 为了提供一种非易失性存储器微机，其中可以省略掉使用逻辑测试器对微机单元进行测试的步骤，因此降低了测试成本。存储器测试器向非易失性存储器微机提供测试数据和期望数据，并且非易失性存储器微机将它们存储到非易失性存储器中。接着，在收到地址信号时，非易失性存储器根据对应于地址信号的测试数据和期望数据输出测试信号和期望信号。测试信号被提供给微机单元中的电路块，用于驱动该电路块。电路块返回测试结果信号，该信号同期望信号一块被输出该存储器测试器。存储器测试器对测试结果信号和期望信号进行比较，以判断微机单元运行是否正常。

公开(公告)号：CN103339682A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280007370.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛川一彦 ,  川原昭文 ,  东亮太郎 ,  河合贤

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0038

Abstract: 读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。

公开(公告)号：CN103229244A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201280003856.3

申请日：2012-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川原昭文 ,  东亮太郎 ,  岛川一彦 ,  田边浩平

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种在用于写入速度改善的多比特同时写入中，实现减少存储单元的位置的偏差的写入的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具有：多个位线、多个字线、多个存储单元、第一写入电路（例如，写入电路（60-0））、第二写入电路（例如，写入电路（60-k-1））、第一选择电路（例如，选择电路（S0_0））、第二选择电路（例如，选择电路（S0_k-1））、以及第一字线驱动电路（字线驱动电路（40-1））；其中，构成第一选择电路（例如，构成选择电路（S0_0）的NMOS晶体管（TS0_0_0～TS0_0_m-1））导通电阻值比第二选择电路（例如，构成选择电路（S0_k-1）的NMOS晶体管（TS0_k-1_0～TS0_k-1_m-1））的导通电阻值大。

公开(公告)号：CN1975931A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610162911.X

申请日：2006-11-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河合贤 ,  东亮太郎 ,  川原昭文 ,  诹访仁史 ,  春山星秀

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/20

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5641

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，由多个在单一的电荷存储部位具有3个以上的阈值电压分布的状态的存储器单元构成存储器单元阵列。利用编程顺序控制电路，将由多个值的数据构成的数据集中所含有的各个数据与上述3个以上的阈值电压分布中的任一个阈值电压分布对应地存储在上述存储器单元，而在重写存储于上述存储器单元的数据时，将在数据的存储中使用的阈值电压分布向一个方向移动来进行数据的重写。