公开(公告)号：CN100411265C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510075140.6

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。

公开(公告)号：CN101188344A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710152406.1

申请日：2003-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。

公开(公告)号：CN100362710C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200480002182.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  松原敦

IPC: H01S5/323

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。

公开(公告)号：CN1332453C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03809646.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉井重雄 ,  大塚信之 ,  水野纮一 ,  铃木朝实良 ,  横川俊哉

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板(101)；在该基板上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层(103)；在第一阻挡层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层(104)；在沟道层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体半导体构成的第二阻挡层(105)；和在第二阻挡层上设置的源极电极(107)、栅极电极(109)以及漏极电极(108)，第一阻挡层具有n型扩散层(103a)，第二阻挡层具有p型扩散层(105a)，沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层(106)在第二阻挡层上形成。

公开(公告)号：CN1957510A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200680000267.4

申请日：2006-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n－GaN基板(1)；形成于n－GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。

公开(公告)号：CN1260776C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02148065.6

申请日：2002-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  宫永良子

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L29/365 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐耐压高、移动度大的半导体元件。

公开(公告)号：CN1765036A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。

公开(公告)号：CN1739225A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002182.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  松原敦

IPC: H01S5/323

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。

公开(公告)号：CN1395746A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803862.X

申请日：2001-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种DMOS器件(或者IGBT)，它包括：SiC衬底2、形成在外延层内的n－SiC层3(漂移区)、栅极绝缘膜6和栅电极7a、将栅电极7a包围起来的源电极7b、形成在SiC衬底2下面的漏电极7c、p－SiC层4、以及从源电极7b端部下方到栅电极7a端部下方的n+SiC层5。外延层的表面部分中除形成有n+SiC层5的区域里，叠层形成了含高浓度氮的n型掺杂层10a和非掺杂层10b。利用量子效果，降低了导通电阻，提高了截止时的耐压。

公开(公告)号：CN1354568A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01135078.4

申请日：2001-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修

IPC: H04B17/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28

CPC classification number: H03F3/601 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/105 ,  H01L29/157 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H03D7/125 ,  H03F2200/294

Abstract: 一种通信系统用仪器,包括:在SiC衬底上集成了肖特基二极管、MOSFET、电容器以及电感器的半导体装置。在SiC衬底10上,从下至上依次设置有:把含有高浓度的n型杂质(氮)的δ掺杂层12a和非掺杂层12b相互叠层在一起形成的第一叠层部12;把含有高浓度的p型杂质(铝)的δ掺杂层13a和非掺杂层13b相互叠层在一起形成的第二叠层部13。δ掺杂层的载流子扩散到非掺杂层。而且,由于非掺杂层中的杂质浓度较低,所以杂质离子的散乱减少,能得到低电阻和高耐压值。适合配置在使用温度、空间上的限制等非常苛刻的条件下。