-
公开(公告)号：CN101689548A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
-
公开(公告)号：CN102804278B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201180014829.1
申请日：2011-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置，与以往相比能够降低塑造电压且能够回避塑造电压在每个电阻变化元件中的偏差。该塑造方法是电阻变化元件(100)初始化的塑造方法，包括：判断1T1R型存储器单元电流是否大于基准电流的步骤(S24)；在判断为并不大的情况下(S24中“否”)，施加脉冲宽度(Tp(n))上升的塑造用正电压脉冲的步骤(S22)；以及施加具有脉冲宽度(Tp(n))以下的脉冲宽度(Tn)的负电压脉冲的步骤(S23)，重复步骤(S24)、施加步骤(S22)及施加步骤(S23)，直到塑造完成为止。
-
公开(公告)号：CN102667947B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180004630.0
申请日：2011-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 在具有第1电极、第2电极、以及由所述第1电极和所述第2电极夹着的过渡金属氧化物层的电阻变化型非易失性存储元件处于初始状态时，在第1电极与第2电极之间施加第1形成用电压，直到发生变化为在高电阻状态与低电阻状态之间能够可逆地转变的第1动作可能状态的第1形成为止，在所述第1电极与所述第2电极之间施加第2形成用电压，直到发生变化为能够转变为与在第1形成后的所述第1动作可能状态的低电阻状态的电阻值相比电阻值更低的低电阻状态的第2动作可能状态的第2形成为止，从而进行电阻变化型非易失性存储元件的形成。
-
公开(公告)号：CN102047423B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080001686.6
申请日：2010-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种动作偏差较小、而且能够实现稳定动作的非易失性存储元件及非易失性存储装置。该非易失性的存储元件具有：第1电极(102)；第2电极(106)；电阻变化层(105)，介于这两个电极(102和106)之间而形成，而且与两个电极(102和106)连接，根据施加到两个电极(102和106)之间的电压的极性，可逆地在高电阻状态和低电阻状态之间转变；固定电阻层(104)，介于两个电极(102和106)之间而形成，而且与电阻变化层(105)的至少一部分并联地电连接，其电阻值在电阻变化层(105)为高电阻状态时的电阻值的0.1倍～10倍的范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101878507B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980101172.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 本发明提供能进行稳定动作的电阻变化元件的驱动方法以及实施该方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，将第1极性的写入电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从高向低变化；以及擦除过程，将与该第1极性不同的第2极性的擦除电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从低向高变化；在将第1次到第N次(N大于等于1)的写入电压脉冲的电压值设为Vw1、将第(N+1)次以后的写入电压脉冲的电压值设为Vw2时，满足|Vw1|＞|Vw2|，而且，在将第1次到第M次(M大于等于1)的擦除电压脉冲的电压值设为Ve1、将第(M+1)次以后的擦除电压脉冲的电压值设为Ve2时，满足|Ve1|＞|Ve2|，第(N+1)次的上述写入过程接在第M次的擦除过程之后。
-
公开(公告)号：CN102047423A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001686.6
申请日：2010-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种动作偏差较小、而且能够实现稳定动作的非易失性存储元件及非易失性存储装置。该非易失性的存储元件具有：第1电极(102)；第2电极(106)；电阻变化层(105)，介于这两个电极(102和106)之间而形成，而且与两个电极(102和106)连接，根据施加到两个电极(102和106)之间的电压的极性，可逆地在高电阻状态和低电阻状态之间转变；固定电阻层(104)，介于两个电极(102和106)之间而形成，而且与电阻变化层(105)的至少一部分并联地电连接，其电阻值在电阻变化层(105)为高电阻状态时的电阻值的0.1倍～10倍的范围内。
-
公开(公告)号：CN102047422A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001662.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 具有：写入过程，将第一极性的写入电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从高向低发生变化，以成为写入状态；消除过程，将与第一极性不同的第二极性的消除电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从低向高发生变化，以成为消除状态；以及初始过程，在第一次的写入过程之前，将第二极性的初始电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值发生变化，在金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值为R0、写入状态的电阻值为RL、消除状态的电阻值为RH、初始电压脉冲的电压值为V0、写入电压的电压值为Vw、消除电压脉冲的电压值为Ve的情况下，满足R0＞RH＞RL、且满足|V0|＞|Ve|≥|Vw|。
-
公开(公告)号：CN101542730A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
-
公开(公告)号：CN1184694C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00100291.0
申请日：2000-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i-Si1-yGey层119(0＜y＜1)、i-Si间隙层142、SiO2层117和栅极116。因为使下部Si间隙层118含有了C原子，抑制Si1-yGey层中的Ge的漂移·扩散·分离，所以能抑制Si/Si1-yGey层异质界面136的构造紊乱，从而保持明确、平滑的界面。因此，提高了沿异质界面流动的沟道中载流子的传导度等特性。即改善了热处理时半导体器件耐热性。并且，通过使其具有倾斜的C浓度分布来抑制C原子向栅极绝缘膜的扩散，并防止可靠性的下降。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.043 seconds)
