公开(公告)号：CN1581439B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN200410055682.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  下村明久 ,  古山将树

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒。本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。

公开(公告)号：CN102176427B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201110043999.4

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  神保安弘 ,  小路博信 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/77 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L21/7806 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13613 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

公开(公告)号：CN101625472B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910152136.3

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  江口晋吾 ,  增山光男 ,  片庭正敏 ,  小路博信 ,  中田昌孝

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F2201/503 ,  G02F2202/22

Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。

公开(公告)号：CN102057488B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980120672.3

申请日：2009-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  小路博信 ,  江口晋吾

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/822 ,  H01L25/00 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/60 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。

公开(公告)号：CN101131923B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200710146856.X

申请日：2007-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/36 ,  B41M5/24

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供不使用光掩模和抗蚀剂而以简单的工序精确地进行薄膜加工的方法。而且，本发明提供以低成本制造半导体器件的方法。在衬底上形成第一层；在第一层上形成光吸收层；在光吸收层上形成具有透光性的层；从具有透光性的层一侧向光吸收层选择性地照射激光束。由于光吸收层吸收激光束的能量，通过光吸收层中的气体释放、光吸收层的升华或蒸发等，来去除光吸收层的一部分和与光吸收层接触的具有透光性的层的一部分。通过将残留了的具有透光性的层或光吸收层用作掩模蚀刻第一层，可以在所希望的区域中以所希望的形状对第一层进行加工，而不使用常规的光蚀刻技术。

公开(公告)号：CN101663733A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012749.0

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  小路博信 ,  大沼英人 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的一个目的是提供即使使用像玻璃衬底或塑料衬底那样的柔性衬底，也可以高产率地制造可以用在实际应用中的含有SOI层的SOI衬底的方法。并且，本发明的另一个目的是提供使用这样的SOI衬底高产率地制造薄半导体器件的方法。当将单晶半导体衬底与含有绝缘表面的柔性衬底结合和分离单晶半导体衬底以制造SOI衬底时，激活结合表面之一或两者，然后将含有绝缘表面的柔性衬底和单晶半导体衬底相互附接在一起。

公开(公告)号：CN100499170C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200580003172.3

申请日：2005-01-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供用于以容易的工艺制造具有膜图案如绝缘膜、半导体膜或导电膜的衬底的方法，且进一步地，提供具有高生产量或者以低成本生产的半导体器件和电视机及其制造方法。本发明的一个特征在于通过微滴泄放方法形成第一膜图案，将光敏材料泄放或涂敷到第一膜图案上，通过用激光束照射第一膜图案和光敏材料交叠的区域并通过显影来形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为掩模蚀刻第一膜图案来形成具有希望形状的第二膜图案。

公开(公告)号：CN100490091C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510129683.1

申请日：2005-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  森末将文 ,  小路博信 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二 ,  青木智幸

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。

公开(公告)号：CN100444320C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200410058844.8

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  古山将树 ,  小路博信

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/428 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，脊在结晶半导体膜表面上形成网格图形。半波片或镜被用作用来控制偏振方向的装置。

公开(公告)号：CN101131923A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146856.X

申请日：2007-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/36 ,  B41M5/24

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供不使用光掩模和抗蚀剂而以简单的工序精确地进行薄膜加工的方法。而且，本发明提供以低成本制造半导体器件的方法。在衬底上形成第一层；在第一层上形成光吸收层；在光吸收层上形成具有透光性的层；从具有透光性的层一侧向光吸收层选择性地照射激光束。由于光吸收层吸收激光束的能量，通过光吸收层中的气体释放、光吸收层的升华或蒸发等，来去除光吸收层的一部分和与光吸收层接触的具有透光性的层的一部分。通过将残留了的具有透光性的层或光吸收层用作掩模蚀刻第一层，可以在所希望的区域中以所希望的形状对第一层进行加工，而不使用常规的光蚀刻技术。