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公开(公告)号：CN103154308A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048311.X
申请日：2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN101691657B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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公开(公告)号：CN101220458B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN101353779A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al－Ni－La－Si体系Al－基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni－La－Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220458A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al－基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al－基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al－基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN100392505C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510118731.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C22C9/00
CPC classification number: H01L23/53233 , C23C14/185 , G02F2001/136295 , H01J29/02 , H01J2211/225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3 (1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5 (3)。其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。
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公开(公告)号：CN100373485C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510083393.8
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种用于光学信息记录介质的Ag合金反射膜，其含有Ag作为主要组分，还含有总量大于3.0atom%且小于或等于10atom%的选自Nd、Sn、Gd和In的至少一种元素。该反射膜还可以含有0.01-3atom%的Bi和Sb中的至少一种，和/或还可以含有20atom%或更少的选自Mn、Cu、La和Zn的至少一种元素。一种光学信息记录介质，其包括该Ag合金反射膜，可以进行激光标示。一种Ag合金溅射目标，具有与Ag合金反射膜类似的组成。
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公开(公告)号：CN1821437A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009203.2
申请日：2006-02-15
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C21/00 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F3/1208 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F2201/02
Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形)，并能够高精度、高效率地制造靶，而且可以进行稳定的成膜作业的Al－Ni－稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶，其特征在于，在以倍率：2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候，纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。
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公开(公告)号：CN1725334A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079173.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 用于光学信息记录介质的各种半反射膜或者反射膜以及一种Ag基合金溅射靶包含Li含量为0.01－10原子百分比的Ag基合金。该Ag基合金显示出高抗粘结性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸收率和高热导率，这些性能是用纯Ag或者常规的Ag合金不能获得的。所得到的包含Ag基合金的用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜显示出优异的录写/读取性能和长期可靠性。半反射膜和反射膜沉积中使用光学信息记录介质用溅射靶。使用该半反射膜和/或反射膜制造光学信息记录介质。
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