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公开(公告)号：CN112071962A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010774402.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，所述调节机构包括冷却液存储箱、液泵和加热管，所述液泵的输入端固定连接有输入管，所述输入管的一端与冷却液存储箱的一侧固定连接，本发明涉及LED芯片制作技术领域。该在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，利用液泵将冷却液存储箱产生的冷环境向喷头处传递，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的低温环境，利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境，结构简单，成本低，方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。
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公开(公告)号：CN119596113A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411819789.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统，具体包括如下步骤：步骤一：构建多应力条件综合测试平台；步骤二：制定包含多应力条件的测试标准；步骤三：优化样品处理与测试夹具设计，针对碳化硅集成电路的特点，设计合适的测试夹具，确保样品在测试过程中不会受到损坏或性能下降；通过实施构建多应力条件综合测试平台、制定包含多应力条件的测试标准、优化样品处理与测试夹具设计、提升测试设备精度与校准频率以及建立持续监测与反馈机制一系列具体且融入公式的步骤，综合提升碳化硅集成电路在高温环境下的可靠性测试水平，确保测试结果的准确性和可靠性，为碳化硅集成电路的可靠性评估提供统一标准和有力支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113631026B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110908192.6
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明涉及电子元件焊接技术领域，具体涉及一种可循环精简型贴片机，包括：舱体，以及贯穿舱体的传送通道，舱体内设有基板固定器，用于固定传送通道上的PCB板；第一平面坐标滑台，第一平面坐标滑台设置舱体内的传送通道的一侧，第一平面坐标滑台顶部设有旋转座；第一贴片执行器和第二贴片执行器，第一贴片执行器和第二贴片执行器设置在旋转座相对的两侧；第二平面坐标滑台，第二平面坐标滑台设置舱体内的第二平面坐标滑台远离传送通道的一侧，并且第二平面坐标滑台顶部设有送料器。本发明通过旋转座使两套贴片执行器交替工作，相比传统的贴片机省略了单独的元件拾取时间，因此提高了贴片效率。
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公开(公告)号：CN113186511B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011419640.8
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 江南大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板，所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块，所述盖板的另一端固定连接有把手，所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽，将镓源放进放置槽中，因放置槽设置有若干个，放置板为圆形，可放置多个镓源，利用放置槽中设置有加热片，可对镓源进行加热，在反应结束后，可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更换新的镓源。
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公开(公告)号：CN113186511A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011419640.8
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板，所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块，所述盖板的另一端固定连接有把手，所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽，将镓源放进放置槽中，因放置槽设置有若干个，放置板为圆形，可放置多个镓源，利用放置槽中设置有加热片，可对镓源进行加热，在反应结束后，可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更换新的镓源。
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公开(公告)号：CN112095140A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010773368.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
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公开(公告)号：CN111979514A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010775602.X
申请日：2020-08-05
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，属于真空溅射领域技术领域。该用于快速制备氮化镓薄膜的装置包括供气组件、制备组件、溅射电解组件以及冷却组件。所述隔板连接在所述第一罐体的内部，所述氩气收集腔的一侧与所述氮气收集腔的底端设置有出气口，所述第一管道和所述第二管道的一端与所述出气口连通，所述第一吸气泵的输入端与所述第一管道和所述第二管道连接。所述电机固定在所述第二罐体的上端，所述转轴设置在所述第二罐体的内部，所述转轴的一端与所述电机的输出端转动连接，所述固定板与所述转轴的另一端固定连接，有利于控制氮气和氩气注入量，稳固了镓的形态，提高了氮化镓薄膜制备的质量。
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