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公开(公告)号：CN106796957B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201580055886.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一些实施例包含一种具有漏极区域及源极区域的晶体管。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域。隧道电介质材料可位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间。
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公开(公告)号：CN110770899A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880039841.X
申请日：2018-07-06
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/06 , H01L27/085
Abstract: 一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有竖直堆叠的存储器单元。所述存储器单元中的每个存储器单元包含与电荷存储装置耦合的晶体管，并且所述晶体管中的每个晶体管具有能带隙大于2电子伏特的沟道材料。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极/漏极区耦合的电容器。
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公开(公告)号：CN107078211B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201580055998.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 磁性单元包含磁性区域、次要氧化物区域及吸气剂晶种区域。在形成期间，扩散性物质由于由吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体磁性材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述磁性材料的耗尽使得所述耗尽磁性材料能够在无来自现在为富集的所述吸气剂晶种区域的干扰的情况下通过从相邻结晶材料的晶体结构传播而结晶。此促成高隧穿磁阻及高磁性各向异性强度。此外，在形成期间，另一扩散性物质由于由另一吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体氧化物材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述氧化物材料的耗尽实现单元结构中的较低电阻及低阻尼。本发明还揭示制造方法及半导体装置。
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公开(公告)号：CN105453267B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201480044580.2
申请日：2014-07-22
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11514 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11597 , H01L27/11585 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L21/28 , G11C11/22
Abstract: 本发明揭示一种包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。
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公开(公告)号：CN105359217B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480038446.1
申请日：2014-06-27
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁性单元核心包含接近于磁性区域(例如，自由区域或固定区域)的至少一个应力源结构。所述磁性区域可由展现磁致伸缩的磁性材料形成。在切换期间，所述应力源结构可经受通过所述磁性单元核心的编程电流。响应于所述电流，所述应力源结构的大小可改变。归因于所述大小变化，所述应力源结构可施加应力于所述磁性区域上，且借此改变其磁各向异性。在一些实施例中，可在切换期间降低所述磁性区域的MA强度，使得较低编程电流可用于切换所述自由区域的磁性定向。在一些实施例中，多个应力源结构可包含于所述磁性单元核心中。本发明还揭示制造及操作的方法以及相关装置结构及系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105027085B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480013302.0
申请日：2014-02-27
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: G06F11/0751 , G06F11/0727 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1677 , G11C29/021 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明涉及选择性地执行从存储器的具有增加的准确度的读取，例如自参考读取。在一个方面中，从存储器阵列的例如磁阻式随机存取存储器MRAM单元的存储器单元读取数据。响应于检测到与从所述存储器单元的读取相关联的条件，可执行从所述存储器单元中的至少一者的自参考读取。举例来说，所述条件可指示从所述存储器单元读取的数据不可经由错误校正码ECC的解码校正。与总是执行自参考读取相比，选择性地执行自参考读取可减少与从所述存储器的读取相关联的电力消耗及/或等待时间。
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公开(公告)号：CN107430984A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019953.X
申请日：2016-03-11
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: H01L21/02118 , B81C1/00031 , B81C1/00206 , B82Y40/00 , H01L21/02227 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L29/02 , H01L29/0665 , H01L29/66007 , B82Y10/00
Abstract: 本发明揭示一种形成纳米结构的方法，其包括在图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装。所述图案化衬底包括多个区域。所述图案化衬底上的所述区域中的每一者经具体调适用于所述定向自组装中的特定核酸结构的吸附。
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公开(公告)号：CN104718614B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380053573.4
申请日：2013-09-06
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明揭示形成存储器单元、磁性存储器单元结构和磁性存储器单元结构的阵列的方法。所述方法的实施例包括图案化前驱物结构以形成阶式结构，所述阶式结构至少包括上部离散特征区段和下部特征区段，所述下部特征区段具有比所述上部离散特征区段宽的宽度、长度或两者。所述方法使用沿第一轴线(例如，x轴)和接着沿垂直于或大约垂直于所述第一轴线的第二轴线(例如，y轴)导引的图案化动作。所述图案化动作因此可允许甚至在低于大约30纳米的尺寸下在多个所形成的相邻单元芯结构之间仍实现较好均匀性。本发明还揭示磁性存储器结构和存储器单元阵列。
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公开(公告)号：CN106796957A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055886.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一些实施例包含一种具有漏极区域及源极区域的晶体管。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域。隧道电介质材料可位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间。
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公开(公告)号：CN106463616A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029162.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L45/00 , C23C16/455
Abstract: 一种形成存储器单元材料的方法包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质材料的第一部分。通过原子层沉积在所述电介质材料的所述第一部分上形成离散导电粒子。通过原子层沉积在所述离散导电粒子上及之间形成所述电介质材料的第二部分。本发明还描述一种存储器单元材料、一种形成半导体装置结构的方法及一种半导体装置结构。
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