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公开(公告)号：CN105981096A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008346.9
申请日：2015-01-20
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: G09G5/02 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G06F3/048
Abstract: 本发明提供一种直接描画装置用的GUI装置、直接描画系统、描画区域设定方法以及程序，能够用很少的工作量且直观地设定圆形状的基板上的圆弧带状区域作为直接描画装置的描画区域或者非描画区域。在GUI装置的画面(7)所示的输入区域(90)中的区域(92)中输入与圆弧带状区域的圆周方向的长度关联的角度信息，在区域(93)中输入从基板的中心到圆弧带状区域的长度信息，在区域(94)中输入圆弧带状区域在径向上的宽度信息，来设定应该利用直接描画装置进行描画的圆弧带状区域。
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公开(公告)号：CN105977445A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610134262.6
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 神田宽行
CPC classification number: H01M4/0407 , H01M4/139
Abstract: 本发明提供一种能够抑制对基材的处理的均匀性下降且修正基材的位置偏移的基材处理装置、涂膜形成系统、基材处理方法以及涂膜形成方法。干燥装置(30A)对以卷对卷方式搬送的基材(5)进行干燥处理。干燥装置(30A)具有对基材(5)的一个主面进行干燥处理的多个表面干燥部(35)。在配置有多个表面干燥部(35)的干燥处理区间(12A)排列有多个倾动辊(331)。控制部(7)基于由位置检测器(51A)检测的基材(5)的在宽度方向上的位置，来控制倾动机构(41)，由此使各倾动辊(331)倾动来修正基材(5)的位置偏移。
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公开(公告)号：CN105914167A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610092133.5
申请日：2016-02-19
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67017 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。
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公开(公告)号：CN105900218A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480073028.6
申请日：2014-12-22
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 中井仁司
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/67017 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/68742
Abstract: 在基板处理装置(1)中，在腔室底部(256)设置有在周向上排列的多个大腔室排气口(281)。通过杯旋转机构(7)使杯部(4)旋转，杯排气口(461)有选择地与多个大腔室排气口(281)中某一个重叠。在杯排气口(461)与1个大腔室排气口(281)重叠的状态下，通过第一排气机构(95a)将杯部(4)内的气体向腔室(21)外排出。在杯排气口(461)与另一个大腔室排气口(281)重叠的状态下，通过第二排气机构(95b)将杯部(4)内的气体向腔室(21)外排出。在基板处理装置(1)中，通过杯旋转机构(7)使腔室(21)内的杯部(4)旋转，能够容易对从杯部(4)进行排气的排气机构进行切换。
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公开(公告)号：CN105895554A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610078393.7
申请日：2016-02-04
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种处理基板的基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。该基板处理装置的顶板在第一位置由相向构件保持部保持，在第二位置由基板保持部保持，并且与基板保持部一起旋转。就基板处理装置而言，通过控制部控制第一处理液供给部、第二处理液供给部以及喷嘴移动机构，在第一处理液喷嘴位于顶板的被保持部内的供给位置的状态下，经由相向构件开口向基板供给第一处理液，第一处理液喷嘴从供给位置移动至退避位置。然后，第二处理液喷嘴从退避位置移动至供给位置，经由相向构件开口向基板供给第二处理液。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比，能够抑制或者防止产生多种处理液的混合液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105818523A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610045117.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社思可林集团
CPC classification number: B41F16/006 , B41M5/382
Abstract: 本发明涉及一种转印装置及转印方法。使第1板状体(SB)与第2板状体(BL)抵接。使支撑部件(441)的上端抵接于第2板状体(BL)的下表面中比辊部件(431)最初抵接的部分靠第2板状体(BL)的中心侧的部分，而从下方支撑第2板状体(BL)，所述支撑部件(441)构成为能够相对于第2板状体(BL)的下表面分离抵接。在支撑部件(441)支撑第2板状体(BL)的状态下，辊部件(431)抵接于第2板状体(BL)而将第2板状体(BL)压抵于第1板状体(SB)，辊部件(431)一边将第2板状体(BL)压抵于第1板状体(SB)一边沿着第2板状体(BL)的下表面移动。
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公开(公告)号：CN105729981A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510974880.7
申请日：2015-12-23
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 上野美佳
IPC: B32B38/10
CPC classification number: B32B38/10
Abstract: 本发明关于一种剥离方法及剥离装置。本发明的保持机构通过保持第一板状体而保持密接体，且使抵接部件抵接在第二板状体。与抵接部件沿剥离方向移动连动，沿与密接体的主面平行的剥离方向排列的多个剥离机构通过依次保持第二板状体且使第二板状体向自第一板状体离开的方向移动而使两者剥离。关于各剥离机构的移动开始时序，通过事前执行抵接部件的移动，并实际测定表示该移动中的抵接部件的位置的位置资讯、与抵接部件通过与剥离机构的对向位置的时序而规定。
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公开(公告)号：CN105474356A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045393.6
申请日：2014-07-10
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/02 , G05B19/418
CPC classification number: H01L21/67155 , G05B15/02 , G05B19/41865 , G05B2219/32078 , G05B2219/45031 , H01L21/67253 , H01L21/67276 , H01L21/67706 , H01L21/67742 , Y02P90/20
Abstract: 第二基板处理装置的第二控制装置判断基板的处理开始预想时刻是否在处理开始期限以前。如果处理开始预想时刻在处理开始期限以前，则第二控制装置使第二基板处理装置执行起初的第一计划以及第二计划。另一方面，在处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下，第二控制装置以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式变更起初的第一计划以及第二计划，使第二基板处理装置执行变更后的第一计划以及第二计划。
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公开(公告)号：CN105470109A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510633602.5
申请日：2015-09-29
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 基村雅洋
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02082 , H01L21/306 , H01L21/02057 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括如下步骤：从多个最大高度中检索与在应处理的基板的表面形成的图案的宽度对应的最大高度，多个最大高度分别是在图案的某个特定的宽度下不会发生图案倒塌的图案的高度的最大值；然后，判定图案的高度是否大于最大高度；在图案的高度大于最大高度的情况下，向基板供给疏水化剂，以便在图案的侧面中的除了从图案的根部至最大高度为止的根部侧区域以外的区域即顶端侧区域整体形成疏水化区域，在图案的侧面中的根部侧区域的至少一部分残留非疏水化区域；然后，使基板干燥。
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公开(公告)号：CN105470088A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510617300.9
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社思可林集团
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法，提供能够解决振荡等问题的气体供给技术。两个第一供给部(21a)以固定的第一供给量从开口部(22a)向腔室(11)内供给反应性气体。第二供给部(21b)以可变的第二供给量从开口部(22b)向腔室(11)内供给反应性气体。在等离子体处理中，利用PEM法的反馈控制调整第二供给量。这样，由于溅射装置(10)具有进行第二供给量的反馈控制的一个第二供给部(21b)，所以能够消除因存在多个反馈控制所引起的振荡的问题。
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