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公开(公告)号：CN102226989A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110161889.8
申请日：2011-06-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO2做为掩蔽层，不需做SPACER氧化和槽隔离。具有工艺简单、外延层生长速度稳定可控，材料表面平整、缺陷少等优点，具有高的压阻系数特性，对压力敏感。它适用于15～40V的高压模拟集成电路和MEMS器件的制造领域。
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公开(公告)号：CN101762356A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010042063.5
申请日：2010-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆大学
Abstract: 一种真空微电子压力传感器，包括：硅微场致发射阴极锥尖阵列、真空微腔、绝缘层、阳极弹性膜、阳极绝缘保护膜、引出电极、过载保护环、金刚石膜和绝缘衬底，其特征在于，在所述阳极弹性膜朝向真空微腔一面的中部，有连成一体的阳极活塞膜及其支撑柱，且支撑柱与过载保护环相对。本发明根据功能拆分的思想，采用了具有双层膜结构的压力传感器，与常规的真空微电子压力传感器相比，本发明的真空微电子压力传感器的灵敏度较之常规的真空微电子压力传感器提高100～300％。并且，由于本发明结构的支撑柱与过载保护环的相互对应，防止了阳极活塞膜与过载保护环碰触而造成的永久形变，因而十分有利于传感器的长期稳定工作。
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公开(公告)号：CN1317739C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410097520.5
申请日：2004-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法。该方法是首先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜-二氧化硅-硅键合片，其次将所述的硅薄膜-二氧化硅-硅键合片与具有图形氧化层的绝缘硅基衬底制作成硅-二氧化硅-硅薄膜-绝缘硅基衬底键合片，最后用腐蚀方法除去所述硅-二氧化硅-硅薄膜-绝缘硅基衬底键合片的硅薄膜表面上的硅-二氧化硅层，完成在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜。该方法用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。
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公开(公告)号：CN1921005A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610075925.8
申请日：2006-04-24
Applicant: 清华大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G11C11/22 , H01L27/115 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了属于微电子器件范围的一种基于应变SiGe沟道的高速、高抗辐照的铁电存储器。铁电存储器的单元结构是由M1管串接铁电电容Cf1和M2串接铁电电容Cf2，然后两个铁电电容连接在一起后接至驱动线PL，M1、M2的栅极串接后接至字线WL，M1、M2的源极或漏极分别连接位线BL和位线BLB；BL，BLB再和灵敏放大器SA连接，其中M1、M2为N－MOS管。本发明将应变SiGe用作P－MOS管的沟道，提高沟道中空穴迁移率，从而提高P－MOS管的工作速度，以便与N－MOS的速度相匹配，因此铁电存储器以其非挥发、低功耗、高速存取、高耐重写、高安全性等突出优点，应用广泛，可望取代现有半导体存储器，市场潜力大。
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公开(公告)号：CN1294645C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510052287.3
申请日：2005-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明涉及一种高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法。该方法步骤包括：首先利用硅/硅键合、减薄抛光技术方法获得所需要的SOI片，然后在SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的介质隔离技术方法结合纵向PNP与纵向NPN兼容的双极工艺进行所述的高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造。该方法制造的电源电路不仅消除了PN结隔离所带来的PN结漏电不能满足特殊场合需要的缺点，同时元器件到隔离的距离可以大幅度降低，缩小了芯片面积，从而芯片成品率得到了提高，是一种制造高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的理想制造方法。
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公开(公告)号：CN111884656B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010788486.5
申请日：2020-08-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆吉芯科技有限公司
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明提供了一种比较器及模数转换器，该比较器包括输入单元、负载单元、控制开关和调整单元，其中，输入单元的输入端接第一输入信号和第二输入信号，负载单元接输入单元，通过调整负载单元的增益调整对管的栅压来调整比较器的增益，调整单元接输入单元，根据控制开关的使能状态调整增益调整对管的栅压；本发明还提供了一种模数转换器，该比较器在失调消除状态下，增益较小，使得比较器的失调电压放大倍数小，在信号放大状态下，增益较大，使得比较器的输入差模信号放大倍数大，消除了比较器失调电压对比较器比较结果的影响，提升比较器速度，减小版图面积，明显消除了比较器的失调电压。
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公开(公告)号：CN109861672B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910117896.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明提供一种动态比较器，包括：时钟信号模块，用于产生第一时钟信号、第二时钟信号与第三时钟信号；正反馈通道，分别连接预放大器与正反馈锁存器，当第三时钟信号为低电平时，提升连接在预放大器与正反馈锁存器之间的两个节点电压Tp和Tn之间的电压差；当第一、二时钟信号为低电平时，节点电压Tp和Tn被上拉到电源电压进入到复位状态而输出高电平，经反相处理得到为低电平Ip和In反馈控制预放大器；当第一时钟信号为高电平时，第二时钟信号仍为低电平，预放大器处于工作状态放大输入信号输出有电压差的节点电压Tp和Tn，当第二时钟信号变为高电平时，节点电压Tp和Tn之间的电压差使得正反馈锁存器进入锁存状态，完成比较工作输出电压信号Dp和Dn。
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公开(公告)号：CN106921391B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201710119494.9
申请日：2017-03-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种系统级误差校正SAR模拟数字转换器，包括自举采样开关、第一电容阵列、第二电容阵列、开关阵列、比较器、逐次逼近寄存器异步逻辑模块和用于根据输入的差分信号变化调整工作模式的误差校正比较器；本发明通过比较器在两种工作模式之间切换，可以根据比较器输入信号幅度的差别，使得比较器工作在不同的工作状态，优化了比较器的工作方式，提高了比较器的工作效率，使得整个SARADC的性能进一步提升，并且本发明不需要引入额外的冗余位进行误差校正，简化了设计难度，提高了整个SARADC的工作速度。
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公开(公告)号：CN108494388B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810239481.X
申请日：2018-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明提供一种高速低噪声动态比较器，包括：输入单元，所述输入单元包括输入NMOS管和输入PMOS管，锁存器单元，所述锁存器单元包括锁存NMOS管和锁存PMOS管，所述锁存NMOS管和锁存PMOS管连接形成锁存器结构；上拉单元，包括与输入NMOS管连接的上拉PMOS管；衬底自举电压产生电路，用于产生衬底自举电压；本发明通过采用MOS管的衬底自举技术，减小了MOS管的导通电阻，增加了比较器的比较器速度，进一步提高了比较器的比较器速度；同时，降低了比较器的输入管的阈值电压，使得输入管的跨导增加，从而降低了比较器的等效输入噪声，随着比较器共模电压的变化，比较器的比较延迟变化相对较小。
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