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公开(公告)号：CN115198355A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210829234.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种合成半导体化合物的方法，涉及化合物半导体的制备领域，用于合成磷化铟、磷化镓等半导体材料，关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上，形成筒状；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置。在离心力的作用下，密度较重的金属原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的非金属原子会向坩埚中心运动，使得坩埚侧壁的金属原子较多。注入区域周围非金属原子的浓度较低，合成速率较快，加速整体合成过程。
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公开(公告)号：CN115077446A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210513113.6
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种台阶仪的调校方法，包括：选取多种不同预设高度的台阶高度样板；使用待校准的台阶仪测试所有的台阶高度样板，并得到每种台阶高度样板的修正因子；基于每种台阶高度样板的修正因子，确定待校准的台阶仪的最终修正因子；将最终修正因子输入至待校准的台阶仪的测量软件中，即可对待校准的台阶仪进行调校。通过采用待校准的台阶仪测试多个不同高度的台阶高度样板，得到多个修正因子，然后通过多个修正因子得到最终的修正因子，从而保证修正因子的可靠性。
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公开(公告)号：CN108414121B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810166861.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/04
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN压力传感器制备方法及器件，包括将第一硅片与第二硅片贴合形成密封腔体；将衬底上的GaN外延层剥离形成GaN薄膜；其中，GaN外延层由下至上包括GaN缓冲层和势垒层；将所述GaN薄膜与密封腔体键合形成压力传感器基底；在所述GaN薄膜上形成压力敏感单元。本发明通过激光剥离工艺将GaN外延层从衬底上剥离形成GaN薄膜，并在第一硅片上制备凹槽，将第一硅片与第二硅片键合形成密封腔体，然后将GaN薄膜与密封腔体键合，并在GaN薄膜上制备压力敏感单元形成压力传感器，从而实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN110298834B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110207842B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN111573616A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010334963.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均分设于沟槽结构的长度方向的两侧，定位角结构设于标准样板的四角；沟槽的深宽比大于等于10:1。本发明提供的复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，能够准确测量沟槽或台阶标准样板的宽度和深度，同时复现测量过程中两个参数结果之间存在的影响，提高测试数据的准确性，降低标准样板的成本。
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公开(公告)号：CN108598253A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810166869.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/113
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在GaN晶圆上制备压力敏感单元，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层；在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将形成所述压力敏感单元后的所述GaN晶圆与所述密封腔体键合，形成压力传感器，其中，所述GaN晶圆的衬底与所述第一硅片的表面接触。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN104409492A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410615577.3
申请日：2014-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/12 , H01L29/151 , H01L29/2003
Abstract: 本发明公开了一种氮极性GaN晶体管，涉及半导体器件技术领域。所述晶体管自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlxGaN背势垒层、GaN沟道层以及位于GaN沟道层上表面的源极，栅极和漏极，所述AlxGaN背势垒层自下而上包括Al组分从小到大渐变的第一渐变AlxGaN背势垒层，Al组分从大到小渐变的第二渐变AlxGaN背势垒层以及天然AlxGaN背势垒层，其中0
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公开(公告)号：CN212051710U
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202020493643.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种晶圆双面电镀自锁紧挂具，属于半导体电镀领域，包括承载片、用于将晶圆压紧固定在承载片上的压紧片、以及设置在承载片与压紧片之间的锁紧机构，承载片上设置有用于容纳晶圆的圆形凹槽，圆形凹槽的底部还设置有用于将晶圆与外部电路连通的导电环，压紧片上设置有与圆形凹槽适配的压紧凸起，圆形凹槽的底部设置有贯穿承载片的第一让位孔，压紧片上设置有贯穿压紧片与压紧凸起的第二让位孔。本实用新型提供的晶圆双面电镀自锁紧挂具，通过设置第一让位孔与第二让位孔使晶圆的两侧面均可以接触到电镀液，使晶圆在电镀过程中可以实现双面同时电镀，提高了晶圆电镀的工作效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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