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公开(公告)号：CN118136752A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311824432.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层；若干间隔排布的第一N型GaN层，位于GaN缓冲层背离衬底层的一侧表面，任意的第一N型GaN层的宽度自衬底层至GaN缓冲层方向逐渐递减；若干间隔排布的第二N型GaN层，位于第一N型GaN层背离衬底层的一侧表面，任意第二N型GaN层中具有纳米孔，第二N型GaN层与第一N型GaN层一一对应；若干间隔排布的I nGaN/GaN发光层，位于第二N型GaN层背离所述衬底层的一侧，I nGaN/GaN发光层与第二N型GaN层一一对应；P型GaN层。LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN115293455A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211043486.8
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备，该方法包括获取目标半导体的多组制备参数，所述制备参数包括多个参数；将所述制备参数输入至目标性能预测模型中，确定所述制备参数对应的预测性能，所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的，所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的；对比各个所述预测性能，在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型，并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数，从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定，保证了制备参数的可靠性。
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公开(公告)号：CN115249725A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
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公开(公告)号：CN113988389A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111203505.4
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种LED结构性能的预测方法，主要是通过对LED结构的输入特征参数及输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集；依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的LED结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的LED结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对LED结构的性能进行快速预测，预测时间快且预测精度高。
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公开(公告)号：CN113471341A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110577770.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种基于红光A l I nGaAs量子点的Mi cro‑LED结构及其制备方法。所述Mi cro‑LED结构自下而上依次包括衬底、n型层、多量子阱有源层以及p型层；所述多量子阱有源层包括势阱层；所述势阱层包括A l I nGaAs量子点层。其能够降低侧壁及其边缘处的非辐射复合，有效提高低电流密度下的发光效率；且其发光波长可实现在红光波长范围的调控；且其结构简单，制备工艺简便，易于生产应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112531070A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011337981.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法。其中基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器包括衬底和位于衬底之上的氮化镓层，氮化镓层的上半部分形成氮化镓纳米柱阵列，氮化镓纳米柱阵列与包覆其上表面外的氧化镓构成核‑壳纳米柱阵列异质结；金属电极分别设在氮化镓层和氧化镓层表面的电极区域上，并形成肖特基接触。通过核‑壳异质结的形成可有效降低深紫外探测器的暗电流，提高器件的响应度，改善基于半导体异质结的光电探测器件性能。本发明提供的一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器，其结构简单，制备容易，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112186052A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011085614.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高外量子效率的深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法。所述的光电探测器包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格层、金属叉指电极，每组超短周期超晶格层的分子层数不同；超短周期超晶格层的上表面沉积金属纳米颗粒阵列；不同的超短周期超晶格层对应沉积不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列；金属叉指电极设置在超短周期超晶格层上表面，形成肖特基接触。本发明通过将多组不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列设置在超短周期超晶格层上，能够针对超短周期超晶格层的特定窄带光吸收进行有效地局域表面等离激元增强，进一步提高对深紫外光的吸收效率，最终改善多波长MSM窄带探测器的响应度和外量子效率。
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公开(公告)号：CN110364584A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910577036.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法，其结构从下至上包括：衬底、缓冲层、超短周期超晶格及金属电极；超短周期超晶格包括设置在超短周期超晶格的纳米孔阵，以及金属纳米颗粒；金属纳米颗粒注入在纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面，颗粒尺寸可调控；金属电极设置在超短周期超晶格上，形成肖特基接触。本发明通过在有序分布的纳米孔阵中形成金属纳米颗粒再在其上设置金属电极，避免了超短周期超晶格吸收层载流子隧穿能力较弱问题，又利用产生的局域表面等离激元效应，增强深紫外光的吸收，最终提高深紫外MSM探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN110165028A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910532879.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。
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公开(公告)号：CN103474503A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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