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公开(公告)号：CN108292685A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068499.7
申请日：2016-11-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41
Abstract: 半导体装置(1001)具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(16)，氧化物半导体层(16)包含沟道区域和分别配置在沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；绝缘层，其配置为覆盖氧化物半导体层(16)，具有将漏极接触区域露出的接触孔(CH)；以及透明电极(24)，其在接触孔(CH)内与漏极接触区域接触，当从基板的法线方向观看时，漏极接触区域的至少一部分(R)与栅极电极(12)重叠，在沿沟道宽度方向横切漏极接触区域的至少一部分(R)的任意的截面中，氧化物半导体层(16)的宽度比栅极电极(12)的宽度大，并且栅极电极(12)隔着栅极绝缘层由氧化物半导体层(16)覆盖。
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公开(公告)号：CN103718140B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201280036615.9
申请日：2012-07-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G09G3/3648 , G09G2356/00
Abstract: 显示部的每像素所具备的有源元件的半导体层由包含选自In、Ga、Zn的至少一种元素的氧化物层形成，具备进行第1设定和第2设定中的至少任一方的设定的液晶面板的时序控制器（13），上述第1设定是将进行图像数据的写入的第1期间设定为上述第2期间的2倍以下，上述第2设定是将1帧期间的长度设定为比16.7毫秒长。
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公开(公告)号：CN104396019B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380032605.2
申请日：2013-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。
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公开(公告)号：CN104081507B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380007575.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导
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公开(公告)号：CN103843056B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280048662.5
申请日：2012-07-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2310/0281 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G09G2370/08
Abstract: 提供一种减少功耗、显示部和视频信号线驱动电路形成为一体的显示装置。源极驱动器300）包括移位寄存器（310）和采样电路（320）。采样电路（320）包括采样块（40（1）～40（k））。各采样块包括3个薄膜晶体管。移位寄存器基于源极时钟信号（SCK2）输出选择信号（SEL（1）～SELk））。选择信号（SEL（1）～SEL（k））被提供给采样块（40（1）～40（k））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2）中，移位寄存器310）基于中止期间频率（fck2）的源极时钟信号SCK）而进行动作。中止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104204927B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380018502.0
申请日：2013-03-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/134309
Abstract: 液晶显示装置(100)的TFT基板(10)具有：设置在各像素的TFT(11)；与TFT的漏极电极(11d)电连接的上层电极(12)；设置在上层电极的下方的下层电极(13)；和设置在上层电极与下层电极之间的电介质层(14)，相对基板(20)具有与上层电极相对的相对电极(21)。上层电极具有：具有相互不同的电极结构的第一区域(R1)和第二区域(R2)；和用于将第一区域和第二区域电连接到漏极电极的第三区域(R3)。上层电极的第三区域包括对称连接部(12c)，该对称连接部(12c)是具有相对于将各像素分割为沿行方向相邻的两个区域的假想的直线(L1)实质上对称的形状的导电膜图案。
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公开(公告)号：CN105793773A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065932.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/133 , G09F9/30 , G09F9/35 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1339 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/133388 , G02F2201/123 , G02F2202/10 , G09G3/3648 , G09G2320/0219 , G09G2320/0247
Abstract: 本发明的液晶面板(100)包括：一对基板(10、30)；保持在一对基板间的液晶层(40)；和以包围液晶层的方式设置的密封件(42)，多个像素(P1、P2)在由密封件包围的区域中形成为矩阵状，多个像素分别包括：设置于一个基板(10)的氧化物半导体TFT(5)；和与设置于一个基板的氧化物半导体TFT连接的像素电极(19)，在氧化物半导体TFT从导通状态切换为截止状态时，使用像素电极施加于液晶层的电压，向负方向电平位移馈通电压(ΔVd)的量，多个像素中的第一像素(P1)的馈通电压(ΔVd1)小于与第一像素相比位于离密封件更远的位置的第二像素(P2)的馈通电压(ΔVd2)。
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公开(公告)号：CN104094386A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007483.1
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , G02F2201/50 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/4908 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号：CN103765306A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280037025.8
申请日：2012-08-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1333 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，为了抑制像素电极与源极线间的串扰从而减少闪烁，包括：设置成格子状的栅极线(102)和源极线(105)；像素电极(111)，其与栅极线(102)和源极线(105)的交叉位置对应地设置成矩阵状；透明辅助电容电极(109)；开关元件(121)，其根据从栅极线(102)赋予的扫描信号，将从源极线(105)供给的图像信号电压施加至像素电极(111)，所述开关元件(121)使用氧化物半导体层(104)构成，透明辅助电容电极(109)设置于源极线(105)与像素电极(111)之间。
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公开(公告)号：CN103718140A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280036615.9
申请日：2012-07-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G09G3/3648 , G09G2356/00
Abstract: 显示部的每像素所具备的有源元件的半导体层由包含选自In、Ga、Zn的至少一种元素的氧化物层形成，具备进行第1设定和第2设定中的至少任一方的设定的液晶面板的时序控制器（13），上述第1设定是将进行图像数据的写入的第1期间设定为上述第2期间的2倍以下，上述第2设定是将1帧期间的长度设定为比16.7毫秒长。
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