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公开(公告)号：CN115023328A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180011525.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明涉及用于在一系列分离工艺期间通过线锯从工件分离多个晶片的方法，一系列切片操作被细分为初始切割以及第一后续切割和第二后续切割，所述线锯包含锯切线的移动线区段的线网和调节装置，并且线网在两个线引导辊之间的平面中被拉伸，其中两个线引导辊中的每个线引导辊被安装在固定轴承与可移动轴承之间，所述方法包含：在切片操作中的每个切片操作期间，通过调节装置，在工作流体和磨蚀性地作用于所工件上的硬质物质的存在下，沿着垂直于工件轴线且垂直于线网的平面的进料方向，将各工件进料通过线网，其包含：在切片操作中的每个切片操作期间，两个线引导辊的可移动轴承的振荡轴向移动；以及根据校正曲线的要求，通过调节元件，将工件进料通过线网，同时工件沿着工件轴线位移，校正曲线包含振荡分量，所述振荡分量与可移动轴承的轴向移动对切下的晶片的形状所具有的作用相反。
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公开(公告)号：CN110430958B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201880011900.2
申请日：2018-01-30
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
Abstract: 本发明涉及用于借助结构化锯线(2)从料锭同时切割多个晶片的方法，其中，所述结构化锯线(2)被导向通过两个导线辊(14)的凹槽(9、10)，并且结构化线(2)支承于的每个凹槽(9、10)的底部具有弯曲的凹槽底部(16)，凹槽底部具有针对每个凹槽(9、10)与在相应的凹槽(9、10)中所具有的结构化线(2)的结构化线(2)包络体半径相等或最大为结构化线包络体半径的1.5倍的曲率半径。本发明还涉及导线辊(14)和线锯。
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公开(公告)号：CN105034181B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510196739.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B28D5/04
CPC classification number: B28D5/045 , B23D57/0023 , B23D57/0053 , B23D61/185 , B24B27/0633
Abstract: 用于沿着严格的凸状切割面从圆柱形工件同时切割出许多切片的方法，包括借助于安装条带和线锯的供给器具以工件的轴线平行于线导辊的轴线地保持工件；借助于供给设备通过线锯的线栅垂直地从上方移动工件，其中线栅是通过围绕线导辊缠绕线并且垂直于线导辊的轴线地在线导辊的凹槽中引导其而由相互平行并且在一个平面内的许多线部分形成的；并且向线部分供给作为切割器具的载液中的坚硬物质的悬浮液，而具有纵向张力的线部分由于线导辊的转动在第一旋转方向和与第一旋转方向相反的第二旋转方向之间的连续交变的结果而相对于工件作相对运动，其中在沿第一方向转动期间，线被移动第一长度，并且在沿第二方向转动期间，线被移动第二长度，并且第二长度被选择成以致比第一长度短，其特征在于，在切割操作开始时，选择第一纵向线张力，并且在切割操作结束时，选择第二纵向线张力，其中第一纵向张力被选择成以便大于第二纵向张力。
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公开(公告)号：CN104511975A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410464796.6
申请日：2014-09-12
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B28D5/04
CPC classification number: B28D5/045 , B23D57/0023 , B23D57/0061 , B24B27/0633 , B24B27/0691
Abstract: 一种从具有轴线和在工件侧面上平行于轴线施加的缺口的柱体工件同时切割多个晶圆的方法包括：在工件上施加切入梁，切入梁从前侧至后侧形状配合地将头端适配入缺口中，且足端从缺口伸出；借助线锯的进料装置保持工件，使工件轴线平行于线锯的柱体线材导轮的轴线；借助进料装置使切入梁和工件在垂直穿过平面线材网的进料方向上移动，线材网由彼此平行布置且垂直于线材导轮轴线的线材段构成，线材借助线材导轮上的槽螺旋环绕线材导轮地被多次引导，切入梁以足端首先抵靠着线材网移动，工件以缺口首先抵靠着线材网移动；在用作研磨剂的磨料存在的情况下，通过使线材导轮在与线材一致的方向上以相同圆周速度旋转，使得线材段在线材纵向方向上移动。
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公开(公告)号：CN102069448B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010530377.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024
Abstract: 一种用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆；(b)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层；(c)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101920477B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010143294.5
申请日：2010-03-17
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及处理半导体晶片的方法，其包括抛光处理A和抛光处理B；抛光处理A对半导体表面的两侧同时进行材料去除处理，其中使用不含具有研磨作用的物质的抛光衬垫，并加入含有具有研磨作用的物质的抛光剂；抛光处理B对半导体晶片的一侧或两侧进行材料去除处理，其中使用具有微结构表面且不含与半导体晶片接触并比半导体材料更硬的材料的抛光衬垫，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物质的抛光剂。本发明还涉及生产半导体晶片的方法，其包括下列顺序的步骤：(a)将半导体单晶分成晶片；(b)借助于除碎屑处理同时处理半导体晶片的两侧；(c)抛光半导体晶片，其包括抛光处理A和抛光处理B；(d)化学机械抛光半导体晶片的一侧，去除不到1μm。
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公开(公告)号：CN102610510A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210023094.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/28
Abstract: 本发明涉及适合于接收一个或多个半导体晶片以在磨削装置、研磨装置或抛光装置的两个工作盘之间对其进行双面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料组成的芯部，其中第一表面和第二表面各自带有完全或部分地覆盖第一表面和第二表面的由第二材料组成的涂层，以及至少一个用于接收半导体晶片的开口，其中涂层的背离芯部的表面具有由凸起和凹坑构成的结构，其特征在于，所述结构的凸起和凹坑的相关长度在0.5mm至25mm的范围内，并且所述结构的纵横比在0.0004至0.4的范围内。本发明还涉及用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的方法，其中使用所述嵌件托架。
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公开(公告)号：CN102441826A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110291517.7
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
IPC: B24B7/17 , B24B7/22 , H01L21/304
Abstract: 公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法，其中，每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中，所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动，从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动，同时半导体晶片被处理以在两个转动的环形工作盘之间去除材料，所述环形工作盘包括工作层，且承载盘和/或半导体晶片在处理过程中以它们的表面的一部分暂时离开由工作盘限制的工作间隙，其中，承载盘在与所述工作间隙的中心平面大致共面延伸的运动平面上通过相应地包括环形区域的两个工作盘引导，所述环形区域不包含工作层，且确保在承载盘和/或半导体晶片从所述工作间隙偏移的过程中引导承载盘。
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公开(公告)号：CN101412201B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810211134.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
CPC classification number: B24B37/28 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/32 , Y10T29/49
Abstract: 本发明涉及一种载体，其适于容纳一个或多个半导体晶圆以在精研、研磨或者抛光机中对该半导体晶圆进行加工，所述载体包括由具有高硬度的第一材料组成的核心，该核心完全或者部分由第二材料涂敷，该载体还包括至少一切口以用于容纳所述半导体晶圆，其中所述第二材料为具有20°-90°邵氏A硬度的热固性聚亚安酯弹性体。本发明另外还涉及一种用于涂敷载体的方法以及使用所述载体对多个半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法。
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公开(公告)号：CN101870085A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910204417.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
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