公开(公告)号：CN216303265U

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202122436419.X

申请日：2021-10-09

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 凌方舟 ,  丁希聪 ,  刘尧 ,  蒋乐跃

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本实用新型提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被完全密封；第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；若干通孔，其贯穿所述盖板至第二腔体；密封薄膜，其贴附在所述盖板远离所述半导体部件的一侧表面上，以密封所述若干通孔，使所述第二腔体完全密封。与现有技术相比，本实用新型不仅可以实现双腔体不同气压的封装，而且还可以大大降低封装成本。

公开(公告)号：CN219608956U

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202320169870.6

申请日：2023-02-09

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 刘尧 ,  凌方舟 ,  蒋乐跃 ,  丁希聪

IPC: G01P15/08 ,  G01C19/00 ,  G01P1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本实用新型提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，Z轴加速度计包括：第一锚点；与第一锚点弹性相连的纵长型的旋转梁；位于旋转梁的第一侧的第一Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于旋转梁的与第一侧相对的第二侧的第二Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于第二Z轴质量块的远离所述旋转梁的一侧的第三Z轴质量块，其与第二Z轴质量块弹性相连；第二Z轴质量块和第一Z轴质量块沿旋转梁做跷跷板式运动，而第三Z轴质量块由第二Z轴质量块带动随第二Z轴质量块一同运动，在第三Z轴质量块的运动被阻挡时，第三Z轴质量块能够相对所述第二Z轴质量块发生扭转。与现有技术相比，本实用新型可以增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。

公开(公告)号：CN216900614U

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202121928381.1

申请日：2021-08-17

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 丁希聪 ,  凌方舟 ,  蒋乐跃 ,  苏云鹏

IPC: G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  B81B5/00

Abstract: 本实用新型提供一种三轴加速度计，其包括：Z轴加速度计，其包括Z质量块、Z质量块锚点、扭转梁，Z质量块内定义有第一空间、第二空间和第三空间，Z质量块锚点位于第三空间内；扭转梁位于第三空间内且平行于Y轴放置，扭转梁连接所述Z质量块锚点和Z质量块；Z质量块位于所述扭转梁一侧的质量与Z质量块位于所述扭转梁另一侧的质量不同，以使Z质量块以所述扭转梁为轴发生类似跷跷板式运动；X轴加速度计，其位于所述第一空间内；Y轴加速度计，其位于所述第二空间内。与现有技术相比，本实用新型提供的三轴加速度计，其整体架构合理紧凑，可节省芯片面积，降低成本。此外，同等面积下，框架延伸的Z轴加速度计的灵敏度高。

公开(公告)号：CN216313420U

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202121928352.5

申请日：2021-08-17

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 凌方舟 ,  丁希聪 ,  蒋乐跃 ,  黄黎

IPC: H04R19/00 ,  H04R19/04 ,  G01P15/125 ,  G01H11/06

Abstract: 本实用新型提供一种用于拾取语音的骨传导加速度计，其包括：微机电系统部件，其为电容式加速度计，微机电系统部件用于感应骨振动信号并将该骨振动信号转换为电信号，微机电系统部件包括：衬底；半导体结构层，其设置于衬底上方，其包括键合框架和位于键合框架内的敏感框架；盖板，其设置于半导体结构层上方，其中，键合框架与所述半导体结构层上方的盖板和半导体结构层下方的结构围成密封腔，敏感框架位于密封腔内；信号处理部件，其用于处理微机电系统部件产生的电信号，并将电信号转换为声音信号。与现有技术相比，本实用新型采用骨传导加速度计实现对声音的拾取，可避免外界环境声音的干扰，且无需外壳封装来实现密封。

公开(公告)号：CN212432357U

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202021447315.8

申请日：2020-07-21

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 刘尧 ,  凌方舟 ,  蒋乐跃 ,  储莉玲

IPC: G01J5/12 ,  G01J5/16 ,  G01J5/10 ,  G01J5/00

Abstract: 本实用新型提供一种红外热电堆传感装置，其包括基于基底层形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括吸收区，所述基底层上形成有空腔，所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上，所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，所述第一金属层相较于第二金属层更靠近所述基底层的空腔，所述吸收区的介质层位于第一金属层和第二金属层之间，所述吸收区的第二金属层被图形化以形成预定图形。这样，通过将金属层制作成预定图形来增强红外吸收率，调整特定波长吸收率，从而提高红外热电堆传感装置的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205542757U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201620112614.3

申请日：2016-02-03

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 饶杰 ,  周海峰 ,  文彪 ,  凌方舟 ,  蒋乐跃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本实用新型公开一种晶圆级封装结构，其包括：堆叠圆片，其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并位于第二半导体圆片的第二表面；与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面；重分布层，其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方，其包括多个连接部和/或多个焊垫部，且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比，本实用新型可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。