公开(公告)号：CN111869074A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201880090662.9

申请日：2018-03-07

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 甲斐敏祐 ,  山上滋春 ,  林哲也 ,  图子祐辅 ,  下村卓

IPC: H02M3/155

Abstract: 通过控制开关元件(S)的开关频率以及表示开关元件的导通期间的占空比之中的至少任一个，确保从开关元件的两端电压在开关元件的截止状态中通过谐振电路(L0，C0)达到零电压后至开关元件导通为止的延迟时间，并使开关元件在延迟时间内接通。

公开(公告)号：CN110291620B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201780086361.4

申请日：2017-02-14

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 倪威 ,  林哲也 ,  田中亮太 ,  竹本圭佑 ,  早见泰明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。

公开(公告)号：CN109564876B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201680088287.5

申请日：2016-08-10

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 田中亮太 ,  林哲也 ,  倪威 ,  早见泰明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：栅电极槽，其以与漂移区域、阱区域及源极区域都接触的方式形成；栅电极，其经由绝缘膜而形成于栅电极槽的表面；源电极槽，其与栅电极槽接触；源电极，其与源极区域电连接；栅极配线，其与源电极电绝缘，且以与栅电极接触的方式形成在源电极槽内。

公开(公告)号：CN107615631B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201580080191.X

申请日：2015-05-20

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  津川大 ,  猪狩贵之

IPC: H02M3/00

Abstract: 一种电源控制装置，其具备：具有正极及负极的直流电源、与直流电源电连接的负载、与从正极经由负载到负极的电流路径串联连接的继电器、与电流路径串联连接的开关元件、控制继电器及开关元件的控制器，在将电流路径电气切断的情况下，控制器在将开关元件切换成关断状态后，将继电器切换成关断状态。

公开(公告)号：CN107615631A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201580080191.X

申请日：2015-05-20

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  津川大 ,  猪狩贵之

IPC: H02M3/00

Abstract: 一种电源控制装置，其具备：具有正极及负极的直流电源、与直流电源电连接的负载、与从正极经由负载到负极的电流路径串联连接的继电器、与电流路径串联连接的开关元件、控制继电器及开关元件的控制器，在将电流路径电气切断的情况下，控制器在将开关元件切换成关断状态后，将继电器切换成关断状态。

公开(公告)号：CN104718627B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201380054059.2

申请日：2013-10-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 丸井俊治 ,  林哲也 ,  山上滋春 ,  倪威 ,  江森健太

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置(100)，具备：半导体基体(1)；第一导电型的漂移区域(2)，其在上部的一部分具有槽，配置在半导体基体(100)的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域(4)，其仅配置在槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极(9)，其埋入槽中；阴极电极(10)，其配置在半导体基体(100)的与第一主面相对的第二主面上。

公开(公告)号：CN105556647A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051481.7

申请日：2014-06-03

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 倪威 ,  林哲也 ,  丸井俊治 ,  斋藤雄二 ,  江森健太

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体装置。具有：衬底(1)；n型的漂移区域(4)，其形成于衬底(1)的主面；p型的阱区域(2)、n型的漏极区域(5)及n型的源极区域(3)，它们分别在漂移区域(4)内，从漂移区域(4)的与同衬底(1)接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿第2主面的垂直方向延伸设置；栅极槽(8)，其从第2主面开始沿垂直方向设置，在与衬底1的第1主面平行的方向上将源极区域(3)以及阱区域(2)贯通；以及栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)而形成于栅极槽(8)的表面，漂移区域(4)的杂质浓度比衬底(1)的杂质浓度高，阱区域(2)延伸设置至衬底(1)内。

公开(公告)号：CN102859689A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020142.9

申请日：2011-04-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  林哲也 ,  铃木达广

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/8213 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。

公开(公告)号：CN100508213C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710086928.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春 ,  星正胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。

公开(公告)号：CN101233618A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028008.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。