公开(公告)号：CN110648693B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910552861.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄 ,  丹羽和也 ,  桥本笃志

IPC: G11B5/48 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。

公开(公告)号：CN110875063A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910681488.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  武晃司 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  茂智雄 ,  张磊 ,  徐晨 ,  梅本裕二 ,  小柳浩 ,  丹羽和也 ,  神边哲也

IPC: G11B5/48 ,  G11B5/66

Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。

公开(公告)号：CN108346437B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201810039987.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108305645B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108305645A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/731 ,  G11B5/70605 ,  G11B5/725 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108242244A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711336207.6

申请日：2017-12-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851 ,  G11B11/10589 ,  G11B5/70605 ,  G11B5/70626 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/8404

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以W为主成分的材料和氮化物并且所述氮化物的含量在1mol％～80mol％的范围内的结晶质层。所述氮化物包括从Al、B、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo及W组成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。

公开(公告)号：CN107527633A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710439941.9

申请日：2017-06-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  村上雄二 ,  神边哲也 ,  张磊 ,  丹羽和也 ,  柴田寿人

IPC: G11B5/82

CPC classification number: G11B5/1875 ,  G11B5/398 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/706 ,  G11B5/70615 ,  G11B5/716 ,  G11B5/73 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/855

Abstract: 一种磁记录介质，包括：衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。

公开(公告)号：CN104575530A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410558092.5

申请日：2014-10-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 张磊 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  丹羽和也

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65 ,  G11B11/10584 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明提供磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基板；磁性层，其以具有L10型晶体结构的合金为主成分；以及多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间。所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。