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公开(公告)号：CN111965755B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010887010.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型掺杂光波导，以及包覆加载条型掺杂光波导的波导包层，其中，加载条型掺杂光波导为掺杂重质量离子的无机材料A，波导包层为无掺杂无机材料B，加载条型掺杂光波导与波导包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型掺杂光波导的底表面与波导包层的底表面在同一水平面，加载条型掺杂光波导的顶表面与波导包层的顶表面在同一水平面。光调制层位于功能薄膜层与隔离层之间，一方面，不会增加驱动电压；另一方面，光信号能够被折射率小的波导包层限制在折射率大的加载条型掺杂光波导和功能薄膜层中传输。
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公开(公告)号：CN114883477A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210484597.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/253 , H01L41/27 , H01L41/083
Abstract: 本申请公开一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜，先对所述黑化的压电晶圆进行离子注入，将所述黑化的压电晶圆依次分为余质层、分离层和压电薄膜层；然后将离子注入后的黑化的压电晶圆与所述衬底基板键合，得到键合体；之后在氧气气氛下，对所述键合体进行一次退火处理，得到压电复合薄膜；最后在氢气气氛下，对所述压电复合薄膜进行二次退火处理，使所述压电薄膜层黑化，得到黑化压电复合薄膜。本申请中压电复合薄膜中压电薄膜层经过氢气二次退火处理后，氧空位浓度增加、电阻率减小，实现对压电薄膜层的黑化。
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公开(公告)号：CN113219681B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010071916.1
申请日：2020-01-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 公开了一种光波导集成器件，所述光波导集成器件可以包括：衬底；第一隔离层，位于衬底上；光波导构件，至少部分地嵌入第一隔离层中并与衬底分隔开；过渡层，设置在第一隔离层和光波导构件上；以及光调制层，设置在过渡层上并且与光波导构件的顶表面叠置。过渡层的位于光调制层与第一隔离层之间的部分和过渡层的位于光调制层与光波导构件之间的部分可以具有不同的成分。
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公开(公告)号：CN113381297B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010158416.1
申请日：2020-03-09
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种集成光学复合基板，所述集成光学复合基板包括：垂直腔面发射激光器(1)以及覆盖于所述垂直腔面发射激光器顶面上的光调制层(2)，在所述垂直腔面发射激光器(1)的顶部开设贯穿顶面的出光孔(3)，在所述出光孔(3)内填充有光传输层(4)，其中，由所述垂直腔面发射激光器(1)出射的光在光调制层(2)中入射角的角度为目标预设角度，从而直接在光调制层内对入射光进行调制，进而免于增加额外光学器件，降低光学系统的复杂程度，提高光利用率，减小光学系统的体积。
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公开(公告)号：CN113922778B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010663857.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请实施例公开的一种滤波器用压电衬底结构及其制备方法，包括依次层叠的压电基板、第一低声阻层、第二低声阻层和支撑基板，其中，第一低声阻层与第二低声阻层表面通过等离子体活化后键合。第一低声阻层与第二低声阻层之间的水分子可以扩散至第一低声阻层与第二低声阻层内，从而避免了水汽的产生使压电基板产生气泡缺陷；另外，第一低声阻层的存在能够有效地阻挡第一低声阻层与第二低声阻层之间的水分子中H与压电基板中Li的质子交换，从而保证了压电基板原有的压电性能；再有，因为在压电基板与第一低声阻层之间不存在水膜，所以，与现有技术相比，还能够提高第一低声阻层与第二低声阻层的声阻作用，降低声表面波滤波器的射频信号损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983825B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010889148.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层；功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率，其中，补偿层为掺杂无机材料，掺杂无机材料是指在无机材料中掺杂有轻质量离子，轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料，掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料中掺杂有重质量离子，重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式，提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜，使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。
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公开(公告)号：CN112736167B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011605509.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器，其中复合衬底从下至上依次包括晶硅衬底层和第一多晶硅层，第一多晶硅层包括单晶硅融合层、第二多晶硅层以及二氧化硅层；单晶硅融合层与单晶硅衬底层一体成型；单晶硅融合层靠近第二多晶硅层的一侧形成有融合凸起；单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及融合凸起中单晶硅的晶向相同。本申请通过在第二多晶硅层和单晶硅衬底层之间形成单晶硅融合层，提高第二多晶硅层在硅衬底上沉积的粘附性，降低在切割过程中复合薄膜在结合力较差的界面发生解键合的风险，避免功能薄膜脱落，提高复合薄膜的利用率，同时降低射频滤波器使用过程中解键合的风险，延长射频滤波器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113540338A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010315141.8
申请日：2020-04-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/18 , H01L41/311 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02 , H03H9/64
Abstract: 本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法，压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层，其中，低声阻层中掺有一定含量的氯离子，氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中，加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子，形成中性的氯化物，避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响，保证声表面波滤波器的稳定性。
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公开(公告)号：CN113534336A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010311501.7
申请日：2020-04-20
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，复合薄膜结构包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。在衬底层与第一薄膜层之间设置具有至少两个堆叠的子隔离层的第一复合隔离层。相比于现有技术中，只采用单层隔离层的方式，第一复合隔离层能够将第一薄膜层传输的信号隔离，防止信号泄露到衬底层。
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公开(公告)号：CN109972204B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201711458484.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 提供了一种超薄超平晶片以及一种制备超薄超平晶片的方法，所述方法可以包括以下步骤：提供均具有抛光面的衬底基板和目标晶片基板；在衬底基板的抛光面上旋涂保护胶层，然后对衬底基板的与所述抛光面相对的背面进行研磨减薄；对目标晶片基板和研磨减薄后的衬底基板进行清洗；将目标晶片基板的抛光面与衬底基板的抛光面直接接触，以形成键合体；对键合体中的目标晶片基板进行研磨减薄，并进行抛光处理，以使目标晶片基板达到目标厚度；以及将抛光后的键合体浸入选择性腐蚀溶解溶液，以去除衬底基板，从而得到超薄超平晶片。
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