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公开(公告)号：CN112701033B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011592201.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜，其中复合衬底的制备方法包括：对单晶硅衬底进行清洗，获得具有洁净表面的单晶硅衬底层；在单晶硅衬底层的洁净表面上生长多晶硅，并执行平坦化工艺，形成第一多晶硅层；将激光聚焦在第一多晶硅层靠近单晶硅衬底层的侧面上，直至形成单晶硅融合层，停止激光聚焦，得到复合衬底；其中，复合衬底从下至上依次包括单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及第二多晶硅层。采用前述的方案，通过调整激光的功率、焦距以及位置，准确的控制单晶硅融合区域的位置、分布和大小，从而可根据单晶硅衬底层和多晶硅层的实际情况对目标界面处的目标区域的键合力进行改善，提高多晶硅在硅衬底上沉积的粘附性。
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公开(公告)号：CN112959526A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155076.1
申请日：2021-02-04
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件，本申请提供的方法包括：根据衬底晶圆的解理结构，确定衬底晶圆的解理方向以及垂直于解理方向的垂直方向；根据复合薄膜的预期尺寸，在衬底晶圆上形成至少两个与解理方向平行的第一缺口；沿着第一缺口所在方向对初始复合薄膜施加压力，使得初始复合薄膜分裂，形成解理切割面；薄膜层处解理切割面的边缘损伤小于或等于0.5μm；根据规范尺寸，在解理切割面上形成至少两个与垂直方向平行的第二缺口；沿着第二缺口方向对分裂后的复合薄膜进行切割，形成第二切割面。本申请提供的方法可以获得平滑的切割面。
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公开(公告)号：CN112904598A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110087678.8
申请日：2021-01-22
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请公开的一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括依次层叠的第一功能薄膜层、第一隔离层、第二隔离层、第二功能薄膜层和衬底层；第二功能薄膜层中与第二隔离层接触的表面的粗糙度大于第二隔离层中与第一隔离层接触的表面的粗糙度，第二隔离层中与第一隔离层接触的表面的粗糙度大于第一隔离层中与第一功能薄膜层接触的表面的粗糙度；其中，第一功能薄膜层采用电光晶体材料，第二功能薄膜层采用宽禁带半导体材料。在第二隔离层和衬底层之间增设具有禁带宽度大、抗辐射能力强、击穿电场强度好、耐高温等特点的宽禁带半导体材料，能够增强第一功能薄膜层抵抗恶劣环境的能力，满足电子元器件在恶劣的环境下稳定工作的需求。
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公开(公告)号：CN112768354A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011608542.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/266 , H01L21/02 , C23C14/48
Abstract: 本申请提供了一种退火方法、复合薄膜及电子元件。本申请提供的方法包括：利用离子注入与键合相结合的方法制备复合薄膜结构体，复合薄膜结构体由下至上包括衬底层和薄膜层；在薄膜层上制备掩膜层；在掩膜层的预设位置处，对掩膜层和薄膜层进行瞬间高温处理；去除经过瞬间高温处理的掩膜层。本申请提供的方法不仅能有效消除在离子注入过程中对薄膜层造成的晶格损伤，并且由于本申请提供的退火方法是利用瞬间高温进行退火，因此衬底层不会长期处于高温环境中，进而也避免了高温对衬底层造成的各层之间相互拉扯或脱落。
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公开(公告)号：CN112764244A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110103546.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子；在电光晶体基片工艺面制备与光波导结构相同的掩模；由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内刻蚀，电光晶体基片内刻蚀后剩余的掺杂有重质量离子部分为光波导；填充电光晶体基片工艺面内被刻蚀掉区域，填充材料的折射率小于光波导的折射率，其中，填充于光波导间隙内的填充材料形成波导包覆层，由于在对电光晶体薄膜基片进行刻蚀处理之前，预先在电光晶体薄膜基片进行掺杂处理，使电光晶体薄膜基片内形成晶格损伤，从而可以提高刻蚀效率，避免了直接对电光晶体薄膜基片刻蚀处理会影响电光晶体薄膜层性能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701033A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592201.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜，其中复合衬底的制备方法包括：对单晶硅衬底进行清洗，获得具有洁净表面的单晶硅衬底层；在单晶硅衬底层的洁净表面上生长多晶硅，并执行平坦化工艺，形成第一多晶硅层；将激光聚焦在第一多晶硅层靠近单晶硅衬底层的侧面上，直至形成单晶硅融合层，停止激光聚焦，得到复合衬底；其中，复合衬底从下至上依次包括单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及第二多晶硅层。采用前述的方案，通过调整激光的功率、焦距以及位置，准确的控制单晶硅融合区域的位置、分布和大小，从而可根据单晶硅衬底层和多晶硅层的实际情况对目标界面处的目标区域的键合力进行改善，提高多晶硅在硅衬底上沉积的粘附性。
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公开(公告)号：CN113921694A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010664898.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/33 , H01L41/312
Abstract: 本申请公开了一种制备复合压电薄膜的方法，所述方法在对键合体加热过程中，持续对所述键合体施加与键合体表面成预设角度的外力，吸收余料层由注入层剥离过程中产生的应力，从而保持复合压电薄膜物理结构的完好，减小在剥离瞬间的翘曲程度，降低复合压电薄膜不良品率，根据本申请所提供方法制备复合压电薄膜的良品率大于90％。
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公开(公告)号：CN112382563A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011271851.1
申请日：2020-11-13
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本申请实施例提供一种离子注入薄膜晶圆剥离方法、单晶薄膜及电子元器件，其中，所述方法包括：准备衬底晶圆；准备离子注入后的薄膜晶圆，其中离子注入后的薄膜晶圆为具有薄膜层、分离层和余质层的薄膜晶圆；将所述薄膜晶圆的薄膜层与所述衬底晶圆键合，形成键合体；对键合体采用逐步加热的方式，实现薄膜层与余质层的逐步分离。采用前述的方案，利用逐步加热键合体，使余质层与薄膜层的逐步分离，避免余质层与薄膜层整体分离产生的作用力，使晶片炸裂的问题。
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公开(公告)号：CN112750686B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202011615980.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请提供了一种多层衬底、电子元器件及多层衬底制备方法。本申请提供的多层衬底，从下至上依次为：衬底层、缺陷层、绝缘层以及有源层；其中，缺陷层包括缺陷基体以及以第一预设浓度掺杂在缺陷基体中的杂质；第一预设浓度小于或等于缺陷层自身的陷阱可容纳载流子达到饱和状态时的掺杂浓度。本申请提供的方法包括：制备衬底层；在衬底层上通过掺入第一预设浓度的杂质的方法制备缺陷层；其中，第一预设浓度小于或等于缺陷层自身的陷阱可容纳载流子达到饱和状态时的掺杂浓度；在缺陷层上制备绝缘层；在绝缘层上制作有源层，得到多层衬底。本申请提供的多层衬底，降低了载流子的迁移率，从而降低电损耗。
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公开(公告)号：CN113193109A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110479316.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/312 , H01L41/33
Abstract: 本申请提供一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜。其中，制备方法包括在原始基板的第一表面和第二表面上进行离子注入，得到晶圆注入片；晶圆注入片依次包括第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层和第二薄膜层；将第一薄膜层与第一支撑基板键合，将第二薄膜层与第二支撑基板键合，得到键合体；第二支撑基板的热膨胀系数和第一支撑基板的热膨胀系数相同；将键合体进行加热至目标温度并以目标温度保温至目标时间，以使第一薄膜层和第二薄膜层分别与余质层分离，得到第一复合薄膜和第二复合薄膜。采用上述制备方法，避免键合体发生弯曲，复合薄膜处于平坦状态，避免复合薄膜发生炸裂，提高复合薄膜的成品率，降低复合薄膜的生产成本。
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