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公开(公告)号：CN114078361A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010811320.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 苏州维旺科技有限公司 , 苏州大学 , 盐城维旺科技有限公司
Abstract: 本发明涉及的背光模组，包括基板、安装在基板上的多个灯珠、设置在多个灯珠上方且用以扩散光线的扩散片和用以反射光线的反射部，扩散片上具有透光区和分布在透光区内的反光区，反光区包括多个通过反射性材料形成的反射网点，其中，靠近灯珠的多个反射网点的分布密度大于远离灯珠的多个反射网点的分布密度；反光区反射照射到其上的灯珠所发出的光线至反射部，使得面光源均匀出光、提高了光的利用效率、达到视觉逼真感的效果、以及更高的动态范围和对比度的效果。
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公开(公告)号：CN114077000A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010811093.1
申请日：2020-08-13
Applicant: 苏州维旺科技有限公司 , 苏州大学 , 盐城维旺科技有限公司
Abstract: 本发明涉及的扩散片的制备方法包括：提供衬底，在衬底表面形成网点，得到具有透光区和反光区的扩散片，网点形成反光区或透光区，网点在衬底上呈不同的密度分布，该扩散片使得光束扩散更加均匀，扩散片的光学特性优良，该制备方法成本低廉，工艺简洁，易于批量化生产，具备很好的实用性。
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公开(公告)号：CN106448825B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610917067.0
申请日：2016-10-21
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: H01B5/14
Abstract: 本发明公开了一种图形化精细导电薄膜，其包括基底和图形化精细电极，图形化精细电极放置于基底上或嵌入到基底中，图形化精细电极的电极的宽度在50nm‑10μm之间，高度在10nm‑10μm之间，表面粗糙度在0.1nm到100nm之间。本发明同时还公开了一种图形化精细导电薄膜的制作方法。本发明实现具有精细、高透过率、低方阻、高绕曲性能的图案化电极；不存在刻蚀工艺，绿色环保，电极分辨率能达到100nm，操作简单，适合大面积、低成本生产，可以用于触控屏，太阳能电池，LCD显示，OLED显示，QLED显示等应用领域。
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公开(公告)号：CN105489784B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510906030.3
申请日：2015-12-09
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种柔性导电电极的制备方法及该方法制备的电极及其应用，制备方法包括以下步骤：(1)光掩膜版制备：将导电线栅光刻到光掩膜上；(2)电沉积模具制备：然后将线栅型光掩膜版进行紫外曝光，形成图形化线栅沟槽；(3)电沉积工艺：将金属基板放置于电铸沉积槽中，生成电沉积层；(4)生成柔性导电电极：将金属基板上涂布一层固化胶，柔性衬底覆盖于固化胶上，经过紫外固化后脱模，获得柔性导电电极。本发明制备的柔性导电电极的表面平整度只取决于所用金属基板材料的表面平整度，具有较高平整表面，制备的OLED装置不会因透明电极的表面起伏较大，引起背电极与基底相接触，造成短路而损毁，大大提升了使用寿命。
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公开(公告)号：CN106061218A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610412201.1
申请日：2016-06-14
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/00 , H05K9/0086
Abstract: 本发明公开了一种电磁屏蔽膜的制作方法，其包括以下步骤：1)在导电基板上涂布光刻胶，然后通过光刻工艺在导电基板上形成图形结构；2)通过选择性电沉积工艺在图形结构中生长金属层，形成金属图形结构；3)通过压印工艺将金属图形结构镶嵌至柔性基底材料内，形成电磁屏蔽膜。本发明还公开了一种电磁屏蔽窗的制作方法。本发明具有高透明度、耐温性好的优点，可以满足光学窗对高屏蔽性能、高成像质量、耐温性高的电磁屏蔽膜的要求、柔性电子对电磁屏蔽薄膜弯折性能的需求以及复杂结构表面贴合对屏蔽膜超薄性的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374467A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510696751.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
CPC classification number: H01B13/0026 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01B5/14
Abstract: 本发明公开了一种纳米转印方法及纳米功能器件，其中，纳米转印方法包括如下步骤：S1.在柔性金属基板上涂布光刻胶；S2.对所述涂布光刻胶的柔性金属基板进行光刻，形成沟槽图形；S3.第一次电铸处理，形成图形电极；S4.第二次电铸处理，形成转印层；S5.通过卷对平转印模式，控制所述柔性金属基板，在相应承接基板上转印形成纳米结构材料层。本发明可在同一基板上实现不同材质的纳米电极或纳米结构功能区的转印，或者在同一基板相同区域实现多层复合结构纳米电极和功能区的转印。其利用金属基底上的图形电极作为转移模具，通过电沉积工艺，在转印模具的电极上形成纳米级材料层，并将模具上纳米级材料层转移到相应的柔性基板表面。
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公开(公告)号：CN102798918A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110136699.0
申请日：2011-05-25
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种反射式彩色滤光片。基底、高反金属层、共振腔层以及半反半透金属层。其中，共振腔层和半反半透金属层的交界面处为线栅结构，半反半透金属层覆盖在该线栅结构上，形成金属光栅，该金属光栅的周期小于400nm。通过调整线栅共振腔的厚度、线栅的占宽比、反射层2的厚度和覆盖层的厚度等参数，可以获得低角敏、带宽合适且旁带反射率低的反射式彩色滤光片，且可实现不同颜色的反射滤波。
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公开(公告)号：CN101737707B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810235232.X
申请日：2008-11-12
Applicant: 苏州维旺科技有限公司 , 苏州大学
IPC: F21V5/00 , F21V5/04 , G02F1/13357
Abstract: 本发明公开了一种背光模组用光扩散膜的制作方法，包括下列步骤：(1)在一基板的一侧表面制备具有粘性的固定层；(2)将微纳米结构尺寸的颗粒经所述固定层排布固定于所述基板表面；(3)将步骤(2)获得的带有表面微结构的基板作为电铸模板进行精密电铸，将微结构转移至电铸金属板上；(4)用步骤(3)获得的金属电铸片作为压印模板，经热压印或紫外压印至光扩散片材料上，制作获得光扩散片。本发明利用微纳米压印技术，在透明基材上压印微透镜结构，方法简单便捷，降低了扩散膜片制作成本，且特别适合制作超薄型结构，能有效减少背光模组的厚度，且具有良好的光学性能。
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公开(公告)号：CN101937115A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010224529.3
申请日：2010-07-13
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: B32B38/06 , B29C59/04 , B32B37/203 , B32B2551/00 , B32B2590/00 , G02B6/0036 , G02B6/0065
Abstract: 一种导光膜制作装置，用于制作卷积筒状的导光膜，包括放料辊、收料辊、分离装置、压印装置和复合装置，其中该导光膜先经分离装置将保护层和基材层分离，然后通过该压印装置在该基材层的待加工面上压印出导光网点，再经过复合装置将剥离的保护层重新复合到基材层上，最后经收料辊回收形成完整的导光膜。本发明的导光膜制作装置，具有产量高、制作尺寸大以及成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN101551482B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910028285.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种亚波长光栅结构彩色滤光片及其制作方法，滤光片包括：透明基底、位于该基底上的三色像素阵列，其特征在于：所述三色像素阵列由光栅阵列构成，所述光栅阵列由介质层和金属层构成，金属层位于介质层的外面，每一光栅的周期与其滤光的颜色相对应，三种周期的光栅分别用于对入射光中的红、绿、蓝三色进行滤光。其制作是在透明基底上依次涂布介质层和金属层，并且使该介质层和金属层形成凹凸的光栅结构。本发明只需改变光栅的周期，就可获得针对R、G、B三色的透射光谱，降低了加工彩色滤光片的难度；获得的滤光片具有合适的透射光谱，色纯度好；偏振光透过率高。
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