-
公开(公告)号：CN108255019A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711451906.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2059 , G03F7/322
Abstract: 本发明涉及化学增幅型正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。包含适于在酸的作用下分解以增大其在碱显影剂中的溶解度的聚合物和式(A)的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。通过光刻加工该抗蚀剂组合物时，能够形成具有最小LER的图案。
-
公开(公告)号：CN104330955B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201410505727.5
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
-
公开(公告)号：CN107037690A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710055684.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种高分子化合物、使用有该高分子化合物的负型抗蚀剂组合物及使用有该负型抗蚀剂组合物的图案形成方法，其中所述高分子化合物使用于实现50nm以下的高分辨率、小LER、且缺陷的产生非常少的负型抗蚀剂组合物中。所述高分子化合物含有以下述通式(1)所示的重复单元。[化学式1]。
-
公开(公告)号：CN106662810A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580047940.9
申请日：2015-07-24
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供包含游离的光致产酸剂和与光致产酸部分共价结合的多官能聚合物的负性抗蚀剂组合物，其中所述组合物基本不含交联剂。还提供可与抗蚀剂组合物联合使用的多官能聚合物，以及使用本发明组合物和聚合物在基底上产生抗蚀剂图像的方法。
-
公开(公告)号：CN106054530A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610227786.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 化学增幅型负型抗蚀剂组合物定义为包括(A)具有阴离子基团的鎓盐，该阴离子基团为稠环结构的含氮羧酸根，(B)基础树脂，和(C)交联剂。该抗蚀剂组合物在曝光步骤过程中对于控制酸扩散有效，在图案形成过程中显示非常高的分辨率，并且形成具有最小LER的图案。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN102321212B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110141664.6
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/30 , C08F212/14 , C08F222/18 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , C08F2220/283 , C08F232/08 , C08F2220/382
Abstract: 将一种包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐结构的重复单元的聚合物用于配制化学放大正性抗蚀剂组合物。当该组合物通过平版印刷处理形成正性图案时，酸在抗蚀剂膜中的扩散均匀并且缓慢，以及该图案的LER得到改善。
-
公开(公告)号：CN101900939B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010194426.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382
Abstract: 本发明提供一种负型光阻组合物，其至少包含：(A)碱可溶性且可通过酸的作用而成为碱不溶性的基质高分子、及/或碱可溶性且可通过酸的作用与交联剂进行反应而成为碱不溶性的基质高分子与交联剂的组合；(B)酸产生剂；(C)作为碱性成份的含氮化合物，其中，作为该基质高分子，是将含有两种以上通式(1)所代表的单体、或一种以上通式(1)所代表的单体及一种以上通式(2)所代表的苯乙烯单体的混合物聚合所获得的高分子，或是将该高分子所具有的官能团更进一步加以化学转化所获得的高分子，且相对于构成前述所获得的高分子的全部重复单元，源于通式(1)所代表的单体的重复单元合计为50摩尔％以上。
-
公开(公告)号：CN101893824B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010178168.3
申请日：2010-05-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/30 , G03F7/322
Abstract: 本发明的目的是提供一种负型光阻组合物、使用其的图案形成方法、其检查方法及调制方法，该负型光阻组合物至少含有：(A)碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础树脂及/或碱可溶性且可由于酸的作用与交联剂反应而变为碱不溶性的基础树脂与交联剂的组合、(B)产酸剂、(C)含有氮作为碱性成分的化合物，其形成为了形成光阻图案而实施曝光处理、显影处理且具有50nm～100nm厚的X nm的光阻膜，其特征在于：该负型光阻组合物在形成图案时的成膜条件下形成光阻膜的情况，对于在形成图案时的显影处理中所使用的碱性显影液的溶解速度，成为0.0333X-1.0nm/sec以上0.0667X-1.6nm/sec以下的值。
-
公开(公告)号：CN101625523B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.044 seconds)
