公开(公告)号：CN101887704B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010206850.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/34 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN103843146A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047630.3

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: 包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5nm的厚度)具有低于或等于1.0at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。

公开(公告)号：CN103339715A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN103250256A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180060652.9

申请日：2011-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中岛基 ,  本田达也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/72 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/26 ,  H01L29/78696

Abstract: 目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。半导体器件使用包括c-轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c-轴旋转。

公开(公告)号：CN101419350B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810170629.5

申请日：2008-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/00

CPC classification number: G09G3/32 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/0233 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明的显示装置包括信号线和像素。其中，像素包括：第一开关元件；其第一电极通过开关元件电连接到信号线的第一电容元件；电连接到第一电容元件的第一电极的显示元件；第二开关元件；通过第二开关元件电连接到电容元件的第二电极的电荷供给端子。将信号线的电位和电荷供给线之间的电位差施加到电容元件。将写入时的电容元件的电压设定为高于显示元件的电压。通过采用这种结构，可以减少保持在电容元件的电压因第一开关元件的下降而降低，并且维持施加到显示元件的所希望的电压。

公开(公告)号：CN101236897B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810009449.9

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN101887918A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206738.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887856A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206924.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN1988196B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610169093.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备发光特性良好的发光元件的半导体装置。本发明的技术要点如下：具备形成在绝缘膜中的第一凹部或开口部；第一电极，该第一电极在位于第一凹部或开口部周围的绝缘膜上、以及第一凹部或开口部内，并与第一凹部或开口部一起形成第二凹部；形成在第一电极上并与第二凹部一起形成第三凹部的第一导电型半导体层；形成在第一导电型半导体层上并与第三凹部一起形成第四凹部的发光层；形成在发光层上并与第四凹部一起形成第五凹部的第二导电型半导体层；以及，形成在构成第五凹部的底面及侧面的第二导电型半导体层上的第二电极。

公开(公告)号：CN101335276A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810145974.3

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L29/24 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。