中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

78 records (took 0.104 seconds)

    介电陶瓷组成物及叠层陶瓷电容器
    63.
    发明授权
    介电陶瓷组成物及叠层陶瓷电容器 失效

    公开(公告)号：CN1179379C

    公开(公告)日：2004-12-08

    申请号：CN01140070.6

    申请日：2001-11-23

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 中村友幸 ,  畠宏太郎 ,  佐野晴信

    IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

    CPC classification number: B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/768 ,  C04B2237/066 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/68

    Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组成物，适用于形成构成叠层陶瓷电容器的介电陶瓷层，所述介电陶瓷层是通过在还原性气氛中烧结得到的。即使当介电陶瓷组成物形成为薄陶瓷层时，可以实现高可靠性的叠层陶瓷电容器，具有小的容量温度系数，在高温和高压条件下的长寿命，在施加DC电压条件下静电容量随时间的变化很小。该介电陶瓷组成物包含主成分、添加成分和辅助烧结剂，其中主成分和添加成分由式100ABO3+a{(1-b)R+bV}+cM表示，满足1.25≤a≤8.0，0＜b≤0.2，1.0＜c≤6.0，a/c＞1.1。在上述公式中，R是包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的族中的至少一种元素的氧化物；V是包含矾的化合物；M是包含选自Mn、Ni、Mg、Fe和Zn组成的族中的至少一种元素的氧化物。

    介电陶瓷和使用它的电容器
    64.
    发明授权
    介电陶瓷和使用它的电容器 失效

    公开(公告)号：CN1171256C

    公开(公告)日：2004-10-13

    申请号：CN99104909.8

    申请日：1999-03-31

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 佐野晴信 ,  原田和宏 ,  山冈修 ,  小林真一 ,  江角俊也 ,  影山善隆

    IPC: H01G4/12

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 一种便宜的脉冲发生电容器，其特征即使在电容器在高温、高真空、低气压下使用时也不恶化，并能够在较宽的温度范围中产生高压脉冲。电容器A的介质体1由非线性介电陶瓷构成，它表现出抗减小性。非线性介电陶瓷含有多晶材料，该材料含有钛酸钡作为主要成份，多晶材料表示为(1-a-b)ABO3+aM+bR，其中ABO3为钛酸钡成份，并表示钙钛矿结构，M是从由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物，R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物，并且a和b表示摩尔分数，A、B、a和b满足下面的关系：1.000≤A/B≤1.006(摩尔比)，0.3≤b/a≤3，0.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050，而由Ad表示的M和R的总含量满足：0.3＜Ad≤1.0(wt.%)。

    陶瓷组合物及由其制备的多层陶瓷电容器
    65.
    发明授权
    陶瓷组合物及由其制备的多层陶瓷电容器 失效

    公开(公告)号：CN1111883C

    公开(公告)日：2003-06-18

    申请号：CN97114196.7

    申请日：1997-12-05

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 佐野晴信 ,  原田和宏

    IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/468

    CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682

    Abstract: 一种由以下组分制成的多层陶瓷电容器：由下列组成式表示的主要组分(100摩尔)：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-x-yNixCoy)O其中Re2O3是选自Y2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种；α、β、m、x和y的定义为：0.0025≤α≤0.025，0.0025≤β≤0.05，β/α≤4，0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0≤x+y＜1.0，1.000＜m≤1.035，次要组分(0.1-3.0摩尔)氧化镁，Al2O3-MO-B2O3类氧化物玻璃(其中MO为选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种)(0.2至3.0重量份，相对于100重量份所述主要组分和次要组分总重量)。

    独石陶瓷电容器
    66.
    发明授权
    独石陶瓷电容器 失效

    公开(公告)号：CN1100330C

    公开(公告)日：2003-01-29

    申请号：CN98103810.7

    申请日：1998-02-06

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 畠宏太郎 ,  佐野晴信

    IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 一种独石陶瓷电容器，含有层压的多层介电陶瓷层，夹在介电陶瓷层之间的内部电极，在介电陶瓷层的两个侧面形成的外部电极，使它们与内部电极交替连接，其中的介电陶瓷层含有下列组成式的主要组分：(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)O，其中M2O3是Sc2O3和Y2O3中的至少一种；Re2O3是Gd2O3、Tb2O3和Dy2O3中的至少一种；α、β、m、x、y和z为0.0025≤α≤0.025，0.005≤β≤0.05，0.5≤β/α≤2，0.2≤x≤0.5，0.1≤y≤0.5，0.2≤z≤0.3，0.3≤y+z≤0.7，1.005＜m≤1.030，并含有一定量的MgO和SiO2作为次要组分。

    独石瓷介电容器和它的制作方法
    67.
    发明授权
    独石瓷介电容器和它的制作方法 失效

    公开(公告)号：CN1097834C

    公开(公告)日：2003-01-01

    申请号：CN97115561.5

    申请日：1997-07-25

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 坂本宪彦 ,  佐野晴信 ,  宫崎孝晴

    IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

    CPC classification number: H01G4/30

    Abstract: 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层，多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极，每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外，还有与露出的内部电极电气连接的外部电极；此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成，在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。

    介电陶瓷组合物和层叠陶瓷元件
    70.
    发明授权
    介电陶瓷组合物和层叠陶瓷元件 失效

    公开(公告)号：CN1093101C

    公开(公告)日：2002-10-23

    申请号：CN99118590.0

    申请日：1999-09-10

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 的场弘明 ,  佐野晴信

    IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

    CPC classification number: C04B35/4686 ,  H01G4/1227

    Abstract: 本发明目的是提供改进的温度补偿介电陶瓷组合物和层叠陶瓷元件，使用具有高的相对介电常数和Q值，可以在相对较低温度下烧结的温度补偿介电陶瓷组合物制造这些元件，烧结时不会引起陶瓷性能发生任何不希望的变化。组合物包含100重量份主组分xBaO-yTiO2-zRe2O3；25重量份或更少的第一辅助组分B2O3-SiO2玻璃(但不含氧化铅)；至少一种选自氧化钒或氧化钨物质的第二辅助组分，V2O5形态的氧化钒含量为10重量份或更少，WO3形态的氧化钨含量为20重量份或更少。

Patent Agency Ranking