公开(公告)号：CN104335355A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380029493.5

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。

公开(公告)号：CN104272463A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023934.0

申请日：2013-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源-漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源-漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。

公开(公告)号：CN102265323B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080003695.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  越智元隆 ,  大西隆 ,  钉宫敏洋

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C23C14/025 ,  C23C14/14 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。

公开(公告)号：CN103270602A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180061835.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  岸智弥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L27/016 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素(X组元素)。根据本发明，可提供一种薄膜晶体管半导体层用氧化物，其具备不含Ga的In-Zn-O氧化物半导体的薄膜晶体管的开关特性及耐应力性良好，特别是正偏压应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。

公开(公告)号：CN103038888A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN103003860A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC classification number: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN101971294B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

公开(公告)号：CN102822945A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016158.2

申请日：2011-03-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺尾泰昭 ,  森田晋也 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76867 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。

公开(公告)号：CN101691657B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910132939.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  岸智弥

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C1/02 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。

公开(公告)号：CN102265323A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201080003695.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  越智元隆 ,  大西隆 ,  钉宫敏洋

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C23C14/025 ,  C23C14/14 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。